【专题】硅MOS的终结者——氮化镓eGaN FET

2017-09-03 世强
氮化镓,eGaN FET,氮化镓场效应晶体管,电力电子功率器件 氮化镓,eGaN FET,氮化镓场效应晶体管,电力电子功率器件 氮化镓,eGaN FET,氮化镓场效应晶体管,电力电子功率器件 氮化镓,eGaN FET,氮化镓场效应晶体管,电力电子功率器件

——元器件历史的一次崭新革命


硅基功率MOSFET曾作为半导体行业的首选功率转换器件,但是随着时代技术的发展,硅技术已经达到了它的性能极限。因此我们需要一种全新的半导体材料--氮化镓eGaN FET。与最优的硅基MOSFET相比,氮化镓晶体管及集成电路的开关速度快很多及体积更小巧。相比先进的硅基器件,当今商用化的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路的性能高出5至50倍。


EPC——基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商

EPC(宜普电源转换公司)是基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商。EPC推出全球首款替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管。GaN器件在速度,损耗,效率等性能上比硅材料的功率器件优越很多。


此外,宜普公司(EPC)正在扩大基于eGaN IC的产品系列,进一步为客户提供节省占板面积、能耗及成本的解决方案。


氮化镓FET技术优势

EPC的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)以更高的开关速度工作,所以转换器可以比硅MOSFET在更高的频率下工作,消耗更少的能源。因此,可以为最终用户实现更高的无线充电性能,更高效率和更快速的电池充电。

eGaNFET技术的整体优势是通过开关速度高使性能更优越,加上其固有的更低开关损耗,因此可以比传统MOSFET技术更节约能源。另外,eGaNFET的较低损耗产生优越的散热性能(以更低温运行而能够节省能源)。

EPC正在开发多项技术来实现多级无线功率传输,如更高压的第五代产品、创新解决方案,并与其他公司合作改善回波系统和控制。

氮化镓場效应晶体管將取代现有MOSFET整体市场的大部分市场。


相关推荐:
【技术】行业领先的创新技术:氮化镓技术 详情>>>

【技术】论氮化镓技术及其产品的发展与应用 详情>>>


主要产品及亮点

✤ 单路eGaN FET:BGA封装,业界尺寸最小
✤ 半桥eGaN FET:低功耗高效率,内含36个PN结,超低的导通电阻(RDS(ON))
✤ 同步启动的双路eGaN FET:高可靠性,800万器件小时应力测试无失效


相关推荐:
【选型】EPC 硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南 详情>>>

【产品】可与AirFuel联盟第四级别规格兼容的无线充电演示套件 详情>>>

【产品】有望取代MOSFET整体市场的氮化镓場效应晶体管 详情>>>

【产品】尺寸减小达15倍!小型氮化镓晶体管实现更低的栅极驱动损耗 详情>>>

【产品】无线电源最佳选择,开关转换速度在亚纳秒范围内的氮化镓晶体管 详情>>>

【产品】比等效MOSFET小型化12倍的200V氮化镓功率晶体管 详情>>>

【产品】可超过85%效率的氮化镓功率晶体管,负载点DC/DC转换的理想元件 详情>>>


主要应用

DC/DC转换器:很多电信/数据通信的应用都使用隔离型DC/DC转换器。在隔离型DC/DC转换器设计,氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的优势包括具备低传导损耗、低开关损耗、低驱动功率及低电感,提高输出功率及效率。

无线充电:无线电源传送要求工作在具更高频率的6.78MHz及13.56MHz ISM频带,在谐振系统中于高频时实现高自由空间(spatial freedom)。在这些高频率下,传统MOSFET技术已经接近它的性能极限。氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)可替代MOSFET器件,由于它的开关转换速度在亚奈米范围内,它具有足够快速开关的优势而成为无线电源传送应用的理想晶体管。

激光雷达(LiDAR):激光雷达(LiDAR)使用镭射脉冲快速形成三维图像或为周围环境制作电子地图。氮化镓场效应晶体管相较MOSFET器件而言,开关速度快十倍,使得LiDAR系统具备优越的解像度及更快速反应时间等优势,由于可实现优越的开关转换,因此可推动更高准确性。这些性能推动全新及更广阔的LiDAR应用领域的出现包括支持电玩应用的侦测实时动作、以手势驱动指令的计算机及自动驾驶汽车等应用。

及电源设备、包络跟踪、射频传送、电机控制、工业控制、马达驱动、功率逆变器、军工、D类音频放大器、汽车电子、电动汽车、充电桩、医疗应用技术等。


相关推荐:
【产品】EPC 面向DC/DC功率转换的eGaN® FET及集成电路介绍 详情>>>

【应用笔记】EPC 面向48V–12V可调节砖式转换器的eGaN FET及集成电路应用笔记( AB007)详情>>>

【应用笔记】EPC 面向48V降压转换器的eGaN FET及集成电路应用笔记(AB009)详情>>>

【应用】从48V到负载电压:通过GaN晶体管提高低压DC-DC转换器性能 详情>>>

【应用及方案】EPC 氮化镓场效应晶体管和IC用于激光雷达的应用简介 详情>>>

【应用及方案】EPC 面向无线电源应用的氮化镓场效应电晶体应用及方案 详情>>>

【应用】亚纳秒级的增强型eGaN FET助力实现真正的无线充电 详情>>>


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 7

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(7

  • 艾蓁飞扬 Lv8 2019-07-14
    学习
  • 用户16857187 Lv5. 技术专家 2017-09-08
    非常好
  • 鄗立恒 Lv8. 研究员 2017-09-08
    学习了
  • 每天学习一点点儿 Lv9. 科学家 2017-09-08
    很好
  • duanmaxie Lv8. 研究员 2017-09-08
    学习了
  • Mini Lv7 2017-09-06
    不错,值得学习!
  • 龙族队长 Lv7. 资深专家 2017-09-05
    挺好的,
没有更多评论了

