【专题】硅MOS的终结者——氮化镓eGaN FET

2017-09-03 世强
氮化镓,eGaN FET,氮化镓场效应晶体管,电力电子功率器件 氮化镓,eGaN FET,氮化镓场效应晶体管,电力电子功率器件 氮化镓,eGaN FET,氮化镓场效应晶体管,电力电子功率器件 氮化镓,eGaN FET,氮化镓场效应晶体管,电力电子功率器件

——元器件历史的一次崭新革命


硅基功率MOSFET曾作为半导体行业的首选功率转换器件,但是随着时代技术的发展,硅技术已经达到了它的性能极限。因此我们需要一种全新的半导体材料--氮化镓eGaN FET。与最优的硅基MOSFET相比,氮化镓晶体管及集成电路的开关速度快很多及体积更小巧。相比先进的硅基器件,当今商用化的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路的性能高出5至50倍。


EPC——基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商

EPC(宜普电源转换公司)是基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商。EPC推出全球首款替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管。GaN器件在速度,损耗,效率等性能上比硅材料的功率器件优越很多。


此外,宜普公司(EPC)正在扩大基于eGaN IC的产品系列,进一步为客户提供节省占板面积、能耗及成本的解决方案。


氮化镓FET技术优势

EPC的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)以更高的开关速度工作,所以转换器可以比硅MOSFET在更高的频率下工作,消耗更少的能源。因此,可以为最终用户实现更高的无线充电性能,更高效率和更快速的电池充电。

eGaNFET技术的整体优势是通过开关速度高使性能更优越,加上其固有的更低开关损耗,因此可以比传统MOSFET技术更节约能源。另外,eGaNFET的较低损耗产生优越的散热性能(以更低温运行而能够节省能源)。

EPC正在开发多项技术来实现多级无线功率传输,如更高压的第五代产品、创新解决方案,并与其他公司合作改善回波系统和控制。

氮化镓場效应晶体管將取代现有MOSFET整体市场的大部分市场。


相关推荐:
【技术】行业领先的创新技术:氮化镓技术 详情>>>

【技术】论氮化镓技术及其产品的发展与应用 详情>>>


主要产品及亮点

✤ 单路eGaN FET:BGA封装,业界尺寸最小
✤ 半桥eGaN FET:低功耗高效率,内含36个PN结,超低的导通电阻(RDS(ON))
✤ 同步启动的双路eGaN FET:高可靠性,800万器件小时应力测试无失效


相关推荐:
【选型】EPC 硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南 详情>>>

【产品】可与AirFuel联盟第四级别规格兼容的无线充电演示套件 详情>>>

【产品】有望取代MOSFET整体市场的氮化镓場效应晶体管 详情>>>

【产品】尺寸减小达15倍!小型氮化镓晶体管实现更低的栅极驱动损耗 详情>>>

【产品】无线电源最佳选择,开关转换速度在亚纳秒范围内的氮化镓晶体管 详情>>>

【产品】比等效MOSFET小型化12倍的200V氮化镓功率晶体管 详情>>>

【产品】可超过85%效率的氮化镓功率晶体管,负载点DC/DC转换的理想元件 详情>>>


主要应用

DC/DC转换器:很多电信/数据通信的应用都使用隔离型DC/DC转换器。在隔离型DC/DC转换器设计,氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的优势包括具备低传导损耗、低开关损耗、低驱动功率及低电感,提高输出功率及效率。

无线充电:无线电源传送要求工作在具更高频率的6.78MHz及13.56MHz ISM频带,在谐振系统中于高频时实现高自由空间(spatial freedom)。在这些高频率下,传统MOSFET技术已经接近它的性能极限。氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)可替代MOSFET器件,由于它的开关转换速度在亚奈米范围内,它具有足够快速开关的优势而成为无线电源传送应用的理想晶体管。

激光雷达(LiDAR):激光雷达(LiDAR)使用镭射脉冲快速形成三维图像或为周围环境制作电子地图。氮化镓场效应晶体管相较MOSFET器件而言,开关速度快十倍,使得LiDAR系统具备优越的解像度及更快速反应时间等优势,由于可实现优越的开关转换,因此可推动更高准确性。这些性能推动全新及更广阔的LiDAR应用领域的出现包括支持电玩应用的侦测实时动作、以手势驱动指令的计算机及自动驾驶汽车等应用。

