【产品】漏源电压绝对最大额定值为20V的N沟道高级功率MOSFET RU20D12H，采用超高密度单元设计
锐骏半导体推出一款采用SOP-8封装的N沟道高级功率MOSFET RU20D12H，该器件具有坚固可靠、无铅、绿色环保并符合RoHS标准等特点，适合用于电源管理。
特点
20V/12A
RDS (ON) =26mΩ(典型值)@VGS=4.5V
RDS (ON) =38mΩ(典型值)@VGS=2.5V
超低漏源导通电阻
超高密度单元设计
可靠且坚固耐用
器件无铅、绿色环保（符合RoHS标准）
应用
电源管理
绝对最大额定值参数
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）
Note：
①脉冲宽度受安全工作区限制
②根据最大允许结温计算出的持续电流
③贴装在1英寸方形铜板时，t≤10s。任何特定应用数值取决于用户特定的电路板设计
④受限于TJmax，TJ=25℃开始
⑤脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
⑥由设计保证，无需进行生产测试
订购和标记信息
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Ann vera翻译自锐骏半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】20V/6A双N沟道高级功率MOSFET RU8205G，具有超高密度单元设计，适用于电源管理
锐骏半导体推出的双N沟道高级功率MOSFET RU8205G，其漏源电压20V，漏极持续电流6A，最大结温150℃。该产品还具有超高密度单元设计、可靠坚固、无铅环保等特点，适用于电源管理。
【产品】40V/120A N沟道高级功率MOSFET RU40120M，采用超高密度单元设计
锐骏半导体推出采用PDFN5060封装的N沟道高级功率MOSFET RU40120M，漏源电压VDS为40V，TC=25℃ 时漏极连续电流ID为120A（VGS=10V）。
【产品】30V/20A N沟道高级功率MOSFET RU30D20H，适用于开关应用系统
锐骏半导体推出N沟道高级功率MOSFET—RU30D20H，漏源电压30V，漏极电流20A，工作范围-55~150℃，低栅极电荷，经过100%雪崩测试，无铅器件，符合RoHS要求，适用于开关应用系统。
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论