【产品】强茂20V/-1.5A无铅P沟道增强型MOSFET PJA3431-AU ,ESD保护2KV HBM
PANJIT(强茂)公司推出的P沟道增强型MOSFET PJA3431-AU,采用SOT-23封装,在TA=25℃条件下,漏源最大电压-20V,漏极直流电流最大-1.5A,在ESD保护方面,HBM保护2KV,专为开关负载、PWM应用等而设计,产品无铅符合欧盟RoHS 2.0标准以及AEC-Q101标准。
产品外型
特点
RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-1.5A<325mΩ
RDS(ON), VGS@-2.5V, ID@-1.2A<420mΩ
RDS(ON), VGS@-1.8V, ID@-0.3A<600mΩ
先进的沟槽工艺技术
专为开关负载、PWM应用等而设计
ESD 保护 2KV HBM
符合AEC-Q101标准
无铅符合欧盟RoHS 2.0标准
符合IEC 61249标准的绿色模塑料
机械参数
外壳封装:SOT-23 封装
端子:可焊性符合MIL-STD-750标准(方法2026)
大约重量:0.0003 盎司,0.0084 克
最大额定值和热特性(TA=25℃除非另有说明)
电气特性(TA=25℃除非另有说明)
Note:
1,脉宽≤300μs,占空比≤2%。
2,基本独立于工作温度的典型特性。
3,RΘJA 是结-壳和壳-环境热阻之和,其中壳热参考定义为安装在1英寸FR-4上的漏极引脚的焊料(翻译为:焊接)安装表面,具有2oz铜厚的方形焊盘。
4,最大额定电流受封装限制。
5,由设计保证,未经生产测试。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由你罗滴号翻译自PANJIT,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
【产品】漏源电压为-60V的P沟道增强型MOSFET PJQ1905,连续漏极电流为-500mA
强茂(PANJIT)推出一款采用DFN 3L封装的P沟道增强型MOSFET—PJQ1905,在TA=25℃的条件下,其漏源电压为-60V,连续漏极电流为-500mA,采用先进的沟槽工艺技术,专为开关负载、PWM应用等设计。
【产品】-30V/-60A无铅P沟道增强型MOSFET AP90P03Q,具有出色的Cdv/dt效应衰减
铨力半导体推出一款采用PDFN3X3-8L封装的P沟道增强型MOSFET——AP90P03Q,采用先进的沟槽技术,具有出色的Cdv/dt效应衰减和低栅极电荷特性,无铅产品,适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
【产品】采用先进沟槽技术的P沟道增强型MOSFET AP30P06K,具有出色漏源导通电阻和低栅极电荷特性
铨力半导体推出一款采用TO-252封装的P沟道增强型MOSFET——AP30P06K,采用先进的沟槽技术,具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性,无铅产品,适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
强茂(PANJIT)MOSFET选型表
提供强茂电子低压MOSFET/中压MOSFET/小信号MOSFET等产品,覆盖漏源电压20V/30V/40V ,N沟道低压MOSFET,-20V/-30V/-40V P沟道低压MOSFET ,-60至100V中压MOSFET/小信号MOSFET ,包括Single/Dual/Comple等,涵盖SOT、DFN、TO等主流贴片与插件封装。
产品型号
|
品类
|
封装
|
Polarity
|
Config.