及电源设备、包络跟踪、射频传送、电机控制、工业控制、马达驱动、功率逆变器、军工、D类音频放大器、汽车电子、电动汽车、充电桩、医疗应用技术等。


相关推荐:
【产品】EPC 面向DC/DC功率转换的eGaN® FET及集成电路介绍 详情>>>

【应用笔记】EPC 面向48V–12V可调节砖式转换器的eGaN FET及集成电路应用笔记( AB007)详情>>>

【应用笔记】EPC 面向48V降压转换器的eGaN FET及集成电路应用笔记(AB009)详情>>>

【应用】从48V到负载电压:通过GaN晶体管提高低压DC-DC转换器性能 详情>>>

【应用及方案】EPC 氮化镓场效应晶体管和IC用于激光雷达的应用简介 详情>>>

【应用及方案】EPC 面向无线电源应用的氮化镓场效应电晶体应用及方案 详情>>>

【应用】亚纳秒级的增强型eGaN FET助力实现真正的无线充电 详情>>>


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 7

评论

   |   

提交评论

全部评论(7

  • 艾蓁飞扬 Lv8 2019-07-14
    学习
  • 用户16857187 Lv5. 技术专家 2017-09-08
    非常好
  • 鄗立恒 Lv8. 研究员 2017-09-08
    学习了
  • 每天学习一点点儿 Lv9. 科学家 2017-09-08
    很好
  • duanmaxie Lv8. 研究员 2017-09-08
    学习了
  • Mini Lv7 2017-09-06
    不错,值得学习!
  • 龙族队长 Lv7. 资深专家 2017-09-05
    挺好的,
没有更多评论了

相关推荐

EPC(宜普)eGaN® 氮化镓晶体管(GaN FET)和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南

目录- eGaN FETs and ICs    eGaN® Integrated Circuits    Half-Bridge Development Boards    DrGaN    DC-DC Conversion    Lidar/Motor Drive    AC/DC Conversion   

型号- EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC2218A,EPC90153,EPC9087,EPC90154,EPC2069,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2107,EPC9018,EPC2065,EPC90151,EPC90152,EPC21702,EPC2100,EPC2067,EPC2221,EPC21701,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC9067,EPC2032,EPC2031,EPC9068,EPC2152,EPC2033,EPC9063,EPC9186,EPC9066,EPC8010,EPC9180,EPC2204A,EPC9181,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2040,EPC2045,EPC2044,EPC9194,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9203,EPC9204,EPC9205,EPC2252,EPC9166,EPC9167,EPC9047,EPC9201,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9165,EPC7020,EPC9160,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2302,EPC2001C,EPC2029,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC8002,EPC2021,EPC9177,EPC2020,EPC9057,EPC9167HC,EPC2023,EPC9179,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9059,EPC9173,EPC9174,EPC9055,EPC9176,EPC9170,EPC9050,EPC9171,EPC9172,EPC2010C,EPC2034C,EPC7007,EPC7002,EPC9148,EPC2071,EPC7001,EPC23101,EPC23102,EPC23103,EPC9144,EPC90140,EPC23104,EPC2111,EPC7004,EPC2110,EPC7003,EPC90133,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90135,EPC90139,EPC7019,EPC7018,EPC9038,EPC9159,EPC9039,EPC2007C,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC9037,EPC2088,EPC7014,EPC21601,EPC9158,EPC90122,EPC9151,EPC9031,EPC90123,EPC90120,EPC9153,EPC9033,EPC90121,EPC9154,EPC90124,EPC9150,EPC90128

选型指南  -  EPC  - 2024/1/3 PDF 英文 下载

EPC(宜普)增强型氮化镓功率晶体管技术简介(中文版)

型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033

应用笔记或设计指南  -  EPC  - 2017年07月13日 PDF 中文 下载

测试报告  -  EPC  - 5/6/2024 PDF 英文 下载

EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版(AB003)

型号- EPC2036,EPC9509,EPC9001C,EPC2010C,EPC9003C,EPC2016C,EPC2019,EPC9106,EPC2032,EPC9046,EPC2031,EPC9047,EPC2034,EPC9048,EPC2033,EPC9061,EPC9062,EPC9040,EPC9002C,EGANAMP2016,EPC2103,EPC2001C,EPC2029,EPC2106,EPC2015C,EPC2108,EPC9010C,EPC2107,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC2021,EPC9035,EPC2020,EPC9014,EPC9510,EPC2022,EPC9033,EPC9055,EPC9050,EGANAMP 2.1,EPC9006C

应用笔记或设计指南  -  EPC  - 2017年07月11日 PDF 中文 下载

【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式,你知道么?

