【产品】双FET增强型功率晶体管，RDS(ON)低至60mΩ！
宜普电源转换公司（EPC）于近期推出了一款双FET共源极增强型功率晶体管--EPC2110，该产品拥有双路FET，最大RDS(ON)低至60mΩ ，QG仅0.8nC ，占板面积小，且具有低电感封装，可广泛应用于高频直流-直流转换，无线电力传输，同步整流等领域，世强为其代理商之一。
EPC2110是一款双FET共源极增强型功率晶体管，最大漏-源极电压120V，60mΩ的低导通电阻RDS(ON)（门极电压5V时），最大连续电流3.4A的低ID可以达到3.4A（连续状态）, 较低的总门电荷，使其具有更低的开关损耗和驱动功率，因此EPC2110具有更快的开关频率。同时，该产品输出电容低至50pF，最高脉冲漏极电流20A，零反向传输恢复损耗，得益于氮化镓器件的低导通电阻电容和开关损耗，该产品的工作效率比一般的MOSFET要高很多。
在结构和封装方面，EPC2110晶片尺寸为1.35mm*1.35mm ，对于一款双FET功率晶体管来说，这个占板面积是非常小的，通过集成两个晶体管组成单个器件，避免了元器件之间的电感和安装孔隙，减小了面积，实现了低电感封装，有助于系统实现更高的功率密度。同时该产品的封装无铅无卤素，符合RoHS标准。
图1：EPC2110产品示意图
EPC2110的产品特性：
• 最佳温度：-40℃~150℃
• 双FET，共源极
• 最大RDS(ON)低至60mΩ
• ID：3.4A（连续状态），20A（脉冲状态）
• VDS：120V
• VGS：-4V~6V
• 晶片尺寸：1.35mm*1.35mm
EPC2110的应用场合：
• 高频DC-DC转换
• 无线电力传输
• 同步整流
技术顾问：搬砖的奶爸
相关技术文档：
EPC EPC2110双增强型功率晶体管数据手册 详情>>>
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Jamie Lv7. 资深专家 2018-11-17收藏学习 -
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30787 Lv7. 资深专家 2018-11-17了解一下 -
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Nicole2 Lv5. 技术专家 2018-08-09学习了 -
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幸福 Lv7. 资深专家 2018-08-03很好 -
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辛巴 Lv8. 研究员 2018-06-14学习 -
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Beyond Lv3. 高级工程师 2018-06-11顶起 -
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橙色骑士 Lv3. 高级工程师 2017-12-31有量产产品应用的吗 -
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随风奔跑 Lv3. 高级工程师 2017-12-28优势明显 -
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Jerry65 Lv5. 技术专家 2017-12-05超低电阻，值得学习一下。。。 -
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serena Lv7. 资深专家 2017-12-02Qc值小，是一大优势
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EPC8002氮化镓增强型功率晶体管反向恢复电荷QRR为0nC,无反向恢复时间，可用于电源设计。
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EPC2036是宜普电源推出的一款增强型功率晶体管，具有73mΩ低导通电阻和0.9*0.9的超小占板面积。
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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CISS (pF)
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ID(A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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0.745
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0.14
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
EPC（宜普）增强型氮化镓功率晶体管技术简介（中文版）
描述- 本文介绍了eGaN® FET技术，一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比，eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势，包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等，并提供了选型指南和设计支持资源。
型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033
EPC Half-Bridge Development Boards 选型表
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产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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VDS max
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VGS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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Development Board
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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15
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6
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0.745
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0.14
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0.42
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0
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86
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20
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3.4
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BGA 0.85 x 1.2
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n/a
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选型表 - EPC 立即选型
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型，最大耐压15V-350V，持续电流0.5A-90A，导通阻抗1.45Ω-3300mΩ，导通电荷0.044nC-19nC，峰值电流0.5A-590A。
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产品型号
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品类
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最大耐压（V）
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装（mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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选型表 - EPC 立即选型
EPC eGaN FETs and ICs 选型表
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产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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VDS max
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VGS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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Development Board
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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15
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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n/a
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选型表 - EPC 立即选型
EPC2214–汽车80 V（D-S）增强型功率晶体管数据表
描述- 本资料为EPC公司的eGaN® FET（增强型场效应晶体管）产品EPC2214的数据手册。该器件采用氮化镓技术，具有高效率、低导通电阻和快速开关特性，适用于汽车电子、无线充电等领域。
型号- EPC2214
EPC2066–增强型功率晶体管
描述- 本资料为EPC2066增强型功率晶体管的电子数据表。该器件采用氮化镓技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），适用于高密度DC-DC转换、电机驱动、工业自动化、同步整流、浪涌保护和点负载转换器等领域。
型号- EPC2066
【产品】增强型并采用半桥拓扑的氮化镓功率晶体管，能量效率最高可达90%
EPC 公司推出的GaN功率晶体管EPC2100,漏源电压VDS最大值为30V（连续），驱动电压范围-4V~6V，工作温度范围-40℃~150℃,最大工作频率超过10MHz,应用于高频DC-DC电源转换和负载点（POL）转换器等方面。
EPC8002–增强型功率晶体管egallium nitride®FET数据手册
描述- 本资料为EPC8002增强型功率晶体管的电子数据表。该器件采用氮化镓技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关频率和优异的热性能等特点。适用于高速直流-直流转换、射频包络跟踪、无线电力传输、游戏机和工业运动控制以及激光雷达传感等领域。
型号- EPC8002
【产品】 GaN增强型大功率晶体管助力高功率密度电源转换
EPC2106氮化镓半桥增强型功率晶体管, 由Q1、Q2两个MOS管构成，更小的板载面积可以为电源转换带来更高的功率密度。
EPC（宜普）EPC2019增强型功率晶体管数据手册
描述- 本资料为EPC2019型增强模式功率晶体管（eGaN® FET）的数据表。该器件采用氮化镓技术制造，具有高电子迁移率和低温度系数，实现极低的RDS(on)。其横向器件结构和多数载体二极管提供超低QG和零QRR，适用于高速直流-直流转换、Class-D音频和高频硬切换电路。
型号- EPC2019
EPC2032–增强型功率晶体管
描述- 本资料为EPC2032增强型功率晶体管的电子数据表。该器件采用氮化镓技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力、快速开关速度和良好的热性能等特点。适用于高速直流-直流转换、电机驱动、工业自动化、同步整流和类D音频等领域。
型号- EPC2032
电子商城
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
根据用户的蓝牙模块，使用Bluetooth 蓝牙测试装置MT8852B，测试蓝牙1.0至5.1，包括传输速率、功率、频率、调制和接收机灵敏度，生成测试报告。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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