【产品】N沟道功率MOSFET AP150N03G，具有低总栅极电荷，低反向传输电容，快速开关速度等特点
AP150N03G是铨力半导体推出的N沟道功率MOSFET，具有低总栅极电荷，低反向传输电容，快速开关速度等特点，TC=25℃时，该器件漏源电压最大额定值为30V，栅源电压最大额定值为±20V，连续漏极电流高达150A，宽工作和存储温度范围：-55到+175℃，可应用于负载开关，PWM应用等电路场景。
特点
30V，150A
RDS（ON）=2.4mΩ（Typ.）@VGS=10V
RDS（ON）=4.5mΩ（Typ.）@VGS=4.5V
低总栅极电荷
低反向传输电容
改进的dv/dt能力
快速开关速度
应用
负载开关
PWM应用
绝对最大额定值（TC=25℃，除非另有说明）
电气特性（TC=25℃，除非另有说明）
Notes:
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温度限制
2.VDD=30V，RG=25Ω，L=0.3mH，起始温度TJ=25℃
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤1%
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