【产品】采用TO-220F封装的N沟道功率MOSFET，可用于高频开关电源和有源功率因数校正
深圳市萨科微半导体有限公司推出一款采用TO-220F封装的N沟道功率MOSFET SL4N65F，具有低栅极电荷、低反向传输电容、100%雪崩测试、快速开关和改进的dv/dt能力的特性，可用于高频开关电源和有源功率因数校正。
产品外观和示意图
特点：
4A，650V，RDS(on)(Typ)=2.2Ω@VGS=10V
低栅极电荷
低反向传输电容
100%雪崩测试
快速开关
改进的dv/dt能力
应用：
高频开关电源
有源功率因数校正
最大额定值参数（TC=25℃，除非另有说明）：
电气特性（TC=25℃，除非另有说明）：
热特性：
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