【产品】150/25A的N沟道增强型场效应晶体管YJD25N15B，封装为TO-252
扬杰科技的N沟道增强型场效应晶体管YJD25N15B，采用TO-252的封装设计，漏源电压为150V，漏极电流为25A，总耗散功率为52W，结温和储存温度范围均为-55~150℃。其产品图如图1。
产品概述：
● VDS=150V
● ID=25A
● RDS(ON)( at VGS=10V) ＜75 mohm
● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ＜88 mohm
产品特点：
●分栅沟道MOSFET技术
●高速电源开关，逻辑电平
●增强体二极管dv / dt功能
●增强了雪崩强度
●已通过100％UIS测试，100％Rg测试
产品应用：
●SMPS中的同步整流
●硬开关和高速电路
●电动工具
●UPS
●电机控制
图1 产品图和内部电路图
表1 最大额定值
表2 电气特性
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由民工翻译自扬杰科技，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】30V/105A的N沟道增强型场效应晶体管YJG105N03A
YJG105N03A是扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管，已100%通过UIS和▽VDS测试，采用沟槽功率中压MOSFET技术，以及具有出色散热能力的封装，非常适用于DC-DC转换器、电源管理功能、背光源等相关应用。
【产品】150/15A N沟道增强型场效应晶体管YJG15N15B，封装为DFN5×6
扬杰科技推出N沟道增强型场效应晶体管YJG15N15B，采用DFN5×6的封装设计，漏源电压为150V，漏极电流为15A(TA=25℃)。采用栅沟道MOSFET技术，高速电源开关，逻辑电平，具有增强的体二极管dv / dt功能，增强了雪崩强度，已通过100％UIS测试，100％Rg测试。
【产品】100V/15A N沟道增强型场效应晶体管YJS15G10B，封装为SOP-8
扬杰科技专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。其近期推出N沟道增强型场效应晶体管YJS15G10B，采用SOP-8的封装设计，漏源电压为100V，漏极电流为15A（Tc=25℃时）。
【选型】国产N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A与友商NMOS SIJA58DP参数性能对比分析
一般NMOS用于同步整流，逆变等电路，在电源上应用广泛，现介绍一款扬杰科技的N沟道增强型场效应晶体管YJG100N04A，其功能与Vishay的SIJA58DP相似，本文将针对二者的参数性能进行对比分析。
YJF30G15H N沟道增强型场效应晶体管
本资料介绍了YJF30G15H型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的技术规格和应用。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和优异的稳定性和均匀性。它适用于电源管理和便携式设备等领域。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJF30G15H,便携式设备,POWER MANAGEMENT,电源管理,PORTABLE EQUIPMENT
YJB3D2G04HHQ N沟道增强型场效应晶体管
本资料详细介绍了YJB3D2G04HHQ型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、应用领域和电气参数。该产品采用分割栅槽MOSFET技术，具有低导通电阻、高耐压和良好的散热性能，适用于汽车发动机控制、电磁阀和电机驱动器等应用。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJB3D2G04HHQ,AUTOMOTIVE ENGINE CONTROL,动力系统管理,SOLENOID,螺管线圈,汽车发动机控制,MOTOR DRIVERS,POWERTRAIN MANAGEMENT,电动机驱动器
【应用】国产N沟道增强型场效应晶体管YJD90N06A助力PCR仪TEC驱动，VDS耐压可达60V
某客户在PCR项目TEC控制部分需N沟道增强型场效应晶体管，推荐扬杰科技N沟道增强型场效应晶体管YJD90N06A，特点：采用沟槽型功率中压MOS技术，VDS耐压可达60V，ID可达90A； 采用高密度单元设计，RDS(on) 低至7.2mΩ。
YJD3D6G04HHQ N沟道增强型场效应晶体管
本资料详细介绍了YJD3D6G04HHQ型号的N通道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数、热阻、封装信息等。该产品适用于汽车引擎控制、电磁阀和电机驱动器等应用。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJD3D6G04HHQ,AUTOMOTIVE ENGINE CONTROL,动力系统管理,SOLENOID,螺管线圈,汽车发动机控制,MOTOR DRIVERS,POWERTRAIN MANAGEMENT,电动机驱动器
YJD11C65HJ N沟道增强型场效应晶体管
本资料介绍了YJD11C65HJ型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的技术规格和应用。该器件采用超级结高压MOSFET技术，具有低导通电阻、极低的开关损耗和良好的稳定性和均匀性。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJD11C65HJ,SERVER POWER,充电器,PD ADAPTER,CHARGER,伺服器电源,PD适配器
YJD65G10A N沟道增强型场效应晶体管
本资料介绍了YJD65G10A N沟道增强型场效应晶体管（Mosfet）的产品概要。该产品具有低RDS(on)、高电流承载能力、快速开关和软恢复等特点，适用于消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离式DC/DC转换器和逆变器等领域。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJD65G10A,INVERTORS,逆变器,CONSUMER ELECTRONIC POWER SUPPLY,电机控制,ISOLATED DC/DC CONVERTOR,消费电子电源,MOTOR CONTROL,隔离DC/DC变换器
YJD65G10B N沟道增强型场效应晶体管
本资料介绍了YJD65G10B型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要。该产品具有低导通电阻、极低的开关损耗、优异的稳定性和均匀性、快速切换和软恢复等特点，适用于消费电子电源、电机控制、同步整流、隔离式DC/DC转换器和逆变器等领域。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJD65G10B,INVERTORS,逆变器,CONSUMER ELECTRONIC POWER SUPPLY,电机控制,ISOLATED DC/DC CONVERTOR,消费电子电源,MOTOR CONTROL,隔离DC/DC变换器
【应用】国产N沟道增强型场效应晶体管YJG40G10A用于30W开关电源，RDS（ON）典型值仅为14mΩ
开关电源二次侧整流目前为了提升效率，常用同步整流来代替传统的肖特基整流，同步整流则需要用到要求导通阻抗较低的MOSFET，推荐扬杰科技的N沟道增强型场效应晶体管YJG40G10A，采用高密度单元设计，漏源电压为100V，漏电流为40A，较低的导通阻抗满足开关电源降低损耗的需求。
YJJ2612AJ N沟道增强型场效应晶体管
该资料介绍了YJJ2612AJ型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。产品具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关特性。适用于PWM应用和DC-DC转换器。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJJ2612AJ,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR
YJG2D5G06HQ N沟道增强型场效应晶体管
本资料介绍了YJG2D5G06HQ型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的技术规格和应用。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热散性，适用于电源开关应用。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG2D5G06HQ,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR
YJG60G04H N沟道增强型场效应晶体管
本资料介绍了YJG60G04H型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高热散耗能力，适用于电源开关应用。
扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG60G04H,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR
电子商城
现货市场
服务
提供CE测试服务，通过晶体回路匹配分析，给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳/上海 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论