【产品】漏源电压高达60V的N沟道增强型功率场效应管RC6525Q，导通电阻低至12mΩ，适合高效率的开关应用

时间： 2023-06-20 来源：正芯

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正芯推出的RC6525Q，N沟道增强型功率场效应晶体管均采用沟槽DMOS工艺。这种经过特别定制先进的技术，可以最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。在Tc=25℃时，绝对最大额定值方面，该器件的VDS=60V，连续漏极电流ID高达42A，该器件非常适合高效率的快速开关应用。

特点

60V,42A, RDS(ON) =12mΩ@VGS=10V

改进的dv/dt能力

快速开关

100%EAS保证

绿色环保器件

应用

电机驱动

电动工具

LED照明

绝对最大额定值（Tc=25℃除非另有说明）

热特性

电气特性（T_J=25℃除非另有说明）

关断特性

导通特性

动态和开关特性

漏源二极管特性和最大额定值

1.重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制。

2.V_DD=25V，V_GS=10V，L=0.1mH，I_AS=35A.，R_G=25Ω,起始温度T_J=25℃。

3.脉冲测试数据，脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。

4.基本上与工作温度无关。

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产品型号	品类	Polarity	V(BR)DSS(V)	Id(A)	Pd(W)	VGS(V)	IDM(A)	Typ RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V	Max RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
RC2312	MOSFET	N	20V	7A	0.35W	±8.0V	20A	15mΩ	25mΩ