【产品】TO-251-SL封装的-30V P沟道沟槽型MOSFET TTE05P03AT，总栅极电荷典型为30nC

2019-10-14 无锡紫光微电子
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TTE05P03AT是无锡紫光微推出的漏源电压为-30V的P沟道沟槽型MOSFET，该产品采用了沟道功率MOSFET技术，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，针对快速切换应用进行了优化，主要应用于负载开关和电池开关应用。TTE05P03AT采用TO-251-SL封装，尺寸较小。产品的丝印代码（订购信息）为05P03AT。



图1   TTE05P03AT的产品图及电路图


电气特性方面，TTE05P03AT的连续漏极电流的最大额定值为-5A，脉冲漏极电流的最大额定值为-20A，适用于较高电流的应用。耗散功率的最大额定值为10W，功耗较低。工作结温和存储温度为-55~175℃，符合工业级温度要求。导通电阻的最大值为150mΩ（VGS=-10V）或240mΩ（VGS=-4.5V）。总栅极电荷的典型值为30nC。结壳热阻为15K/W。


TTE05P03AT的特点：

沟道功率MOSFET技术

低导通电阻

低栅极电荷

针对快速切换应用进行了优化


TTE05P03AT的应用：

负载开关

电池开关


TTE05P03AT的标记代码：

05P03AT

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  • 用户84786367 Lv8. 研究员 2019-10-15
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