【经验】同步整流应用中MOSFET上电误开启现象的产生原因及解决方法
如图1反激式电源电路图，输出侧同步整流与传统的二极管整流电路相比，使用MOS做输出整流可以实现更大的输出电流，以及低损耗，达到给电子设备快速充电或提供多个负载供电的目的。罗姆推出的低导通电阻的N沟道功率MOSFET RS1L180GN，漏源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值±68A（Tc=25℃），能够满足电压输出5V、9V、12V的耐压需求，并留有足够余量，是同步整流应用中的不错选择。但与同步整流驱动IC配合使用时也有可能出现一些状况——MOS上电误开启。
图1——反激式电源电路原理图
同步整流启动时MOS波形见图2，若同步整流IC由输出端或者辅助绕组供电，电源输出到同步整流正常工作之间会有一段延迟，这段时间内MOS是作为二极管在工作。当MOS截止时，Vds电压上升，由于米勒电容作用，栅极会产生电压尖峰，当尖峰超过Vth时，MOS有导通风险。若MOS异常导通，同步整流MOS、原边MOS和输出电容都有可能出现失效，这是对系统是极大的隐患。
图2——同步整流启动时MOSFET波形 图3——寄生电容产生的误开通
该时间段内同步整流IC没有正常工作，一般有效的方法有两种：
1、减小栅极电阻，减小电流在驱动电阻上产生的压降；
2、GS间增加电容，通过电容来吸收部分尖峰；
通过以上方法调整可大大减小RS1L180GN上电误开通的风险，提高系统可靠性。
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