【产品】650V的碳化硅肖特基二极管MSPxxx65G1,采用TO-220-2封装
美浦森(Maplesemi)推出的碳化硅肖特基二极管MSP06065G1、MSP04065G1、MSP08065G1、MSP10065G1,反向重复峰值电压均为650V,连续正向电流分别为22A(Tc=25℃)、4.8A(Tc=150℃)、27A(Tc=25℃)、37A(Tc=25℃);均采用TO-220 -2封装,符合RoHS无铅标准;具有恢复时间短、切换速度快等优势,适用于开关电源、功率因数校正、电机驱动、HID照明等领域。
实物图及内部电路(MSP06065G1,MSP04065G1,MSP08065G1,MSP10065G1)
特性:
● 650V肖特基整流器
● 超短的恢复时间
● 高速开关能力
● 高频工作
● 温度对开关无影响
● 极快的开关速度
● VF正温度系数
应用:
用于开关电源、功率因数校正、电机驱动和HID照明。
优点:
● 有更高的过压安全裕量
● 提高了所有负载条件下的效率
●与硅二极管替代品相比,效率提高
●减少散热器需求
●无热失控的并联器件
●基本上没有开关损耗
最大额定值参数(Tc=25℃,除非另有说明):
电气特性(Tc=25℃,除非另有说明):
热特性:
MSP06065G1:RθJC(从结到外壳的热阻)的典型值为1.35℃/W;
MSP04065G1:RθJC(从结到外壳的热阻)的典型值为1.96℃/W;
MSP08065G1:RθJC(从结到外壳的热阻)的典型值为1.28℃/W;
MSP10065G1:RθJC(从结到外壳的热阻)的典型值为1.09℃/W。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由桦南翻译自美浦森,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【元件】1200V/10A的国产碳化硅肖特基二极管KS10120-B,采用TO-252-2L封装
森国科推出的碳化硅肖特基二极管KS10120-B,VRRM为1200V,IF为10A,QC为71nC,具有高效率、零开关损耗、易于并联使用,可减小散热器,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压、高工作频率等特点,采用TO-252-2L封装,适用于开关电源、功率因数校正等应用。
【产品】650V碳化硅肖特基二极管MSP16065G1,开关速度极快
美浦森(Maplesemi)推出的650V碳化硅肖特基二极管MSP16065G1,采用TO220-2封装,具有恢复时间短、开关速度极快等特点,适用于开关电源、功率因数校正和电机驱动等应用。
【产品】国产1200V碳化硅肖特基二极管P3D12010K2,适用于消费型开关电源
P3D12010K2是派恩杰推出的一款1200V碳化硅肖特基二极管(SiC SBD),具有高频操作、零反向恢复电流等特性,有利于提高系统效率,减少散热需求,并且基本上没有开关损耗,并联使用不会出现热失控。反向重复峰值电压高达1200V,正向电流为10A,低正向导通压降为1.42V。
MSM06065G1 650V碳化硅肖特基二极管
描述- 本资料介绍了MSM06065G1型650V碳化硅肖特基二极管。该器件具有高反向电压、快速恢复时间、高温稳定性等特点,适用于开关电源、功率因数校正、电机驱动等领域。
型号- MSM06065G1
G5S06520BT 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了G5S06520BT碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数、电特性、热特性、典型特性曲线、封装尺寸和订购信息。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压等特点,适用于开关电源、电动汽车、电机驱动器等领域。
型号- G5S06520BT
MSD10065G1汽车级650V碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料介绍了MSD10065G1型650V碳化硅肖特基二极管的特点和应用。该器件具有高耐压、快速恢复时间、高频操作等优点,适用于开关电源、电机驱动和高压钠灯等领域。
型号- MSD10065G1
G5S06506HT 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了G5S06506HT碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数、电特性、热特性、典型特性曲线、封装尺寸和订购信息。该二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压等特点,适用于开关电源、电动汽车、电机驱动器等领域。
型号- G5S06506HT
MSL06065G1 650V碳化硅肖特基二极管
描述- 本资料介绍了MSL06065G1型650V碳化硅肖特基二极管。该器件具有高耐压、快速恢复时间、高频操作等特点,适用于开关电源、功率因数校正、电机驱动和高亮度照明等领域。
型号- MSL06065G1
【产品】森国科推出的碳化硅肖特基二极管KS06065-B,VRRM为650V,采用TO-252-2L封装
森国科推出的碳化硅肖特基二极管KS06065-B,VRRM为650V,IF(TC=154℃)为6A,QC为13.4nC,具有不受温度影响的开关特性,高效率。产品采用TO-252-2L封装,适用于开关电源、功率因数校正、电机驱动等应用。
G5S06506DT 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料详细介绍了G5S06506DT碳化硅肖特基二极管的产品特性、参数、应用领域等。该二极管具有零反向恢复电流、零正向恢复电压等特性,适用于高温、高频工作环境,广泛应用于开关电源、电动汽车、电机驱动器等领域。
型号- G5S06506DT
MS2T6065G1 650V碳化硅肖特基二极管
描述- 本资料介绍了MS2TH60065G1型650V碳化硅肖特基二极管。该器件具有高频率操作能力,温度独立开关行为,正温系数提高安全裕度等特点。适用于开关电源、功率因数校正、电机驱动和高亮度放电灯等领域。
型号- MS2TH60065G1
【产品】直流阻断电压高达1200V的碳化硅肖特基二极管AS3D005120A,具有零反向恢复电流
安邦推出的碳化硅肖特基二极管AS3D005120A,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压。其优势有用单极器件代替双极器件,减小了散热器尺寸。其直流阻断电压高达1200V(TC=25℃),正向电流19A(TC ≤25℃),175℃的工作结温,可应用在开关电源,电机驱动。
G5S06504HT 碳化硅肖特基二极管
描述- G5S06504HT是一款碳化硅肖特基二极管,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,适合高温和高频工作。该产品适用于开关电源、电动汽车、电机驱动器、光伏和风力发电等领域。
型号- G5S06504HT
【产品】采用SMBF封装的碳化硅肖特基二极管B2D04065V,正向连续导通电流4A
基本半导体的碳化硅肖特基二极管B2D04065V,最大反向重复峰值电压为650V,正向连续导通电流为4A,总电容电荷为12nC;可应用于SMPS、不间断电源、电机驱动器等。采用SMBF封装,符合RoHS标准。
【产品】中电国基南方推出碳化硅肖特基二极管WS3A004065F,工作结温达175°C
中电国基南方(CETC)研发的高压大功率SiC电力电子器件关键技术被评为“第十三届中国半导体创新产品和技术”。中电国基南方公司推出碳化硅肖特基二极管WS3A004065F,TO-220FM封装,满足RoHS要求,用于风力,光伏发电等绿色能源。
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
最小起订量: 3000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论