【应用】时代速信GaN功放管GHSD6P0100AT助力L波段射频前端设计,输出功率高达100W
无线通信系统中,一般包含有天线、射频前端、射频收发模块以及基带信号处理器四个部分。随着5G时代的到来,天线以及射频前端的需求量及价值均快速上升,射频前端是将数字信号向无线射频信号转化的基础部件,也是无线通信系统的核心组件。
这里提供一款成熟的应用于L波段的射频前端方案,常用于导航设备,具体框图如下图所示。该方案对于发射端的GaN功放有着高功率的需求,大致在100W至300W之间,推荐时代速信的GaN功放管GHSD6P0100AT能达到100W,满足设计需求。
时代速信GaN功放管GHSD6P0100AT在射频前端的优势如下:
1、超宽频段DC~6GHz,能够兼容大部分产品的频段;
2、输出功率(P3dB)达100W,满足大功率要求;
3、线性增益达21.8dB,满足射频前端放大要求;
4、采用GaN-on-SiC HEMT工艺和低热阻陶瓷封装,25-55V供电;
5、其在连续波、脉冲和LTE/ 5G NR调制信号下工作都具备优异的性能。
综上所述,时代速信的GaN功放管GHSD6P0100AT能满足L波段射频前端的设计需求,是优选方案。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由冯汶兴提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【应用】时代速信GaN功放管GHSA3P6020AD用于基站,工作频率DC-3.6GHz,输出功率可达20W
通信技术飞速发展,为满足基站信号更远传输距离,更大信号覆盖范围的需求,基站项目中对功率放大器(PA)的要求越来越高。本文主要介绍时代速信GaN功放管GHSA3P6020AD在基站项目中功率放大的应用,GHSA3P6020AD工作频率DC-3.8GHz。
应用方案 发布时间 : 2022-11-26
【应用】国产GaN功放管GHPS060100AT用于5G RRU,输出功率高达100W
本文主要介绍时代速信GaN功放管GHPS060100AT在5G RRU中功率放大的应用,GHPS060100AT工作频率DC~6GHz,输出功率100W,线性增益20.6dB,效率高达71.5%,工作电压50V,采用低热阻封装,连续波或脉冲信号均可放大。
应用方案 发布时间 : 2022-03-17
【应用】时代速信GaN功放管GHSD6P0040AL用于功放模块,输出功率可达40W
通信技术飞速发展,为满足信号更广信号传输范围的需求,现代通信系统对功率放大器(PA)的功率输出要求越来越高。本文主要介绍时代速信GaN功放管GHSD6P0040AL在功放模块中功率放大的应用,GHSD6P0040AL工作频率DC~6GHz。
应用方案 发布时间 : 2022-06-30
【产品】时代速信推出系列GaN射频功率放大器芯片,工作频段覆盖DC-6GHz,功率等级涵盖8W~100W
时代速信日前推出一系列GaN射频功率放大器芯片,工作频段覆盖DC-6GHz,功率等级涵盖8W~100W,采用25-55V供电。主要应用于4G/5G基站、功放设备、专网通信以及射频通用场景。
新产品 发布时间 : 2022-04-21
【选型】基站功放推荐国产GHSA3P6020AD,工作频率3.3-3.6GHz,输出功率10W@+28V
基站功放项目需要一颗+28V供电,输出功率可达10W的GaN功放管,推荐时代速信GHSA3P6020AD,工作频率DC-3.8GHz,50V加电电压下可输出功率20W,线性增益20.4dB,效率高达74%。
器件选型 发布时间 : 2022-12-16
【技术】一文带你了解氮化镓和砷化镓的区别
氮化镓和砷化镓比较:氮化镓器件提供的功率密度比砷化镓器件高十倍。由于氮化镓器件的功率密度较高,因此可以提供更大的带宽、更高的放大器增益,并且由于器件尺寸的减少,还可提高效率。氮化镓场效应管器件的工作电压比同类砷化镓器件高五倍。
技术探讨 发布时间 : 2021-08-21
金菱通达导热硅胶片XK-P110,以超高导热系数11W成为大飞机导航设备散热的军工级选择
金菱通达导热硅胶片XK-P110,以军工品质和超高导热性能,为大飞机导航设备提供了可靠的散热保障。选择金菱通达,选择一个更加安全、高效的飞行体验。让我们一起,为航空科技的发展贡献力量。大飞机导航设备散热,选择金菱通达(GLPOLY)超高导热系数11W导热硅胶片XK-P110,就是选择了军工品质的保障。金菱通达导热硅胶片以严谨的生产流程、卓越的产品性能和全程的质量追溯,为您的项目保驾护航。
应用方案 发布时间 : 2024-10-11
时代速信(SDSX)GaAs&GaN射频芯片/Wi-Fi 6 芯片/硅基氮化镓(GaN on Si)功率芯片选型指南
描述- 时代速信(SDSX)成立于2017年,公司聚焦于提供基于GaAs和GaN应用的射频芯片和解决方案。SDSX是国内外为数不多,能够同时提供GaAs LNA、GaAs PA(DC-40GHz)和GaNPA多种放大器以及高集成度射频前端模块方案的供应商。
型号- GSL805,TC5985,GSL809AD,GSP2P204AL,GSL805AD,GSL802,GHHS065400AD,GSP3P604AL,GSP2P404AL,GSL809,GHHS065200AD,GSP1P904AL
时代速信高性能低噪声放大器、增益模块产品助力射频微波系统性能升级
时代速信GaAs LNA聚焦于第二代半导体GaAs材料,优化电路设计以降低噪声,实现输入输出的良好匹配及高隔离度,同时提供高增益与线性度,确保信号无失真放大。凭借优秀的参数性能、可靠的质量、有竞争力的价格和稳定的交付,GaAs LNA系列产品已广泛应用于移动通信、汽车电子、卫星通信等行业,助力射频微波系统性能升级。
产品 发布时间 : 2024-08-31
时代速信射频芯片选型表
提供时代速信低噪声放大器、功率放大器、射频芯片的选型,工作频率范围:30MHz-38GHz,P1dB:0.5dBm-27dBm,Pout:8W-1500W/40dBm-47dBm,增益:11.5dB-36.5dB,NF:1.1dB-5.5dB,Eff:0.25%-0.79%,Vcc:5V-50V,Id:16mA-560mA
产品型号
|
品类
|
Operational Frequency Range(MHz、GHz)
|
P1dB(dBm)
|
Gain(dB)
|
NF(dB)
|
Vcc(V)
|
Id(mA)
|
TC5985
|
低噪声放大器
|
5.9GHz-8.5GHz
|
15dBm
|
16dB
|
1.1dB
|
5V
|
16mA
|
选型表 - 时代速信 立即选型
【技术】无线设计中LNA和PA的基本原理
对性能、微型化和更高频率运行的推动正在挑战无线系统的两个关键天线连接元器件的限制:功率放大器(PA) 和低噪声放大器(LNA)本文将介绍LNA和PA的作用和要求及其主要特性,然后介绍典型的GaAs和GaN器件以及在利用这些器件进行设计时应牢记的事项。
技术探讨 发布时间 : 2021-08-18
电子商城
服务
可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN;IC包装Tray/Tube/Tape;IC厂商不限,交期1-3天。支持IC测试(FT/SLT),管装、托盘装、卷带装包装转换,IC打印标记加工。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
可定制单位/双位/三位/四位LED数码管的尺寸/位数/发光颜色等性能参数,每段亮度0.8~30mcd,主波长470~640nm,电压2~10.2V。
最小起订量: 1000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论