【应用】时代速信GaN功放管GHSD6P0100AT助力L波段射频前端设计,输出功率高达100W
无线通信系统中,一般包含有天线、射频前端、射频收发模块以及基带信号处理器四个部分。随着5G时代的到来,天线以及射频前端的需求量及价值均快速上升,射频前端是将数字信号向无线射频信号转化的基础部件,也是无线通信系统的核心组件。
这里提供一款成熟的应用于L波段的射频前端方案,常用于导航设备,具体框图如下图所示。该方案对于发射端的GaN功放有着高功率的需求,大致在100W至300W之间,推荐时代速信的GaN功放管GHSD6P0100AT能达到100W,满足设计需求。
时代速信GaN功放管GHSD6P0100AT在射频前端的优势如下:
1、超宽频段DC~6GHz,能够兼容大部分产品的频段;
2、输出功率(P3dB)达100W,满足大功率要求;
3、线性增益达21.8dB,满足射频前端放大要求;
4、采用GaN-on-SiC HEMT工艺和低热阻陶瓷封装,25-55V供电;
5、其在连续波、脉冲和LTE/ 5G NR调制信号下工作都具备优异的性能。
综上所述,时代速信的GaN功放管GHSD6P0100AT能满足L波段射频前端的设计需求,是优选方案。
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产品型号
|
品类
|
Operational Frequency Range(MHz、GHz)
|
P1dB(dBm)
|
Gain(dB)
|
NF(dB)
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Vcc(V)
|
Id(mA)
|
TC5985
|
低噪声放大器
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5.9GHz-8.5GHz
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15dBm
|
16dB
|
1.1dB
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5V
|
16mA
|
选型表 - 时代速信 立即选型
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