【产品】ROHM NPN型数字晶体管DTC114TE3HZG，存储温度范围为-55℃至+150℃
ROHM推出的NPN型数字晶体管（偏置电阻内置晶体管）DTC114TE3HZG，该产品内置偏置电阻R1=10kΩ，符合AEC-Q101标准。Ta=25°C条件下，该产品的集电极-基极电压、集电极-发射极电压最大值均为50V，集电极电流最大值为100mA，耗散功率最大值为150mW（每个端子安装在参考地上），结温高达150℃，存储温度范围为-55℃至+150℃。其互补PNP类型为DTA114TE3HZG，适用于逆变器，接口，驱动器领域。
图1 产品外形
图2 内部电路
特点：
1) 内置偏置电阻，R1=10kΩ
2) 内置偏置电阻可以在不连接外部输入电阻的情况下配置逆变器电路（见内部电路）
3) 只需要设置开/关条件即可操作，使电路设计简单
4) 互补PNP类型：DTA114TE3HZG
应用：
• 逆变器，接口，驱动器
包装规格
绝对最大额定值 (Ta=25°C)
电气特性（Ta=25°C）
*1 每个端子安装在参考地上
*2 内置晶体管特性
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