【产品】漏源电压绝对最大额定值为20V的N沟道高级功率MOSFET RU20D12H，采用超高密度单元设计
锐骏半导体推出一款采用SOP-8封装的N沟道高级功率MOSFET RU20D12H，该器件具有坚固可靠、无铅、绿色环保并符合RoHS标准等特点，适合用于电源管理。
特点
20V/12A
RDS (ON) =26mΩ(典型值)@VGS=4.5V
RDS (ON) =38mΩ(典型值)@VGS=2.5V
超低漏源导通电阻
超高密度单元设计
可靠且坚固耐用
器件无铅、绿色环保（符合RoHS标准）
应用
电源管理
绝对最大额定值参数
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）
Note：
①脉冲宽度受安全工作区限制
②根据最大允许结温计算出的持续电流
③贴装在1英寸方形铜板时，t≤10s。任何特定应用数值取决于用户特定的电路板设计
④受限于TJmax，TJ=25℃开始
⑤脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
⑥由设计保证，无需进行生产测试
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本文由Ann vera翻译自锐骏半导体，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
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