【产品】30V/81A的N沟道增强型功率MOSFET RM80N30DF，采用DFN5X6-8L封装
丽正国际（RECTRON）一直致力于二极管、晶体管、整流器等相关产品的研发生产，具备成套的专项技术。RM80N30DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，适用于负载开关或PWM应用。
在TC=25°C时，RM80N30DF可以承受的漏源电压最大额定值为30V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为81A，漏极脉冲电流最大额定值为160A（TC=100°C），最大功率耗散为59W，单次脉冲雪崩能量最大额定值为150mJ，工作结温和储存温度范围为-55~150℃，结壳热阻典型值为2.1℃/W。
产品特性
•VDS =30V,ID =81A
RDS(ON) <9mΩ @ VGS=4.5V
RDS(ON) <5.5mΩ @ VGS=10V
•高功率和优秀的载流能力
•无铅产品
•表面贴装
应用领域
l PWM应用
l 负载开关
l 电源管理
l 无卤素
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