【产品】-20V的P沟道沟槽式MOSFET RMA7P20ED1，可用于负载开关
RMA7P20ED1是丽正国际一款采用DFN1006-3封装的P沟道MOSFET，该器件采用先进的沟道技术，提供优良的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压，适合用作负载开关。
在TA=25oC时，RMA7P20ED1可以承受的漏源电压最大额定值为-20V，栅源电压最大额定值为±8V，漏极连续电流最大额定值为-0.7A（TC=25oC），漏极脉冲电流最大额定值为-2A，最大功率耗散为0.9W，工作结温和储存温度范围为-50~150℃，结到环境热阻最大值为100℃/W。
产品特性
VDS =-20V，ID =-0.7A
RDS(ON) <0.6Ω @ VGS=-2.5V
RDS(ON) <0.42Ω @ VGS=-4.5V
无铅产品
表面贴装封装
无卤素
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