【产品】采用平面芯片结构的平面齐纳二极管BW-D3AxxxT1G-2系列,耗散功率200mW

2022-03-29 槟城电子
齐纳二极管,BW-D3AxxxT1G-2,BW-D3A5V1T1G-2,BW-D3A5V6T1G-2 齐纳二极管,BW-D3AxxxT1G-2,BW-D3A5V1T1G-2,BW-D3A5V6T1G-2 齐纳二极管,BW-D3AxxxT1G-2,BW-D3A5V1T1G-2,BW-D3A5V6T1G-2 齐纳二极管,BW-D3AxxxT1G-2,BW-D3A5V1T1G-2,BW-D3A5V6T1G-2

槟城电子推出的平面齐纳二极管BW-D3AxxxT1G-2系列采用SOD-323塑料封装,其支持的齐纳电压标称值范围为5.1V~20V,额定正向电压值为0.9V(IF=10mA),耗散功率为200mW,存储温度范围为-55℃~+150℃,提供无铅版本,可用于手机、平板电脑和其他便携式设备。

产品特点

• 平面芯片结构

• 一般用途,中等电流

• 非常适合自动化装配工艺

• 可提供无铅版本

• 公差约:±2%

 

产品应用

• 手机

• 平板电脑

• 便携式设备

 

最大额定值(Ta=25℃,除非另外说明)

 

产品参数和电气规格

 

产品命名规则

技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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