【产品】国产N沟道场效应管适用于开关电源和谐振电，DC-DC变换器，激光驱动器

时间： 2022-03-15 来源：蓝箭电子

技术问答

蓝箭电子旗下的BRCS26N50PH是一款采用TO-3PH塑封封装的N沟道场效应管。是一款具有快速本征整流器，低RDS(ON)和Qg值，低封装电感的产品，用于开关电源和谐振电源，DC-DC变换器，激光驱动器，交流和直流电机驱动，机器人和伺服控制。

内部等效电路

特性：

快速本征整流器

低RDS(ON)和Qg值

低封装电感

应用：

开关电源

谐振电源

DC-DC变换器

激光驱动器

交流和直流电机驱动

机器人和伺服控制

极限参数(Ta=25℃)

耐焊接热试验条件

温度：270±5℃ ，时间：10±1 sec

包装规格

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【产品】280V N沟道功率MOS管，较P沟道MOS管导通电阻更小

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新产品发布时间 : 2018-05-05

【产品】TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS18N20RA，具有低栅电荷、导通电阻低的特点

蓝箭电子推出的TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS18N20RA，具有低栅电荷，导通电阻低，快速切换应用的优化等特征。该器件适用于低压电路如：汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。

产品发布时间 : 2023-05-09

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蓝箭电子推出的N沟道场效应管BRCS035N10SHZC，采用PDFN5×6封装。具有低电阻可最大地降低导电损耗，低栅极电荷，可实现快速切换，低热阻的特征。该产品可用于电池管理，联网直流-直流电力系统，负荷开关等。

产品发布时间 : 2023-01-13

【产品】TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS3710BRA，适用于高效DC/DC转换和功率开关

蓝箭电子推出的TO-220塑封封装N沟道场效应管BRCS3710BRA，具有阻抗低，开关速度快的特征。该器件适用于高效DC/DC转换和功率开关，其VDSS值100V，ID(Tc=25℃)值为50A，Tj和Tstg温度范围为-55～150℃。

产品发布时间 : 2023-04-01

【产品】TO-252塑封封装N沟道场效应管BRCS016N03DP，门电荷低，适用于低压电路

蓝箭电子推出的TO-252塑封封装N沟道场效应管BRCS016N03DP，具有RDS(on)小，门电荷低，Crss小，开关速度快的特征。该器件适用于低压电路如：汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。

产品发布时间 : 2023-05-08

【产品】蓝箭电子推出PDFN5×6封装N沟道场效应管BRCS060N08HZC，Tj温度范围-55～150℃

蓝箭电子推出PDFN5×6封装N沟道场效应管BRCS060N08HZC，具有低电阻可最大地降低导电损耗，低栅极电荷，可实现快速切换，低热阻的特征。其VDS值80V，ID值为85A，Tj和Tstg温度范围为-55～150℃。

产品发布时间 : 2023-02-01

【产品】蓝箭电子推出的N沟道场效应管BRCS18N20DP，采用TO-252塑封封装，Tj温度范围为-55～150℃

蓝箭电子推出的采用TO-252塑封封装的N沟道场效应管BRCS18N20DP，具有低栅电荷,导通电阻低，快速切换应用的优化的特征。该器件适用于低压电路如：汽车电路、DC/DC转换、便携式产品的电源高效转换。

产品发布时间 : 2023-05-02

【产品】TO-220F塑封封装N沟道MOS场效应管BRCS65R190FAG，具有650V超结功率场效应管

蓝箭电子推出的TO-220F塑封封装N沟道MOS场效应管BRCS65R190FAG，具有650V超结功率场效应管，RDS(on)×Qg很低，100%雪崩测试的特征。该器件适用于开关电源、不间断电源、功率因数校正等，其VDSS值650V，ID值为20A。

产品发布时间 : 2023-05-07

【产品】500V N沟道功率MOSFET，大功率开关电源的理想选择

日本新电元公司推出的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管——P10F50HP2/P13F50HP2/P15F50HP2/P20F50HP2，性能稳定可靠，是设计中大功率开关电源的理想选择。具有高电压、低导通电阻、高切换速度，高雪崩耐久性，高di/dt耐久性等优点。广泛使用于继电器驱动，高速脉冲放大器，驱动器等应用。

新产品发布时间 : 2018-05-04