【产品】漏源电压为60V的N沟道MOSFET DE004TG，漏源导通电阻＜3.5mΩ
杜因特（Doingter）推出的DE004TG是一款采用TO-252封装的N沟道MOSFET，该器件采用先进SGT技术设计，具有优良的漏源导通电阻RDS(on)和低栅极电荷特性。在热性能方面，结到壳的热阻最大值为0.89℃/W，结到环境的热阻最大值为62℃/W。该器件可在多种场景得到应用，产品实物图和等效电路图如下。
产品特性如下：
•VDS=60V，ID=130A，RDS(ON)<3.5mΩ@VGS=10V
•低栅极电荷
•提供绿色环保器件
•采用先进的高单元密度沟槽技术实现优良的漏源导通电阻性能
•良好的封装和散热特性
绝对参数值如下所示：(TC=25℃)
订购信息：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由JWM翻译自杜因特，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】N沟道MOSFET DB008NG，最大漏源电压为20V，连续漏极电流可达45A
DB008NG是杜因特推出的一款N沟道MOSFET，其采用先进的沟道技术和设计，提供出色的RDS（on）以及低栅极电荷，可以用于各种应用。
【产品】规格为30V/3A的N沟道MOSFET DO2316，采用先进的沟槽技术设计，具有低栅极电荷
杜因特推出的DO2316是一款采用SOT-23封装的N沟道MOSFET，该器件采用先进的沟槽技术设计，具有优良的漏源导通电阻RDS(on)和低栅极电荷特性，在热性能方面，结到环境的热阻最大值为138℃/W，并有广泛的应用领域。
【产品】采用先进的沟道技术的N沟道MOSFET DB007NG，最大漏源电压VDS为20V，拥有低栅极电荷等特性
DB007NG是杜因特新推出的一款N沟道MOSFET，其采用先进的沟道技术和设计，以低栅极电荷提供出色的漏源导通电阻，可以用于各种各样的应用，如电子电子，大功率驱动电路，开关电源领域。
杜因特MOS选型表
杜因特提供以下技术参数的MOSFET选型，耐压范围20V-900V，具有极低的导通电阻，封装规格突破16种，可根据客户需要定制低中高压及不同封装参数产品
|
产品型号
|
品类
|
VDSS(V)(MIN)
|
ID(A) at 25℃
|
VGS(V)(MAX)
|
Ciss(pF)(TYP)
|
RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(TYP)
|
RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(MAX)
|
|
DB010NG
|
MOSFET
|
20V
|
30A
|
12V
|
990pF
|
8MΩ
|
10MΩ
|
选型表 - 杜因特 立即选型
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论