相关推荐

EPC(宜普)增强型氮化镓功率晶体管技术简介(中文版)

描述- 本文介绍了eGaN® FET技术,一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比,eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势,包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等,并提供了选型指南和设计支持资源。

型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033

2017年07月13日  - EPC  - 应用笔记或设计指南 代理服务 技术支持 采购服务

EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版(AB003)

描述- 本文介绍了eGaN®技术氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在D类音频放大器应用中的优势。eGaN FET具有更低的传播延迟、更快的slew rate和零反向恢复电荷(QRR),从而实现更低的开环失真、总谐波失真和总功耗。文章还提供了eGaN FET在D类音频放大器设计中的推荐器件和参考设计。

型号- EPC2036,EPC9509,EPC9001C,EPC2010C,EPC9003C,EPC2016C,EPC2019,EPC9106,EPC2032,EPC9046,EPC2031,EPC9047,EPC2034,EPC9048,EPC2033,EPC9061,EPC9062,EPC9040,EPC9002C,EGANAMP2016,EPC2103,EPC2001C,EPC2029,EPC2106,EPC2015C,EPC2108,EPC9010C,EPC2107,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC2021,EPC9035,EPC2020,EPC9014,EPC9510,EPC2022,EPC9033,EPC9055,EPC9050,EGANAMP 2.1,EPC9006C

2017年07月11日  - EPC  - 应用笔记或设计指南 代理服务 技术支持 采购服务

【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式,你知道么?

EPC场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W,而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。

2018-02-26 -  技术探讨 代理服务 技术支持 采购服务

【白皮书】EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管FET电气特性(WP007)

描述- 本文介绍了eGaN FETs的基本电气特性,并与硅MOSFET进行了比较。了解这两种技术的异同,是了解如何改进现有的电力转换系统的必要基础。

2017年07月12日  - EPC  - 白皮书 代理服务 技术支持 采购服务

【白皮书】EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管驱动器和布局注意事项(WP008)

描述- eGaN FETs不同于他们的硅同行,因为它们更快的切换速度,因此对栅极驱动,布局和热管理有不同的要求,它们都可以相互作用。

2017年07月12日  - EPC  - 白皮书 代理服务 技术支持 采购服务

氮化镓功率管还只能在实验室用吗?

GaN FET目前已经商业化应用了,推荐EPC的GaN FET,典型应用包括手机无线充电、高功率密度电源适配器。如有需要请查看EPC 硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南,下载地址:https://www.sekorm.com/doc/64054.html

2017-09-06 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

【应用】氮化镓场效应晶体管导通电阻具有正温度系数,助力并联器件设计

EPC的氮化镓RDS(ON)的温度特性均是正温度系数, RDS(ON)随着器件温度的增加而增加,这样并联使用时,管子的RDS(ON)自行调控,从而均衡所有管子的电流和温度的均衡度,提高并联系统的稳定性。

2018-03-02 -  新应用 代理服务 技术支持 采购服务
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:EPC

品类:Enhancement Mode Power Transistor

价格:¥6.0206

现货: 3,122

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge

价格:¥5.6384

现货: 2,417

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge

价格:¥5.9251

现货: 2,357

品牌:EPC

品类:Laser Driver IC

价格:¥11.9457

现货: 2,260

品牌:EPC

品类:Mode GaN Power Transistor

价格:¥7.3586

现货: 2,070

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

价格:¥10.5122

现货: 1,620

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

价格:¥29.4342

现货: 485

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

价格:¥29.9121

现货: 465

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

价格:¥29.2431

现货: 401

品牌:EPC

品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

价格:¥29.6254

现货: 347

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥10.8000

现货:33,661

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥3.7500

现货:17,725

品牌:英诺赛科

品类:GaN FET

价格:¥4.0080

现货:5,920

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥2.7480

现货:4,749

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥9.3000

现货:4,533

品牌:英诺赛科

品类:GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格:¥2.5500

现货:2,305

品牌:英诺赛科

品类:transistor

价格:¥5.5200

现货:2,270

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

现货:936

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥3.5595

现货:730

品牌:英诺赛科

品类:E-Mode GaN FET

价格:¥4.7460

现货:470

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

线圈扼流圈定制

可定制共模扼流圈、DIP功率扼流圈、大电流扼流圈、环形扼流圈/线圈等产品,耐温范围-40℃~125℃,电感量最高1200mH。

最小起订量: 1 提交需求>

笔电热管/高功率热管/平头热管定制

可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm;笔电D8热管打扁厚度1.0mm,可解40W热量;高功率D10热管可解60W热量。

最小起订量: 10000 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面