与硅相比，制造过程更简单、能耗更低、成本更低的GaN功率IC符合未来可持续发展道路的需求

业界最小尺寸的GaN FET将亮相2019慕尼黑上海电子展

在3月20日-3月22日的慕尼黑上海电子展上，将展示在性价比上大幅超越硅器件的全新氮化镓功率晶体管。其中最引人注意的，无疑当属来自于宜普电源转换公司（EPC）的0.9x0.9mm业界最小尺寸GaN FET。

EPC将于APEC 2020展览会上发布ePower™ Stage系列IC，演示GaN器件如何推动多个行业的功率传输转型

EPC团队将于3月15至19日在美国新奥尔良举行的APEC 2020展览会上，进行11场关于氮化镓技术及应用的演讲 ，并且在EPC展位（＃1847）也会有多个终端客户最新的、基于氮化镓场效应晶体管及集成电路的产品亮相。在展会上，EPC将发布ePower™ Stage系列集成电路，在单一硅基GaN芯片上集成了所有功能，为行业重新定义功率转换。

研讨会2024年世强硬创新技术研讨会：IC、元件、材料、电气、电机、国产化等最新产品与前沿技术

立即报名并查看日程！世强硬创新技术研讨会联合全球1000家顶级原厂发布2024最前沿技术、最新产品以及解决方案，助力硬件企业工程师快速了解市场新品动态，点燃创意火花，加速研发项目进度。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

氮化镓如何驱动机器人的运动、感官、大脑（一）——氮化镓器件如何在人形机器人的运动领域发挥作用

本文介绍氮化镓器件如何在人形机器人的运动领域发挥作用。

【IC】EPC提供100V GaN FET助力实现更小的电机驱动器，用于电动自行车、机器人和无人机

EPC推出三相BLDC电机驱动逆变器参考设计EPC9194，工作输入电源电压范围为14V~60V，可提供高达60Apk的输出电流。此电压范围和功率使该解决方案非常适合用于各种三相BLDC电机驱动器，包括电动自行车、电动滑板车、无人机、机器人和直流伺服电机。

【IC】EPC推出新型80V、40A eToF™激光驱动器GaN IC，实现更高功率密度激光雷达系统

宜普电源转换公司（EPC）推出新型氮化镓集成电路EPC21701，这是一款80V激光驱动器IC，可提供15A脉冲电流，适用于飞行时间激光雷达应用（ToF激光雷达应用），包括真空吸尘器、机器人、3D安全摄像头和3D传感器。

EPC将在PCIM Asia 2024展示先进的氮化镓电源解决方案

作为全球增强型氮化镓 (GaN) FET 和 IC 的领导者，EPC 很高兴宣布将参加 PCIM Asia 2024。该活动将于 8 月 28 日至 30 日在中国深圳举行。EPC 的 GaN 专家将在 PCIM Asia 期间展示最新一代的 GaN FET 和 IC，涵盖包括 AI 服务器、机器人等在内的各种实际应用，探索业内最全面的 GaN 电力转换解决方案组合。

【应用】EPC车规级GaN场效应管EPC2203应用于激光雷达，脉冲电流可达17A，漏源耐压值可达80V

本文主要介绍EPC汽车级GaN场效应管EPC2203在激光雷达上的应用，主要用在激光雷达发射部分，用于控制激光器的快速开关，优势：漏源耐压值可达80V；持续电流1.7A，最大脉冲电流17A；漏源电阻仅80mΩ，可有效降低系统损耗等。

招聘功率半导体工程师，负责Gan Fet/IGBT/Sic Mos/隔离/Sic二极管等产品

参与新能源&电力、工业自动化、工业电源等项目研发；接触最新热门领域技术，对接Top前十的知名硬科技企业。项目新，视野开拓，成长迅速，价值多元！

EPC GaN FET助力DC/DC转换器实现功率密度和效率基准

EPC GaN FET与Analog Devices驱动器和控制器相结合，为客户简化氮化镓基设计、提高其效率、降低散热成本、助力计算、工业和消费类应用的DC/DC转换器实现最高功率密度。