【专题】硅MOS的终结者——氮化镓eGaN FET
——元器件历史的一次崭新革命
硅基功率MOSFET曾作为半导体行业的首选功率转换器件,但是随着时代技术的发展,硅技术已经达到了它的性能极限。因此我们需要一种全新的半导体材料--氮化镓eGaN FET。与最优的硅基MOSFET相比,氮化镓晶体管及集成电路的开关速度快很多及体积更小巧。相比先进的硅基器件,当今商用化的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路的性能高出5至50倍。
EPC——基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商
EPC(宜普电源转换公司)是基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商。EPC推出全球首款替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管。GaN器件在速度,损耗,效率等性能上比硅材料的功率器件优越很多。
此外,宜普公司(EPC)正在扩大基于eGaN IC的产品系列,进一步为客户提供节省占板面积、能耗及成本的解决方案。
氮化镓FET技术优势
EPC的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)以更高的开关速度工作,所以转换器可以比硅MOSFET在更高的频率下工作,消耗更少的能源。因此,可以为最终用户实现更高的无线充电性能,更高效率和更快速的电池充电。
eGaNFET技术的整体优势是通过开关速度高使性能更优越,加上其固有的更低开关损耗,因此可以比传统MOSFET技术更节约能源。另外,eGaNFET的较低损耗产生优越的散热性能(以更低温运行而能够节省能源)。
EPC正在开发多项技术来实现多级无线功率传输,如更高压的第五代产品、创新解决方案,并与其他公司合作改善回波系统和控制。
氮化镓場效应晶体管將取代现有MOSFET整体市场的大部分市场。
主要产品及亮点
✤ 单路eGaN FET:BGA封装,业界尺寸最小
✤ 半桥eGaN FET:低功耗高效率,内含36个PN结,超低的导通电阻(RDS(ON))
✤ 同步启动的双路eGaN FET:高可靠性,800万器件小时应力测试无失效
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主要应用
DC/DC转换器:很多电信/数据通信的应用都使用隔离型DC/DC转换器。在隔离型DC/DC转换器设计,氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的优势包括具备低传导损耗、低开关损耗、低驱动功率及低电感,提高输出功率及效率。
无线充电:无线电源传送要求工作在具更高频率的6.78MHz及13.56MHz ISM频带,在谐振系统中于高频时实现高自由空间(spatial freedom)。在这些高频率下,传统MOSFET技术已经接近它的性能极限。氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)可替代MOSFET器件,由于它的开关转换速度在亚奈米范围内,它具有足够快速开关的优势而成为无线电源传送应用的理想晶体管。
激光雷达(LiDAR):激光雷达(LiDAR)使用镭射脉冲快速形成三维图像或为周围环境制作电子地图。氮化镓场效应晶体管相较MOSFET器件而言,开关速度快十倍,使得LiDAR系统具备优越的解像度及更快速反应时间等优势,由于可实现优越的开关转换,因此可推动更高准确性。这些性能推动全新及更广阔的LiDAR应用领域的出现包括支持电玩应用的侦测实时动作、以手势驱动指令的计算机及自动驾驶汽车等应用。
及电源设备、包络跟踪、射频传送、电机控制、工业控制、马达驱动、功率逆变器、军工、D类音频放大器、汽车电子、电动汽车、充电桩、医疗应用技术等。
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艾蓁飞扬 Lv8 2019-07-14学习
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用户16857187 Lv5. 技术专家 2017-09-08非常好
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Mini Lv7 2017-09-06不错,值得学习!
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龙族队长 Lv7. 资深专家 2017-09-05挺好的,
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