【产品】漏源电压高达60V的N沟道增强型功率场效应管RC6525Q，导通电阻低至12mΩ，适合高效率的开关应用
正芯推出的RC6525Q，N沟道增强型功率场效应晶体管均采用沟槽DMOS工艺。这种经过特别定制先进的技术，可以最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。在Tc=25℃时，绝对最大额定值方面，该器件的VDS=60V，连续漏极电流ID高达42A，该器件非常适合高效率的快速开关应用。
特点
60V,42A, RDS(ON) =12mΩ@VGS=10V
改进的dv/dt能力
快速开关
100%EAS保证
绿色环保器件
应用
电机驱动
电动工具
LED照明
绝对最大额定值（Tc=25℃除非另有说明）
热特性
电气特性（TJ=25℃除非另有说明）
关断特性
导通特性
动态和开关特性
漏源二极管特性和最大额定值
1.重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制。
2.VDD=25V，VGS=10V，L=0.1mH，IAS=35A.，RG=25Ω,起始温度TJ=25℃。
3.脉冲测试数据，脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。
4.基本上与工作温度无关。
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