【产品】具有低导通电阻、快速开关等特点的N沟道功率MOSFET DIT090N06
DIOTEC（德欧泰克）DIT090N06是其推出的N沟道功率MOSFET ，无铅，符合RoHS，REACH标准，具有低导通电阻、快速开关和低栅极电荷等优点，广泛应用在DC/DC转换器、电源、直流驱动器、电动工具等领域。
典型应用
•DC/DC转换器
•电源
•直流驱动器
•电动工具
特点
•沟槽技术
•低导通电阻
•快速开关时间
•低栅极电荷
•雪崩额定值
•通过RoHS，REACH认证
•无铅
图1 尺寸图
机械数据
•管/纸盒包装：50/1000
•重量约为：2.2 g
•外壳材料阻燃等级：UL 94V-0
•焊接和组装条件：260°C/10s MSL N/A
图2 最大额定值参数
图3 其他电气参数
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 2
本文由biubiu翻译自Diotec，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】120A/80V N沟道功率MOSFET DIT120N08，导通电阻仅4.9mΩ
DIT120N08是Diotec推出的N沟道功率MOSFET ，无铅，符合RoHS，REACH标准，具有低导通电阻，高开关速度，低栅极电荷，高雪崩能量等优点，广泛应用在DC/DC转换器，电源设备，电动工具等领域。
【产品】85A/65V低导通电阻N沟道功率MOSFET DIW085N06，工作及存储温度-55~+150℃
Diotec（德欧泰克）推出型号为DIW085N06的N沟道功率MOSFET，器件采用TO-220AB封装，具有低导通电阻和开关速度快等特点,产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具，商业/工业级应用等领域。
【产品】28A/100V的商业级双N沟道功率MOSFET DI028N10PQ2， 漏源导通电阻典型值低至15mΩ
Diotec推出型号为DI028N10PQ2的双N沟道功率MOSFET，器件采用QFN5x6-2封装，具有低导通电阻和开关速度快的特点，其漏源电压为100V，栅源电压为±20V，耗散功率为32.7W，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，同步整流器，商业级应用等领域。
DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
|
产品型号
|
品类
|
Type
|
Package
|
Drain Source Voltage VDS[V]
|
Drain Current ID[A]
|
Junction Temperature Tjmax[℃]
|
Polarity pol
|
Power Dissipation Ptot [W]
|
Peak Drain Current IDM [A]
|
Threshold Voltage VGSth[V]
|
On-Resistance RDSon[Ω]
|
On-Resistance ID[A]
|
On-Resistance VGS[V]
|
Turn-OnTime ton[ns]
|
Turn-Off Time toff[ns]
|
|
2N7000
|
MOSFETs
|
Wire-lead
|
TO-92
|
60
|
0.2
|
150
|
N
|
0.35
|
0.5
|
0.8
|
5
|
1
|
10
|
10
|
10
|
选型表 - DIOTEC 立即选型
DI201N04PQ N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI201N04PQ型号的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性、应用领域和机械数据。该产品具有低导通电阻、快速开关时间和低栅极电荷等特点，适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动、电动工具、同步整流器等应用。
型号- DI201N04PQ-AQ,DI201N04PQ
【产品】QFN5×6薄型封装的N沟道功率MOSFET DI008N10PQ， 漏极峰值电流高达20A
Diotec推出型号为DI008N10PQ的N沟道功率MOSFET，器件采用QFN5x6薄型封装，具有低导通电阻和开关速度快等特点，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具，同步整流器以及工业和商业级应用等领域。
DIT110N08 N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DIT110N08型N沟道功率MOSFET的特性、应用领域和相关数据。该器件采用先进的 trench 技术制造，具有低导通电阻、快速开关时间和低栅极电荷等特点，适用于直流转换器、电源供应、直流驱动器和电动工具等领域。
型号- DIT110N08,DIT110N08-Q,DIT110N08-AQ
DIW038N65K N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DIOTEC公司的DIW038N65K型号N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、快速开关时间等特点，适用于直流/直流转换器、电源供应、直流驱动器等领域。
型号- DIW038N65K
DIT050N06 N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DIT050N06型号的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性。该器件具有低导通电阻、快速开关时间和低栅极电荷等特点，适用于直流/直流转换器、直流驱动器和商业级电源等领域。
型号- DIT050N06
DI280N10TL N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI280N10TL型N沟道功率MOSFET的特性，包括静态和动态特性、热特性、雪崩特性等。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点，适用于直流/直流转换器、电源供应、电机驱动等领域。
型号- DI280N10TL,DI280N10TL-Q
DIW052N60K N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DIOTEC公司的DIW052N60K型号N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、快速开关时间和低栅极电荷等特点，适用于直流/直流转换器、电源、电机驱动器和电动工具等领域。
型号- DIW052N60K
【产品】采用TO-220AB外壳封装的N沟道功率MOSFET DIT110N08，漏源导通电阻典型值可低至3.9mΩ
Diotec推出型号为DIT110N08的N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB外壳封装。该器件采用先进的沟道技术工艺，具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等产品特性，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具以及商业、工业应用等领域。
DI080N06PQ N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI080N06PQ型号的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性。该器件具有低导通电阻、快速开关时间等特点，适用于直流/直流转换器、电源供应、直流驱动、电动工具、同步整流器等领域。
型号- DI080N06PQ,DI080N06PQ-AQ
DI045N10PQ N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI045N10PQ型号的N沟道功率MOSFET的特性，包括静态和动态特性、热特性、尺寸和典型应用。该器件适用于直流/直流转换器、电源供应、直流驱动、电动工具、同步整流器和商业/工业级应用。
型号- DI045N10PQ-AQ,DI045N10PQ,DI045N10PQ-Q
DI017N06PQ N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI017N06PQ型号的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、快速开关时间等特点，适用于直流/直流转换器、电源供应、直流驱动、电动工具、同步整流器等领域。资料还提供了产品的电气特性、热特性和机械数据。
型号- DI017N06PQ-AQ,DI017N06PQ
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论