|
VDS(V)
|
VGS(V)
|
ID(A)
|
RDS(on) Max.(mΩ)2.5V
|
RDS(on) Max.(mΩ)4.5V
|
RDS(on) Max.(mΩ)10V
|
Ciss Typ.(pF)
|
VGS(th) Max.(V)
|
Qg Typ.(nC)10V
|
PJA3403_R1_00001
|
低压MOS
|
SOT-23
|
P
|
Single
|
-30V
|
12V
|
-3.1A
|
165mΩ
|
114mΩ
|
98mΩ
|
443pF
|
-1.3V
|
11nc
|
选型表 - PANJIT 立即选型
【产品】-40V/-3.1A SOT-23封装P沟道增强型MOSFET PJA3441-AU
PANJIT(强茂)推出的PJA3441-AU 为P沟道增强型MOSFET。采用SOT-23封装,其中漏-源电压最大额定值为-40V,连续漏极电流最大额定值为-3.1A。
PJA3449 40V P沟道增强型MOSFET
描述- PJA3449是一款40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET,具有低导通电阻、适用于开关负载和PWM应用等特点。该产品采用先进的沟槽工艺技术,符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令,并采用环保型注塑化合物。
型号- PJA3449
AP100P04K-Au P沟道增强型MOSFET
描述- 本资料介绍了AP100P04K-AU型号的P沟道增强型MOSFET。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力等特点,适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域。
型号- AP100P04K-AU
PJA3411 20V P沟道增强型MOSFET
描述- PJA3411是一款20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET,具有低导通电阻、适用于开关负载和PWM应用等特点。该产品采用先进的沟槽工艺技术,符合欧盟RoHS2.0指令,并采用无卤素绿色注塑化合物。
型号- PJA3411
PJA3405 30V P沟道增强型MOSFET
描述- PJA3405是一款30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET,具有低导通电阻、高电流承载能力等特点,适用于开关负载、PWM应用等。产品采用先进的沟槽工艺技术,符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令,采用环保型注塑化合物。
型号- PJA3405
强茂(PANJIT)Low Voltage MOSFET选型表
强茂(PANJIT)提供以下参数选型:VDS(V):-40~40,VGS(±V):8-20,ID(A):-100~136,RDS(on) Max. (Ω)(10V):1.6~160等。强茂开发一系列不同封装的低压MOSFET产品,适用于笔记型电脑,平板电脑,主机板等3C产品均会使用到此类型产品;采沟槽式(Trench)结构与封装技术相结合实现低导通电阻提升产品性能。
产品型号
|
品类
|
Package
|
Product Status
|
Replacement Part
|
AEC-Q101 Qualified
|
ESD
|
Polarity
|
Config.
|
VDS(V)
|
VGS(±V)
|
ID(A)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
|
Ciss Typ.(pF)
|
VGS(th) Max.(V)
|
Qg Typ. (nC)(10V)
|
Qg Typ. (nC)(4.5V)
|
PJQ5542V-AU
|
Low Voltage MOSFET
|
DFN5060-8L
|
New Product
|
-
|
AEC-Q101 Qualified
|
-
|
N
|
Single
|
40
|
20
|
136
|
3
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
3050
|
3.5
|
43
|
-
|
选型表 - PANJIT 立即选型
PJA3415AE 20V P沟道增强型MOSFET–ESD保护
描述- 本资料介绍了PPJA3415AE型20V P-Channel增强模式MOSFET的特性。该器件采用先进的沟槽工艺技术,专为开关负载和PWM应用设计,具有ESD保护功能,符合欧盟RoHS 2.0标准。
型号- PJA3415AE_R1_00001,PJA3415AE,PJA3415AE_R2_00001
PJV1717 20V P沟道增强型MOSFET
描述- 本资料介绍了PJV1717型号的20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET。该器件采用先进的沟槽工艺技术,具有ESD保护功能,专为开关负载、PWM应用等设计。符合欧盟RoHS 2.0无铅标准,并使用IEC 61249标准的绿色模具化合物。
型号- PJV1717,PJV1717_R1_00301
【产品】SOT-23 6L封装的互补增强型MOSFET PJS6601-AU
PANJIT(强茂)推出的PJS6601-AU是一款采用SOT-23 6L封装的互补增强型MOSFET。其中N沟道与P沟道的漏-源电压最大额定值分别为20V和-20V,同时连续漏极电流最大额定值分别为4.1A和-3.1A。
PJA3415 20V P沟道增强型MOSFET
描述- PJA3415是一款20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET,具有低导通电阻和适用于开关负载、PWM应用等特点。该产品采用先进的沟槽工艺技术,符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令,并采用环保型注塑化合物。
型号- PJA3415
【产品】DFN3333-8L封装的-60V/-16A P沟道增强型MOSFET PJQ4465AP
PANJIT(强茂)推出了DFN3333-8L封装的PJQ4465AP(-60V/-16A)P沟道增强型MOSFET。符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准,绿色环保塑封,符合IEC 61249标准。
电子商城
品牌:PANJIT
品类:ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥0.0900
现货: 16,490
品牌:PANJIT
品类:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥0.1090
现货: 6,465
品牌:PANJIT
品类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥0.1670
现货: 6,329
品牌:PANJIT
品类:P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥0.1930
现货: 6,020
品牌:PANJIT
品类:Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥0.3210
现货: 5,965
品牌:PANJIT
品类:Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet
价格:¥0.6648
现货: 5,000
品牌:PANJIT
品类:P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥0.9306
现货: 4,900
品牌:PANJIT
品类:ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥0.1170
现货: 4,050
品牌:PANJIT
品类:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格:¥0.3258
现货: 3,574
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制内充多极外充多极,平面多极和内外螺旋型各类充磁产品,多级充磁最多可做256极,通过环氧树脂加入稀土,模具压制支持多尺寸定制,
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论