【专题】硅MOS的终结者——氮化镓eGaN FET
——元器件历史的一次崭新革命
硅基功率MOSFET曾作为半导体行业的首选功率转换器件,但是随着时代技术的发展,硅技术已经达到了它的性能极限。因此我们需要一种全新的半导体材料--氮化镓eGaN FET。与最优的硅基MOSFET相比,氮化镓晶体管及集成电路的开关速度快很多及体积更小巧。相比先进的硅基器件,当今商用化的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路的性能高出5至50倍。
EPC——基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商
EPC(宜普电源转换公司)是基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商。EPC推出全球首款替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管。GaN器件在速度,损耗,效率等性能上比硅材料的功率器件优越很多。
此外,宜普公司(EPC)正在扩大基于eGaN IC的产品系列,进一步为客户提供节省占板面积、能耗及成本的解决方案。
氮化镓FET技术优势
EPC的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)以更高的开关速度工作,所以转换器可以比硅MOSFET在更高的频率下工作,消耗更少的能源。因此,可以为最终用户实现更高的无线充电性能,更高效率和更快速的电池充电。
eGaNFET技术的整体优势是通过开关速度高使性能更优越,加上其固有的更低开关损耗,因此可以比传统MOSFET技术更节约能源。另外,eGaNFET的较低损耗产生优越的散热性能(以更低温运行而能够节省能源)。
EPC正在开发多项技术来实现多级无线功率传输,如更高压的第五代产品、创新解决方案,并与其他公司合作改善回波系统和控制。
氮化镓場效应晶体管將取代现有MOSFET整体市场的大部分市场。
主要产品及亮点
✤ 单路eGaN FET:BGA封装,业界尺寸最小
✤ 半桥eGaN FET:低功耗高效率,内含36个PN结,超低的导通电阻(RDS(ON))
✤ 同步启动的双路eGaN FET:高可靠性,800万器件小时应力测试无失效
相关推荐:
【选型】EPC 硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南 详情>>>【产品】可与AirFuel联盟第四级别规格兼容的无线充电演示套件 详情>>>
【产品】有望取代MOSFET整体市场的氮化镓場效应晶体管 详情>>>
【产品】尺寸减小达15倍!小型氮化镓晶体管实现更低的栅极驱动损耗 详情>>>
【产品】无线电源最佳选择,开关转换速度在亚纳秒范围内的氮化镓晶体管 详情>>>
【产品】比等效MOSFET小型化12倍的200V氮化镓功率晶体管 详情>>>
主要应用
DC/DC转换器:很多电信/数据通信的应用都使用隔离型DC/DC转换器。在隔离型DC/DC转换器设计,氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的优势包括具备低传导损耗、低开关损耗、低驱动功率及低电感,提高输出功率及效率。
无线充电:无线电源传送要求工作在具更高频率的6.78MHz及13.56MHz ISM频带,在谐振系统中于高频时实现高自由空间(spatial freedom)。在这些高频率下,传统MOSFET技术已经接近它的性能极限。氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)可替代MOSFET器件,由于它的开关转换速度在亚奈米范围内,它具有足够快速开关的优势而成为无线电源传送应用的理想晶体管。
激光雷达(LiDAR):激光雷达(LiDAR)使用镭射脉冲快速形成三维图像或为周围环境制作电子地图。氮化镓场效应晶体管相较MOSFET器件而言,开关速度快十倍,使得LiDAR系统具备优越的解像度及更快速反应时间等优势,由于可实现优越的开关转换,因此可推动更高准确性。这些性能推动全新及更广阔的LiDAR应用领域的出现包括支持电玩应用的侦测实时动作、以手势驱动指令的计算机及自动驾驶汽车等应用。
及电源设备、包络跟踪、射频传送、电机控制、工业控制、马达驱动、功率逆变器、军工、D类音频放大器、汽车电子、电动汽车、充电桩、医疗应用技术等。
相关推荐:
【产品】EPC 面向DC/DC功率转换的eGaN® FET及集成电路介绍 详情>>>【应用笔记】EPC 面向48V–12V可调节砖式转换器的eGaN FET及集成电路应用笔记( AB007)详情>>>
【应用笔记】EPC 面向48V降压转换器的eGaN FET及集成电路应用笔记(AB009)详情>>>
【应用】从48V到负载电压:通过GaN晶体管提高低压DC-DC转换器性能 详情>>>
【应用及方案】EPC 氮化镓场效应晶体管和IC用于激光雷达的应用简介 详情>>>
【应用及方案】EPC 面向无线电源应用的氮化镓场效应电晶体应用及方案 详情>>>
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 7
本网站所有内容禁止转载,否则追究法律责任!
