【产品】N沟道功率MOSFET AP150N03G，具有低总栅极电荷，低反向传输电容，快速开关速度等特点
AP150N03G是铨力半导体推出的N沟道功率MOSFET，具有低总栅极电荷，低反向传输电容，快速开关速度等特点，TC=25℃时，该器件漏源电压最大额定值为30V，栅源电压最大额定值为±20V，连续漏极电流高达150A，宽工作和存储温度范围：-55到+175℃，可应用于负载开关，PWM应用等电路场景。
特点
30V，150A
RDS（ON）=2.4mΩ（Typ.）@VGS=10V
RDS（ON）=4.5mΩ（Typ.）@VGS=4.5V
低总栅极电荷
低反向传输电容
改进的dv/dt能力
快速开关速度
应用
负载开关
PWM应用
绝对最大额定值（TC=25℃，除非另有说明）
电气特性（TC=25℃，除非另有说明）
Notes:
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温度限制
2.VDD=30V，RG=25Ω，L=0.3mH，起始温度TJ=25℃
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤1%
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由浩哥的小锤锤翻译自铨力半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】适合负载开关应用的N沟道功率MOSFET AP1606系列，沟槽处理技术设计实现低导通电阻
铨力半导体旗下的AP1606系列N沟道功率MOSFET，采用沟槽处理技术设计，实现尽可能低的导通电阻，它的静态漏源导通电阻RDS(ON)典型值为210mΩ（VGS=2.5V，ID=0.5A）。这款器件具有开关速度快、传输效率高、无铅、符合RoHS标准等特性。
产品 发布时间 : 2022-01-07
【产品】AP6009S型N沟道功率MOSFET，采用先进沟槽技术，静态漏源导通电阻小于18mΩ
AP6009S是铨力半导体推出的采用先进沟槽技术设计的的N沟道功率MOSFET，采用超低导通电阻的高密度单元设计，静态漏源导通电阻RDS(ON)小于18mΩ@VGS=10V（典型值为14 mΩ），低导通电阻有效地降低了开关损耗，应用范围广泛。
产品 发布时间 : 2021-12-17
【产品】国产双N沟道功率MOSFET RUH30D18H，适用于电源管理、开关应用和负载开关等
锐骏半导体RUH30D18H是一款双N沟道功率MOSFET，漏源电压为30V，持续漏极电流为18A（Ta=25℃，VGS=10V）。具有低导通电阻和开关速度快等特性，可应用于电源管理、开关应用和负载开关等。
产品 发布时间 : 2022-04-03
【产品】20V/7A的N沟道增强型场效应晶体管YJS8205B，可用于PWM应用和负载开关
扬杰科技推出的SOT-23-6L封装的N沟道增强型场效应晶体管YJS8205B，采用沟槽栅低压功率MOSFET技术，具有高功率和大电流载流能力。该器件的结温和存储温度范围均为-55~+150℃，可以在严苛的温度环境下工作。非常适用于PWM应用和负载开关。
新产品 发布时间 : 2021-02-01
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论