【经验】同步整流应用中MOSFET上电误开启现象的产生原因及解决方法

时间： 2020-04-23 来源：世强

技术问答

如图1反激式电源电路图，输出侧同步整流与传统的二极管整流电路相比，使用MOS做输出整流可以实现更大的输出电流，以及低损耗，达到给电子设备快速充电或提供多个负载供电的目的。罗姆推出的低导通电阻的N沟道功率MOSFET RS1L180GN，漏源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值±68A（Tc=25℃），能够满足电压输出5V、9V、12V的耐压需求，并留有足够余量，是同步整流应用中的不错选择。但与同步整流驱动IC配合使用时也有可能出现一些状况——MOS上电误开启。

图1——反激式电源电路原理图

同步整流启动时MOS波形见图2，若同步整流IC由输出端或者辅助绕组供电，电源输出到同步整流正常工作之间会有一段延迟，这段时间内MOS是作为二极管在工作。当MOS截止时，Vds电压上升，由于米勒电容作用，栅极会产生电压尖峰，当尖峰超过Vth时，MOS有导通风险。若MOS异常导通，同步整流MOS、原边MOS和输出电容都有可能出现失效，这是对系统是极大的隐患。

图2——同步整流启动时MOSFET波形图3——寄生电容产生的误开通

该时间段内同步整流IC没有正常工作，一般有效的方法有两种：

1、减小栅极电阻，减小电流在驱动电阻上产生的压降；

2、GS间增加电容，通过电容来吸收部分尖峰；

通过以上方法调整可大大减小RS1L180GN上电误开通的风险，提高系统可靠性。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由番茄炒西红柿提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】锐骏半导体推出N沟道增强型功率MOSFET RUH3051M，漏-源导通电阻典型值可低至4.2mΩ

RUH4040M3是锐骏半导体推出的N沟道高级功率MOSFET，器件具有超低导通电阻，100%雪崩测试，采用锐骏半导体先进的RUISGTTM技术，提供无铅和绿色设备(符合RoHS标准)，可应用于DC/DC转换器、服务器的板载电源、同步整流应用等领域。

产品发布时间 : 2022-12-24

【产品】QFN5×6薄型封装的N沟道功率MOSFET DI008N10PQ，漏极峰值电流高达20A

Diotec推出型号为DI008N10PQ的N沟道功率MOSFET，器件采用QFN5x6薄型封装，具有低导通电阻和开关速度快等特点，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具，同步整流器以及工业和商业级应用等领域。

产品发布时间 : 2022-05-26

HT8KE6 100V Nch+Nch Power MOSFET Datasheet

型号- HT8KE6

数据手册 - ROHM - Rev.001 - 20230328 PDF 英文下载

【产品】600V/±6A/40W的N沟道功率MOSFET R6006KNX，导通电阻最大仅0.83Ω

R6006KNX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品漏源电压为600V，连续漏极电流高达±6A，耐压能力强。产品易于并联使用，具有低导通电阻和快速开关的特点，R6006KNX的栅源电压为±20V（静态）或±30V（交流，频率＞1Hz），可承受单脉冲雪崩电流为1.1A，可承受单脉冲雪崩能量为65mJ可用于开关类应用。

新产品发布时间 : 2019-10-27

【产品】190V/±10A N沟道功率MOSFET RD3S100CN，采用 TO-252封装

RD3S100CN是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品易于并联使用，导通损耗低，开关速度快。漏源电压额定值为190V，栅源电压额定值为±20V，连续漏极电流额定值为±10A（Tc=25℃），脉冲漏极电流额定值为±40A，工作结温和存储温度为-55℃ ~ +150℃，满足工业级环境要求。

新产品发布时间 : 2019-11-26

HT8KE5 100V Nch+Nch Power MOSFET Datasheet

型号- HT8KE5

数据手册 - ROHM - Rev.002 - 20230302 PDF 英文下载

【产品】600V高压三相桥式驱动器，可用于驱动N沟道功率MOSFET和IGBT

ROHM推出的BS2130F-G是一款单片桥式驱动器IC，可通过自举操作驱动三相系统中的N沟道功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。逻辑输入可以使用3.3V和5.0V。为了提供保护电路，该器件包括欠压锁定（UVLO）电路和过流保护（OCP）电路。当VCC和VBS低于指定的阈值电压时，UVLO电路可防止发生故障。

新产品发布时间 : 2019-02-23

【产品】600V高压高侧和低侧栅极驱动器BS2101F，可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT

ROHM推出的BS2101F是一款单片高侧和低侧栅极驱动IC，可通过自举操作驱动高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。

新产品发布时间 : 2019-01-31

HP8KE7 100V Nch+Nch Power MOSFET Datasheet

型号- HP8KE7

数据手册 - ROHM - Rev.001 - 20230328 PDF 英文下载

【产品】40V/150A N沟道功率MOSFET RM150N40DF，采用Super Trench技术

丽正国际推出的N沟道功率MOSFET ，型号为RM150N40DF，采用Super Trench技术，独特的工艺，提高开关特性，由于其具有低导通电阻RDS（ON）和低总栅极电荷Qg，使其具有最小的传导和开关功耗，非常适合高频开关和同步整流应用。极限参数：漏极-源极电压40V，栅极-源极电压±20V，漏极连续电流150A，最大功率耗散及工作和存储温度等其他详细参数见表。

新产品发布时间 : 2019-10-26

【产品】导通电阻最大值为55mΩ的N沟道功率MOSFET RCJ451N20 ，适用于开关应用

ROHM旗下的N沟道功率MOSFET-RCJ451N20 ，漏源电压为200V，导通电阻最大值为55mΩ，持续漏极电流为±45A（Tc=25℃），耗散功率（Tc=25℃）为211W。采用TO-263S封装形式，可用于开关应用。

产品发布时间 : 2022-04-14

HP8KE6 100V Nch+Nch Power MOSFET Datasheet

型号- HP8KE6

数据手册 - ROHM - Rev.002 - 20230426 PDF 英文下载

【产品】600V/±11A/53W的N沟道功率MOSFET R6011ENX，导通电阻最大仅0.39Ω

R6011ENX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品漏源电压为600V，连续漏极电流高达±11A，耐压能力强。产品易于并联使用，具有低导通电阻和快速开关的特点，可用于开关类应用。

新产品发布时间 : 2019-11-16

【产品】250V N沟道功率MOSFET DI015N25D1，导通电阻为200mΩ

Diotec（德欧泰克）推出的N沟道功率MOSFET DI015N25D1，采用TO-252AA封装方式和编带包装方式，糅合了沟槽技术，具有低导通电阻、快速切换以及低栅极电荷等优势，符合RoHS，REACH，Conflict Minerals（冲突矿产）等管理标准，是环境友好型器件，主要应用于DC / DC转换器、电源、直流驱动器、同步整流器等商业级领域。

新产品发布时间 : 2019-11-25