兆易创新(GD)SPI NOR Flash 在TWS耳机上应用,静态电流低至1uA,容量有512Kbit-512Mbit

2019-05-27 兆易创新
SPI NOR Flash,GD25LE128DLIGR,GD25LE16CLIGR,GD25LE32DLIGR SPI NOR Flash,GD25LE128DLIGR,GD25LE16CLIGR,GD25LE32DLIGR SPI NOR Flash,GD25LE128DLIGR,GD25LE16CLIGR,GD25LE32DLIGR SPI NOR Flash,GD25LE128DLIGR,GD25LE16CLIGR,GD25LE32DLIGR

TWS(True Wireless Stereo, 真无线立体声)蓝牙耳机,它借助蓝牙芯片,先将手机与主耳机建立无线连接,再建立起主耳机和副耳机的无线通讯,从而完全摒弃了传统耳机间的线材连接,极大地方便了用户的使用。另外,主耳机是可以单独使用的,完全能够胜任现有市场上的单颗蓝牙耳机的应用需求,使用功能非常强大。

 

自从2016年9月苹果发布第一款TWS耳机 – Airpods以来,市场反响就非常热烈,后续音频厂商见此迅速跟进,扎堆布局TWS蓝牙耳机,使TWS耳机市场异彩纷呈。又随着今年3月份苹果新款AirPods无线耳机的发布,TWS又火了一把,华为、小米以及传统耳机厂商陆续跟进。

 

为了顺应TWS耳机发展趋势,各大芯片厂家纷纷推出一系列产品。目前市面上有8大芯片品牌共推出18款TWS耳机解决方案,包括高通、络达、卓荣、炬芯、恒玄、赛普拉斯和瑞昱等,下面进行TWS耳机系统介绍:


TWS
耳机的系统主要可以分为两部分,分别是充电盒以及耳机。充电盒的作用类似于充电宝,专门给两个耳机进行充电。受限于充电盒和耳机的小体积,这两部分所用的电池容量都无法做大,充电盒的容量一般在1000mAh以内,而耳机端的容量更小,绝大部分都小于100mAh。因此无论是充电盒还是耳机,都应该重视系统低功耗的设计,保证产品有较长的使用时间。

 

TWS耳机系统框图:

下面重点介绍Flash方面:

由于主控蓝牙芯片内存有限,为了存更多固件和代码程序,需要外扩一颗SPI NOR Flash,同时要求小体积和低功耗。原先一般都是8Mbit或者16Mbit,现在很多厂家加入OTA功能,需要选32Mbit、64Mbit甚至128Mbit(苹果方案)才够用。

北京兆易创新(简称GD)推出一系列SPI NOR Flash,电压有1.8V系列,静态电流低至1uA,容量有512Kbit-512Mbit,小封装有WLCSP、USON等,非常适用于低功耗、小体积应用。目前很多TWS厂家已经在采用GD方案,选型列表如下:

 

Manufacturer

Part Number

Description

Memory Size

Frequency

Voltage

Temperature

Device Package

Packaging

GigaDevice

GD25LQ80CEIGR

NOR FLASH

8Mb (1M x 8)

104MHz

1.65 V ~ 2.1 V

-40°C   ~ 85°C

8-USON (2x3)

Tape & Reel   (TR)

GigaDevice

GD25LQ16CNIGR

NOR FLASH

16Mb (2M x 8)

104MHz

1.65 V ~ 2.1 V

-40°C   ~ 85°C

8-USON (4x3)

Tape & Reel   (TR)

GigaDevice

GD25LE16CLIGR

NOR FLASH

16Mb (2M x 8)

104MHz

1.65 V ~ 2.1 V

-40°C   ~ 85°C

21-WLCSP

Tape & Reel   (TR)

GigaDevice

GD25LQ32DNIGR

NOR FLASH

32Mb (4M x 8)

120MHz

1.65 V ~ 2 V

-40°C   ~ 85°C

8-USON (4x3)

Tape & Reel   (TR)

GigaDevice

GD25LE32DLIGR

NOR FLASH

32Mb (4M x 8)

120MHz

1.65 V ~ 2 V

-40°C   ~ 85°C

21-WLCSP

Tape & Reel (TR)

GigaDevice

GD25LQ32DQIGR

NOR FLASH

32Mb (4M x 8)

120MHz

1.65 V ~ 2 V

-40°C   ~ 85°C

8-USON (4x4)

Tape & Reel   (TR)

GigaDevice

GD25LE64CLIGR

NOR FLASH

64Mb (8M x 8)

133MHz

1.65 V ~ 2 V

-40°C   ~ 85°C

21-WLCSP

Tape & Reel   (TR)

GigaDevice

GD25LQ64CQIGR

NOR FLASH

64Mb (8M x 8)

120MHz

1.65 V ~ 2 V

-40°C   ~ 85°C

8-USON (4x4)

Tape & Reel   (TR)

GigaDevice

GD25LE128DLIGR

NOR FLASH

128Mb (16M x 8)

120MHz

1.65 V ~ 2 V

-40°C   ~ 85°C

21-WLCSP

Tape & Reel   (TR)

 


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  • 远风 Lv7. 资深专家 2020-10-19
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推荐兆易创新(Gigadevice)GD25LQ80C,是低功耗SPI NOR Flash产品系列,其主要参数:容量4Mbit,工作电压1.65~2.1V,具有低功耗,典型待机电流9uA,编程/擦写次数≥100,000,数据保存周期长达20年。此外,GD25LQ80C具有三种工作温度,分别为-40℃~85℃,-40℃~105℃,-40℃~125℃,且可提供多种封装产品。具体参数见数据手册:https://www.sekorm.com/doc/1163317.html

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推荐兆易创新(Gigadevice)GD25LQ64C,是低功耗SPI NOR Flash产品系列,其主要参数:容量64Mbit,工作电压2.7V~3.6V,具有低功耗,典型待机电流1uA,编程/擦写次数≥100,000,数据保存周期长达20年。此外,GD25LQ64C具有三种工作温度,分别为-40℃~85℃,-40℃~105℃,-40℃~125℃,且可提供多种封装产品。具体参数见数据手册:https://www.sekorm.com/doc/1163316.html

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推荐兆易创新(Gigadevice)GD25VQ40C,是低功耗SPI NOR Flash产品系列,其主要参数:容量4Mbit,工作电压2.3~3.6V,具有低功耗,典型待机电流1μA,编程/擦写次数≥100,000,数据保存周期长达20年。且可提供多种封装产品。具体参数见数据手册:

2019-03-18 -  技术问答
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