【产品】峰值正向浪涌电流可达125A的CUDD8-XX表面贴装硅超快恢复整流器，适用于超快速开关
世界顶级分立半导体制造商Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)公司推出三款超快恢复整流器——CUDD8-02，CUDD8-04和CUDD8-08，均采用D2PAK封装，实物如图1所示，专为需要低正向压降的表面贴装超快速开关应用而设计。它们具有高反向耐压能力、高正向浪涌电流能力以及反向恢复时间短等特点。
CUDD8-02、CUDD8-04、CUDD8-08表面贴装硅超快恢复整流器具有较高的反向耐压能力，其峰值反向重复电压最大额定值分别为200V、400V和800V，RMS反向电压VR（RMS）最大额定值分别为140V、280V和560V。此外，它们还具有高达125A的抗浪涌冲击能力，可保证器件在大电流冲击下不会轻易损坏，从而保证系统运行的稳定性和可靠性。CUDD8-02、CUDD8-04、CUDD8-08表面贴装硅超快恢复整流器的工作温度和存储温度范围为为-65 °C至+150°C，操作结温最高额定值为150℃，能够适应较为恶劣的工业环境，满足大部分应用对于环境温度的需求，保证器件稳定性。结壳热阻ΘJC为3.0°C/W，结电容为60pF。
CUDD8-02、CUDD8-04、CUDD8-08表面贴装硅超快恢复整流器的反向恢复时间较短，反向恢复时间trr分别为25ns、25ns和50ns。它们的平均正向电流IO在TC=100°C为8.0A，反向漏电流IR在VR=VRRM时，最大值分别为5.0μA、10μA和10μA，漏电流所造成的危害较小，从而能够较好地保护芯片不受损坏。正向电压在工作温度为25°C，反向电流IF=8.0A时最大值分别为0.975V、1.3V和1.5V，具有低正向压降特性。
图1 CUDD8-02、CUDD8-04、CUDD8-08表面贴装硅超快恢复整流器产品示意图
图2 CUDD8-02、CUDD8-04、CUDD8-08表面贴装硅超快恢复整流器机械轮廓及尺寸图
图3 CUDD8-02、CUDD8-04、CUDD8-08表面贴装硅超快恢复整流器引脚配置图（1阳极，2阴极，3阳极，4阴极）
CUDD8-02、CUDD8-04、CUDD8-08表面贴装硅超快恢复整流器的产品特性：
•高反向峰值重复电压:VRRM为200/400/800V
•高抗浪涌电流能力:tp=8.3ms时IFSM为125A
•高可靠性：操作和存储结温TJ，Tstg为-65至+150°C
•阻燃性等级UL94V-O
•超快恢复时间：trr为25/25/50ns
•结电容为60pF
•低正向压降：IF=8.0A时最大值为0.975/1.3/1.5V
•优异的批次间一致性
CUDD8-02、CUDD8-04、CUDD8-08表面贴装硅超快恢复整流器的市场应用：
•超快速开关
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