【产品】180mW低功耗的快速CMOS异步SRAM，地址访问时间仅10ns

时间： 2017-09-06 来源：Alliance（世强编辑整理）

技术问答

全球工业SRAM第一供应商ALLIANCE Memory推出的3.3V高性能CMOS 32Kx8bits异步静态随机存储器（SRAM：Static Random-Access Memory）AS7C3256A，具有功耗低，存取速度快等的特点。在CMOS待机等待模式下，器件耗电量仅仅7.2mW。而且正常工作状态下，利用在CPU空闲，悬停和扩展模式时芯片的节能技术使得其相比于其它芯片可减少75%的耗电量。芯片的地址访问时间最快10ns，数据输出使能访问时间最快5ns。芯片还支持多片扩展，输入输出兼容TTL电平。AS7C3256A静态随机存储器适用于需要在低电压下进行高速数据存取的设备，例如Pentium TM， PowerPC TM，和便携式计算等。Alliance先进的电路设计与处理技术使得芯片可以在3.3V电压下正常工作而不会损失性能。

AS7C3256A的写操作：将芯片使能端和写使能端置低，I/O0-I/O7的数据将在写使能端或芯片使能端的上升沿被写入。为避免总线竞争，如果扩展多个芯片，需要在其它芯片无效状态下进行写操作。

AS7C3256A的读操作：将芯片使能端和输出使能端电平置低，写使能端置高。芯片的I/O输出相应的输入地址的数据。当芯片使能端或输出使能端电平为高或写使能端为低时，输出将是高阻态。

AS7C3256A系列有SOJ和TSOP 1两种小封装，两种封装都有28个引脚。可承受温度分工业级和商业级两种可供选择。另外地址访问时间有10/12/15/20ns。用户可以根据自己产品的不同需求可以进行相应的选型。具体选型如图1所示：

图1：AS7C3256A选型

AS7C3256A系列静态异步随机存储器的特点：

• 功耗低，存取时间10ns时最大功耗180mW，待机等待模式下的CMOS I/O电平标准下最大功耗仅7.2mW

• 兼容TTL电平，三态I/O

• 300mil的SOJ和8x13.4mm的TSOP1两种封装可选

• 高速

--10/12/15/20ns地址存取时间

--5，6，7，8ns输出使能存取时间

• 静电防护≥2000V，闩锁电流≥200mA

• 容易扩展

• 工业级和商业级别温度范围可选

AS7C3256A系列静态异步随机存储器的应用：

• 便携式计算设备

• 奔腾系列处理器的外接SRAM

• PowerPC架构处理器SRAM

技术顾问：9477

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全部评论（2）

bios Lv5 2018-11-14

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用户18396822 Lv8 2018-01-28

学习了

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