【专题】硅MOS的终结者——氮化镓eGaN FET
——元器件历史的一次崭新革命
硅基功率MOSFET曾作为半导体行业的首选功率转换器件，但是随着时代技术的发展，硅技术已经达到了它的性能极限。因此我们需要一种全新的半导体材料--氮化镓eGaN FET。与最优的硅基MOSFET相比，氮化镓晶体管及集成电路的开关速度快很多及体积更小巧。相比先进的硅基器件，当今商用化的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）及集成电路的性能高出5至50倍。
EPC——基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商
EPC（宜普电源转换公司）是基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商。EPC推出全球首款替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓（eGaN）场效应晶体管。GaN器件在速度，损耗，效率等性能上比硅材料的功率器件优越很多。
此外，宜普公司（EPC）正在扩大基于eGaN IC的产品系列，进一步为客户提供节省占板面积、能耗及成本的解决方案。
氮化镓FET技术优势
EPC的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）以更高的开关速度工作，所以转换器可以比硅MOSFET在更高的频率下工作，消耗更少的能源。因此，可以为最终用户实现更高的无线充电性能，更高效率和更快速的电池充电。
eGaNFET技术的整体优势是通过开关速度高使性能更优越，加上其固有的更低开关损耗，因此可以比传统MOSFET技术更节约能源。另外，eGaNFET的较低损耗产生优越的散热性能（以更低温运行而能够节省能源）。
EPC正在开发多项技术来实现多级无线功率传输，如更高压的第五代产品、创新解决方案，并与其他公司合作改善回波系统和控制。
氮化镓場效应晶体管將取代现有MOSFET整体市场的大部分市场。
主要产品及亮点
✤ 单路eGaN FET：BGA封装，业界尺寸最小
✤ 半桥eGaN FET：低功耗高效率，内含36个PN结，超低的导通电阻（RDS（ON））
✤ 同步启动的双路eGaN FET：高可靠性，800万器件小时应力测试无失效
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主要应用
DC/DC转换器：很多电信/数据通信的应用都使用隔离型DC/DC转换器。在隔离型DC/DC转换器设计，氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的优势包括具备低传导损耗、低开关损耗、低驱动功率及低电感，提高输出功率及效率。
无线充电：无线电源传送要求工作在具更高频率的6.78MHz及13.56MHz ISM频带，在谐振系统中于高频时实现高自由空间（spatial freedom）。在这些高频率下，传统MOSFET技术已经接近它的性能极限。氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）可替代MOSFET器件，由于它的开关转换速度在亚奈米范围内，它具有足够快速开关的优势而成为无线电源传送应用的理想晶体管。
激光雷达（LiDAR）：激光雷达（LiDAR）使用镭射脉冲快速形成三维图像或为周围环境制作电子地图。氮化镓场效应晶体管相较MOSFET器件而言，开关速度快十倍，使得LiDAR系统具备优越的解像度及更快速反应时间等优势，由于可实现优越的开关转换，因此可推动更高准确性。这些性能推动全新及更广阔的LiDAR应用领域的出现包括支持电玩应用的侦测实时动作、以手势驱动指令的计算机及自动驾驶汽车等应用。
及电源设备、包络跟踪、射频传送、电机控制、工业控制、马达驱动、功率逆变器、军工、D类音频放大器、汽车电子、电动汽车、充电桩、医疗应用技术等。
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艾蓁飞扬 Lv8 2019-07-14学习 -
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用户16857187 Lv5. 技术专家 2017-09-08非常好 -
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鄗立恒 Lv8. 研究员 2017-09-08学习了 -
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每天学习一点点儿 Lv9. 科学家 2017-09-08很好 -
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duanmaxie Lv8. 研究员 2017-09-08学习了 -
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Mini Lv7 2017-09-06不错，值得学习！ -
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龙族队长 Lv7. 资深专家 2017-09-05挺好的，
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EPC（宜普）氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版（AB003）
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满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
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