纯国产技术30W~120W氮化镓PD快充,聚能创芯提供GaN功率器件产品和技术解决方案
与Si元器件相比,GaN具有高击穿电场强度、高电子饱和速度与极高的电子迁移率的特点,可大幅提升器件与系统的功率密度、工作频率与能量转换效率,随着5G通信和新能源汽车的迅猛发展,GaN快充技术也随之受到关注。
GaN功率器件产品和技术解决方案供应商聚能创芯推出纯国产技术30W~120W氮化镓PD快充方案,涵盖热门的30W单口,65W三口,100W单口和120W四口,并可根据客户需求定制,其中120W四口PD快充采用PFC+LLC架构,次级同步整流,输出固定电压。多口输出采用二次降压方案,实现接口独立快充和功率智能分配。聚能创芯下设全资的GaN外延公司聚能晶源,与政府合作设立GaN晶圆制造公司聚能国际,产品线还包括GaN功率器件,电压为650V,导阻55~350mΩ,封装PQFN8*8mm,开关速度快,减小无源器件需求,耐高温抗辐照。
11月1日,聚能创芯与世强达成战略合作,授权世强全线代理旗下GaN功率器件和GaN外延片等产品,相关资料已上线平台,搜索即可获取聚能创芯资讯与产品信息,获取免费样品。
聚能创芯(Cohenius)成立于2018年,坐落于青岛国际创新园区,主要从事第三代半导体硅基氮化镓(GaN)的研发、设计、生产和销售,专注于为业界提供高性能、低成本的GaN功率器件产品和技术解决方案。聚能创芯(Cohenius)掌握业界领先的GaN功率器件与应用设计技术,致力于整合业界优势资源,打造GaN器件开发与应用生态系统,为PD快充、智能家电、云计算、5G通讯等提供国产化核心元器件支持。聚能创芯(Cohenius)主营GaN器件设计,下设全资的GaN外延公司——聚能晶源,2021年与政府合作设立GaN
晶圆制造公司——聚能国际。
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氮化镓外延片 6英寸硅基氮化镓 8英寸硅基氮化镓 6英寸碳化硅基氮化镓氮化镓功率器件
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泰高(Tagore)GaN射频器件选型指南
描述- 2021年成立于中国深圳,主要从事为第三代半导体硅基GaN材料技术的集成电路的研发和销售,其芯片设计中心位于美国芝加哥,产品应用中心位于中国深圳与厦门。
型号- TGSP1130AC,TGP A2D20F-EVB-G,TGSP2220AC,TGFE0220D,TGSP11120AC,TGSP1A20BE,TGSP2A20DE,TGLA160AB,TGSP1342CD,TGSP1142BC,TGLA130AB EVB E,TGPA2D40G,TGSP1522AC,TGSP2340AD,TGLA130AB,TGSI1140DE,TGPA2D20F-EVB-A2,TGLA150AB-EVB-A,TGSF1A20EE,TGLA150AB-EVB-B,TGPS04100K,TGLA150AB-EVB-C,TGSP2140AC,TGSP2520DE,TGSP1222BC,TGSP1522DE,TGSB2140AC,TGFE0120S,TGSP1322CD,TGLA130AB EVB-C,SP2T,TGLA130AB EVB-D,TGSB1120AC,TGPS02140K,TGFE0220D EVB-B,TGFE0220D EVB-C,TGFE0220D EVB-A,TGPA2D30G,TGLA150AB,TGSF1220AC,TGLA150AB-EVB-D,TGSP1124AC,TGPA2D40G-EVB-F,TGPA2D40G-EVB-E,TGPA2D40G-EVB-D,TGSB2320AD,TGPS04190K,TGSF2220AC,TGSP1320AD,TGSB1140AC,TGLA130AB-EVB-A,SP4T,TGPA2D40G-EVB-C,TGPA2D40G-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-1,TGPA2D40G-EVB-A,TGLA152CA-EVB-B,TGSF1520EE,TGLA152CA-EVB-A,TGLA152CA-EVB-D,TGLA152CA-EVB-C,TGLA130AB-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-C,TGPA2D20F-EVB-D,TGPA2D20F-EVB-E,TGPA2D20F-EVB-F,TGPA2D20F-EVB-A,TGPA2D20F-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-K,TGSP1520AE,TGPA2D20F-EVB-L,TGPA2D20F-EVB-M,TGLA152CB,TGLA152CA,TGSF2A20EE,TGPA2D20F-EVB-H,TGPA2D20F,TGPA2D20F-EVB-J,TGSP1540CC,TGLA170AB,TGPS14110K,TGSP1140AC,TGPA2D30G-EVB-D,TGPA2D30G-EVB-C,TGPA2D30G-EVB-B,TGPA2D30G-EVB-A,TGLA1 60AB,TGSI1142DE,TGSP1342CD-EVB-K,TGSP1320CD,TGSP2A40DE,TGPA2D30G-EVB-H,TGPA2D30G-EVB-G,TGPA2D30G-EVB-F,TGPA2D30G-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-G,TGPA2D10C-EVB-D,TGPA2D10C-EVB-C,TGPA2D10C-EVB-F,TGPA2D10C-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-B,TGPA2D10C,TGPA2D10C-EVB-A,TGSP1220AC,TGSP2540CD,TGPS02160L,TGLA170AB EVB-A,TGLA170AB EVB-B,TGSF1120AC
纳芯微电子(NOVOSENSE)栅极驱动IC产品选型指南
描述- 栅极驱动芯片(Gate Driver IC)是一种用于控制半导体功率器件(如 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT 等)开关速度和时间的集成电路。
型号- NSI6801,NSI6602M,NSI6601,NSD1015MT-Q1,NSD1026V,NSI6602N,NSI68010,NSI68011,NSG65N15K,NSI6651-Q1,NSI6602V,NSD1015MT,NSI68515,NSD1624-Q1,NSI6770,NSD1624,NSI6801E,NSI66X2V,NSD2017,NSI6602XA-DXXX,NSD1224,NSI6601-Q1,NSI6602V-Q1,NSI6911,NSD1015T,NSI6770-Q1,NSI6611,NSI6911-Q1,NSI6801M,NSI6602VD,NSI6651,NSD1624(XX)-XX,NSI68010-Q1,NSI6601M,NSI6611-Q1,NSD2622N,NSD2012N,NSD10151-Q1,NSI6601(XX)C-DXXX,NSI6601M-Q1,NSI6622V-Q1,NSI66X2,NSD1026V-Q1,NSD2621,NSI6602U-Q1,NSD1015
河南省工信厅组织省半导体行业重点企业代表团到东海半导体参观交流,共同探讨半导体行业功率器件产品经验
2024年9月3日上午9时许,河南省工业和信息化厅组织省半导体行业重点企业代表团到江苏东海半导体股份有限公司参观交流。WXDH ELECTRONICS东海半导体是国内一流的功率器件产品供应商,专注于先进功率器件的研发设计、封装制造和应用研究,为客户提供IGBT单管/模块、中低压MOS、高压MOS、FRD、SiC Diode/MOS/模块、GaN、IPM等全面功率器件产品解决方案。
产品 发布时间 : 2024-09-15
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服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
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