【经验】一文解析MOS管的源极和漏极的区别
源极简称场效应管，T仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。漏极利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动，或驱动比芯片电源电压高的负载。本文SLKOR将介绍MOS管的源极和漏极的区别。
原理不同
1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区（用P+表示），就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极。
2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。
源极结构原理
在一块P型半导体的两边各扩散一个高杂质浓度的N+区，就可以制成一个P沟道的结型场效应管。上图给出了这种管子的结构示意图和它在电路中的代表符号。由结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向，可以确认沟道的类型。
漏极结构原理
一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
图 1
MOS管栅极、源极、漏极的由来
gate相当于一个门（开关）VG大于VT管子导通，源就是电子来源的地方，漏就是电子消失（漏掉）的地方。
MOS管的源极和漏极有什么区别？
通道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是ntype，那么通道也会是ntype
动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息那为什么电荷保?
动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能绝对等于0，所以电荷保存的时间有限场效应管漏极，源极，栅极的作用?
场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。
场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.to-3p这种直插式的封装，有字的一面朝向自己，引脚向下，这样从左到右依次是 g、c、e。其中，g就是栅极，c是集电极，相当于d漏极，e是发射极，相当于s源极。
图 2
MOS的源极和漏极有什么区别？
1、区别：源极(source)资源，电源，中文翻译为源极。起集电作用的电极。漏极(drain)排出，泄漏，中文翻译为漏极。起发射作用的电极。
2、mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。MOS管的定义：场效应管的结构是在一块n型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的p型区域，用p+表示，形成两个p+n结。n型半导体的两端引出两个电极，分别称为漏极d和源极s。 把两边的p区引出电极并连在一起称为栅极g。如果在漏、源极间加上正向电压，n区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极s出发， 流向漏极d。电流方向由d指向s，称为漏极电流id.。由于导电沟道是n型的，故称为n沟道结型场效应管。
场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。
但是有的绝缘栅场效应管在制造产品时已把源极和衬底连接在一起了，所以这种管子的源极和漏极就不能互换。有的管子则将衬底单独引出一个管脚，形成四个管脚。一般情况p衬底接低电位，n衬底接高电位。MS在半导体材料的层面上没有本质区别,当时在半导体器件设计时, 一般将衬底极与源极相连,所以MOSFET的开关性能与V_{GS}相关,只要V_{GS}超过阈值,就导通/截止(取决于耗尽型还是增强型)所以本质上S,D是由半导体器件制造时内部连接方式决定的，所以反接会导致短路。
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