评论
全部评论(7)
-
艾蓁飞扬 Lv8 2019-07-14学习
-
用户16857187 Lv5. 技术专家 2017-09-08非常好
-
鄗立恒 Lv8. 研究员 2017-09-08学习了
-
每天学习一点点儿 Lv9. 科学家 2017-09-08很好
-
duanmaxie Lv8. 研究员 2017-09-08学习了
-
Mini Lv7 2017-09-06不错,值得学习!
-
龙族队长 Lv7. 资深专家 2017-09-05挺好的,
相关推荐
EPC(宜普)增强型氮化镓功率晶体管技术简介(中文版)
描述- 本文介绍了eGaN® FET技术,一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比,eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势,包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等,并提供了选型指南和设计支持资源。
型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033
EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版(AB003)
描述- 本文介绍了eGaN®技术氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在D类音频放大器应用中的优势。eGaN FET具有更低的传播延迟、更快的slew rate和零反向恢复电荷(QRR),从而实现更低的开环失真、总谐波失真和总功耗。文章还提供了eGaN FET在D类音频放大器设计中的推荐器件和参考设计。
型号- EPC2036,EPC9509,EPC9001C,EPC2010C,EPC9003C,EPC2016C,EPC2019,EPC9106,EPC2032,EPC9046,EPC2031,EPC9047,EPC2034,EPC9048,EPC2033,EPC9061,EPC9062,EPC9040,EPC9002C,EGANAMP2016,EPC2103,EPC2001C,EPC2029,EPC2106,EPC2015C,EPC2108,EPC9010C,EPC2107,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC2021,EPC9035,EPC2020,EPC9014,EPC9510,EPC2022,EPC9033,EPC9055,EPC9050,EGANAMP 2.1,EPC9006C
【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式,你知道么?
EPC场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W,而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。
【白皮书】EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管FET电气特性(WP007)
描述- 本文介绍了eGaN FETs的基本电气特性,并与硅MOSFET进行了比较。了解这两种技术的异同,是了解如何改进现有的电力转换系统的必要基础。
【白皮书】EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管驱动器和布局注意事项(WP008)
描述- eGaN FETs不同于他们的硅同行,因为它们更快的切换速度,因此对栅极驱动,布局和热管理有不同的要求,它们都可以相互作用。
氮化镓功率管还只能在实验室用吗?
GaN FET目前已经商业化应用了,推荐EPC的GaN FET,典型应用包括手机无线充电、高功率密度电源适配器。如有需要请查看EPC 硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南,下载地址:https://www.sekorm.com/doc/64054.html
【应用】氮化镓场效应晶体管导通电阻具有正温度系数,助力并联器件设计
EPC的氮化镓RDS(ON)的温度特性均是正温度系数, RDS(ON)随着器件温度的增加而增加,这样并联使用时,管子的RDS(ON)自行调控,从而均衡所有管子的电流和温度的均衡度,提高并联系统的稳定性。
电子商城
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥5.6384
现货: 2,417
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥5.9251
现货: 2,357
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥10.5122
现货: 1,620
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.4342
现货: 485
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.9121
现货: 465
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格:¥29.2431
现货: 401
现货市场
服务
可定制共模扼流圈、DIP功率扼流圈、大电流扼流圈、环形扼流圈/线圈等产品,耐温范围-40℃~125℃,电感量最高1200mH。
最小起订量: 1 提交需求>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm;笔电D8热管打扁厚度1.0mm,可解40W热量;高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量: 10000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论