【产品】工作结温高达175℃的碳化硅肖特基整流器，结电容低至28pF
Central新推出碳化硅肖特基整流器CSICD10-650，工作结温最高为175℃，专用于能量效率和热性能要求严格的高频系统设计。
CSICD10-650碳化硅肖特基整流器平均整流输出电流为10A，满足大功率应用的设计需求。正向（正向通态压降）为1.5V~2.5V，反向漏电流（有效值为）70μA，有效降低工作过程中的开关损耗。即使环境温度为135℃时，该元件的功率（损耗）仅为25W，适用于低功耗设计。
CSICD10-650具有（耐高压）的特性，（反向重复峰值电压）和反向浪涌电压均为650V。同时兼备出色的抗浪涌冲击能力，（能承受的正向浪涌电流的峰值为60A），（响应时间为）8.3ms，确保大功率应用中开关切换的稳定性。当反向电压600V、工作频率1MHz时，该元件的结电容仅为28pF，进一步降低分布参数对高频电路的影响。
CSICD10-650采用表贴封装，工作和存储结温均为-55℃~175℃，热电阻低至1.6℃/W，降低设备对散热设计要求，轻松应对高温环境下的应用。作为一款高耐压、低功耗肖特基整流器，适用于电源逆变器、工业电机驱动、开关电源、功率因数校正、过流保护等设计（等领域）。
图1：CSICD10-650封装图
CSICD10-650主要特点：
• 正向温度系数
• 高反向电压
• 高工作温度（最大175℃）
• 极限温度下的稳定切换
CSICD10-650典型应用：
• 电源逆变器
• 工业电机驱动
• 开关电源
• 功率因数校正
• 过流保护
技术顾问：坚栋
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