【产品】漏源电压650V的N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A020065K，导通电阻典型值20mΩ

时间： 2023-03-01 来源：中电国基南方

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中电国基南方（CETC）推出WM2A020065K的N沟道碳化硅功率MOSFET，采用TO-247-3封装，漏源电压最大额定值为650V，连续漏极电流为92A（Tc=25℃），R_DS(on)的典型值为20mΩ。用于电动汽车充电，服务器电源，太阳能光伏逆变器，UPS，DC/DC转换器等领域。

特点：

高阻断电压，低导通电阻

低电容高速开关

易于并联且驱动简单

优点：

系统效率更高

散热要求降低

功率密度增加

系统开关频率提高

应用：

电动汽车充电

服务器电源

太阳能光伏逆变器

UPS

DC/DC转换器

最大额定值（T_C=25℃，除非另有说明）

电气特性（T_C=25℃，除非另有说明）

反向二极管特性

热特性

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2022-12-21 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】采用TO-247-4封装的N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A030065L，导通电阻低至30mΩ

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【产品】采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A01K170K，连续漏极电流的最大额定值为5A

中电国基南方推出的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A01K170K，采用TO-247-3封装，具有高击穿电压、低导通电阻、高速开关和低电容值等特点。在Tc=25℃时，其漏源电压的最大额定值为1700V（VGS=0V，ID=100μA）。

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WM2A020065L N沟道SiC功率MOSFET

描述- 本资料介绍了CETC公司生产的WM2A020065L型号N沟道碳化硅功率MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和高容抗等特点，适用于电动汽车充电、服务器电源供应、太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）和直流/直流转换器等领域。

型号- WM2A020065L

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WM2A020065K N沟道SiC功率MOSFET

描述- 本文档介绍了N-Channel SiC Power MOSFET（碳化硅功率MOSFET）WM2A020065K的特性、优点和应用。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换和易于并联及驱动等特点，适用于电动汽车充电、服务器电源供应、太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）和直流/直流转换器等领域。

型号- WM2A020065K

2022/9/9 - 中电国基南方 - 数据手册 - Version 2.0 代理服务技术支持采购服务

GMS650170P 9A，1700V N沟道碳化硅功率MOSFET

描述- 该资料介绍了GOOD-ARK Electronics生产的GMS650170P硅碳化物功率MOSFET的特性、电气特性、热特性以及封装尺寸。产品具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和快速体二极管等特点，适用于开关电源、DC/DC转换器、太阳能逆变器、电池充电器和电机驱动等领域。

型号- GMS650170P

2022.10.20 - 固锝 - 数据手册 - Rev.A 代理服务技术支持采购服务

YJD2120160BGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）

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型号- YJD2120160BGH

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型号- ASZM025065P

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型号- YJD2120160B7GH

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YJD206550NCFGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）

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型号- YJD206550NCFGH

2023/10/6 - 扬杰科技 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

【产品】采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A040120K，用于可再生能源等领域

中电国基南方（CETC）推出的WM2A040120K的N沟道碳化硅功率MOSFET，采用TO-247-3封装，Tc=25℃时，VDS最大值为1200V（VGS=0V，ID=100μA），ID为68A（VGS=18V，Tc=25℃）。

2023-02-14 - 产品代理服务技术支持采购服务

YJD2120160NCFGH碳化硅功率MOSFET（N沟道增强型）

描述- 本资料详细介绍了YJD2120160NCFGH型碳化硅功率MOSFET的特性、参数和应用领域。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性，适用于功率因数校正、太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动、光伏逆变器、电动汽车及其充电器等应用。

型号- YJD2120160NCFGH

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型号- YJD212080NCFGHQ

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型号- YJD206520TLGH

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