【产品】漏源电压750V的N沟道SiC功率MOSFET裸片S4503，静态漏源导通电阻仅26mΩ
S4503是罗姆（ROHM）推出的一款N沟道SiC功率MOSFET裸片。在绝对最大额定值 (Tc=25°C*1)方面，其漏源电压为750V，连续漏极电流为56A，脉冲漏极电流（VGS=VGS_on）为91A（PW≤10μs，占空比≤1%），等效结温为175°C，存储温度范围为-40°C~+175°C。
该器件具有低静态漏源导通电阻，在Tvj=25°C条件下，其RDS(on)（脉冲）典型值仅为26mΩ（VGS=18V, ID=29A）。该器件可用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关模式电源、感应加热、电机驱动领域。其内部电路如图1所示。
图1 内部电路
特点：
•导通电阻低
•开关速度快
•反向恢复快
•易于并联
•驱动简单
应用：
•太阳能逆变器
•DC/DC转换器
•开关模式电源
•感应加热
•电机驱动
绝对最大额定值 (Tc=25°C*1)
注释：
*1 受最大Tvj限制并假设RthJC<0.85K/W
*2 PW≤10μs，占空比≤1%
*3 仅适用于体二极管，重复脉冲，PW≤500ns，占空比≤5%
*4 用作保护功能时，PW≤10μs
*5 可接受的VGS波形示例
*6 请注意不要使用VGS低于10V的SiC-MOSFETs，否则可能会导致热失控
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