【选型】EPC推出面向48V总线系统的氮化镓器件，有助于提高效率、缩小尺寸并降低成本

【选型】工业激光雷达用氮化镓器件推荐EPC单路增强型氮化镓场效应管EPC2016C，脉冲电流高达75A

工业激光雷达项目需要找一款100V的氮化镓器件，脉冲电流70A以上，内阻小，交期好。推荐EPC单路增强型氮化镓场效应管EPC2016C，脉冲电流高达75A，导通内阻不高于16mΩ，栅极电荷低，可驱动激光二极管发出高功率、纳秒级别的脉冲。

【选型】EPC提供适用于医疗用无线电源的系列氮化镓器件，占用空间，满足高功率需求

在医疗应用中，无线电源适用在关键设备无线充电、病人护理、健康和健身追踪器等各方面。氮化镓器件特别适用于无线电源应用，因为它们能够在高频下工作、提供高功率，而且占用空间小、尺寸小。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

【经验】EPC推出的用于氮化镓器件的LGA和BGA封装寄生电感低、尺寸小和热性能出色，应用时需考虑相关制造和设计事项

LGA和BGA封装提供了充分利用eGaN技术能力所必需的低寄生电感、小尺寸和出色的热性能。通过适当的制造技术，使用eGaN器件的组件将具有高产量和长而可靠的工作寿命。本文EPC将就LGA和BGA器件封装、正确的焊点大小和回流曲线等展开叙述，这些都是关键的设计考量因素。

【技术】为什么选择氮化镓替代硅基MOSFET？

EPC公司的氮化镓晶体管及集成电路的制造工艺跟硅基功率MOSFET的工艺相似，制造氮化镓器件的工艺步骤更少，以及在每次制造工艺中产出更多器件。与最优的硅基MOSFET相比，氮化镓晶体管及集成电路的开关速度快很多及体积更小巧。氮化镓晶体管（特别是eGaN FET）跟日益老化的功率MOSFET器件的行为非常相似，功率系统工程师可利用他们拥有的设计经验便可以发挥氮化镓器件的优势。

【IC】EPC推出EPC9193三相BLDC电机驱动逆变器，氮化镓器件让您实现更具成本效益的电动自行车、无人机和机器人

基于氮化镓器件的逆变器参考设计(EPC9193)让您实现具有更高性能的电机系统，其续航里程更长、精度更高、扭矩更大，而且同时降低了系统的总成本。

氮化镓如何驱动机器人的运动、感官、大脑（三）——氮化镓器件在人工智能系统中的重要作用

本文作者为EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow，为“氮化镓驱动人形机器人”系列文章的第三篇，讲述氮化镓器件在人工智能系统中的重要作用，展示了人工智能浪潮如何为人形机器人带来新机遇。

【经验】发挥氮化镓器件设计的最高性能的关键技术：栅极驱动器、PCB布局与设计、散热和EMI

本文中EPC分享了关键的设计技术，从而发挥基于氮化镓器件的设计的最高性能。讨论了要注意栅极驱动器的要求，详细介绍了被证实为最佳的布局技术，可减少过冲和提高效率，重点介绍了关键的PCB设计技术，接着展示了一种简单且不昂贵的散热系统，最后证明了通过采用简单的布局技术并利用eGaN器件固有的性能优势，尽管eGaN器件的开关速度更快速，它的EMI比MOSFET器件更低。

氮化镓器件逐步替代旧有硅基MOSFET，性能极限高出6000倍

氮化镓（GaN）的问世和应用地逐渐淘汰了目前使用的硅基材料。随着硅材料的MOSFET接近其理论极限，已很难继续改进。同时氮化镓在朝向理论性能边界稳步发展，该性能边界是当前的MOSFET的6000倍。EPC研发的eGaN FET可逐渐代替硅基晶体管，性能上大幅提升。

氮化镓如何驱动机器人的运动、感官、大脑（二）——氮化镓在激光雷达系统中的应用

本文作者为EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow，为“氮化镓驱动人形机器人”系列文章的第二篇，讲述氮化镓器件在激光雷达系统中的重要作用，以及如何为人形机器人带来更加优秀的视觉感知能力。