EPC场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W,而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。

技术探讨    发布时间 : 2018-02-26

测试报告  -  EPC  - 4/24/2024 PDF 英文 下载

【白皮书】EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管FET电气特性(WP007)

描述- 本文介绍了eGaN FETs的基本电气特性,并与硅MOSFET进行了比较。了解这两种技术的异同,是了解如何改进现有的电力转换系统的必要基础。

白皮书  -  EPC  - 2017年07月12日 PDF 英文 下载

【应用】亚纳秒级的增强型eGaN FET助力实现真正的无线充电

应用于放大器的氮化镓场效应晶体管及集成电路具备卓越性能,成为高度共振式并与AirFuel标准兼容的无线充电系统的理想器件。

新应用    发布时间 : 2019-07-16

测试报告  -  EPC  - 4/24/2024 PDF 英文 下载

【产品】增强型并采用半桥拓扑的氮化镓功率晶体管,能量效率最高可达90%

EPC 公司推出的GaN功率晶体管EPC2100,漏源电压VDS最大值为30V(连续),驱动电压范围-4V~6V,工作温度范围-40℃~150℃,最大工作频率超过10MHz,应用于高频DC-DC电源转换和负载点(POL)转换器等方面。

新产品    发布时间 : 2018-03-16

全球首款替代功率MOSFET器件的EPC硅基增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),效率高达98%

EPC eGaN FET产品具有小尺寸、高开关速度、高频率、高功率密度以及低损耗等突出优势,在性能上比硅材料的功率器件优越很多。世强是EPC的官方授权代理商,可供应EPC氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),价格优惠,库存丰富。可提供EPC氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)选型, EPC氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)数据手册, EPC氮化镓场效应晶体管技术支持等服务资源。

原厂动态    发布时间 : 2018-08-13

测试报告  -  EPC  - 4/24/2024 PDF 英文 下载

【经验】EPC氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的安全工作区域

宜普公司的氮化镓场效应晶体管在整个工作范围内具正温度系数,因此器件在工作时只受电压、电流及温度限制。本文描述与功率氮化镓场效应晶体管的热阻有直接关系的安全工作区域,并展示晶体管具备良好SOA特性之同时可以维持低电阻,以及对从热效应推算得出与测量所得的结果进行比较。

设计经验    发布时间 : 2018-12-01

【白皮书】EPC(宜普)基于氮化镓场效应晶体管的无线电源传输系统(WP014)中文版

描述- 在过去的几年中,无线能量传输的普及在不断增加,特别是针对便携式设备的无线充电应用。本白皮书的焦点是适合在6.78[MHz或13.56[MHz未经许可的 ISM(Industrial Scientific & Medical)频带[2]工作、与A4WP[1]标准兼容并采用松散耦合线圈的高度谐振无线解决方案。

白皮书  -  EPC  - 2017年07月12日 PDF 中文 下载

测试报告  -  EPC  - 5/6/2024 PDF 英文 下载

展开更多

电子商城

查看更多

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥6.0206

现货: 3,142

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge

价格:¥5.6384

现货: 2,417

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge

价格:¥5.9251

现货: 2,357

品牌:EPC

品类:Laser Driver IC

价格:¥11.9457

现货: 2,260

品牌:EPC

品类:Mode GaN Power Transistor

价格:¥7.3586

现货: 2,130

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

价格:¥10.5122

现货: 1,670

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

价格:¥29.4342

现货: 485

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

价格:¥29.9121

现货: 465

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

价格:¥29.2431

现货: 401

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

价格:¥29.6254

现货: 347

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥10.8000

现货:38,661

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥3.7500

现货:20,346

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥4.0080

现货:5,970

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥5.9700

现货:4,749

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥4.2840

现货:4,533

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥2.5500

现货:2,305

品牌:英诺赛科

品类:transistor

价格:¥5.5200

现货:2,270

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

现货:936

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

现货:730

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥4.7460

现货:470

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

PD/QC快充测试

满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

实验室地址: 深圳 提交需求>

低功耗测试

提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts

实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面