【产品】正芯推出的N沟道增强型功率MOSFET RC2304A，栅极电荷低，用于负载开关等领域
正芯推出的N沟道增强型功率MOSFET RC2304A使用先进的沟道技术，提供优秀的RDS(ON)以及低栅极电荷。该产品适合用于负载开关或PWM应用。
总体特征：
VDS=30V，ID=3.6A
RDS(ON)<60mΩ@VGS=4.5V
RDS(ON)<40mΩ@VGS=10V
高功率和电流处理能力
无铅产品
表面贴装封装
应用：
蓄电池保护
负载开关
电源管理
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
热特性
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。
2.表面安装在FR4板上，t≤10秒。
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。
4.由设计保证，而非产品实测。
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正芯MOSFET选型表
正芯提供以下技术参数的MOSFET选型，包含：N沟道MOSFET、P沟道MOSFET、N+P沟道MOSFET。Vdss（耐受的最大电压）：-100V~650V，Id（能通过的电流）：-100A~165A，Pd（承受最大功率）：0.01W~195W，Rds（导通电阻）：0.65mΩ~1350mΩ等
|
产品型号
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品类
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Polarity
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V(BR)DSS(V)
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Id(A)
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Pd(W)
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VGS(V)
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IDM(A)
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Typ RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
|
Max RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
|
|
RC2312
|
MOSFET
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N
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20V
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7A
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0.35W
|
±8.0V
|
20A
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15mΩ
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25mΩ
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选型表 - 正芯 立即选型
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型号- AM50N06,AM50N06PJ8R,AM50N06PJ8VR
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