【产品】600V/±24A的N沟道功率MOSFET R6024KNX，导通电阻最大仅0.165Ω

时间： 2019-10-27 来源：ROHM

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R6024KNX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品易于并联使用，导通电阻最大仅0.165Ω，导通损耗低。且产品漏源电压最大额定值为600V，连续漏极电流高达±24A，脉冲漏极电流最大额定值为±72A，能够有效的满足大功率电路设计的需求，适用于开关类应用。

图1 R6024KNX功率MOSFET产品图及内部电路图

R6024KNX功率MOSFET单脉冲雪崩能量最大额定值为497mJ，单脉冲雪崩电流最大额定值为4.1A，具有较好的抗浪涌性。栅-源漏电流I_GSS最大为±100nA，有效确保器件在运行过程中具有低损耗。其结壳热阻最大值仅为1.7℃/W，产品最大结温为150℃，工作结温和存储温度范围在-55℃~150℃，能够适应较为恶劣的工业环境。此外，R6024KNX拥有低电容特性，其输入电容典型值为2000pF，输出电容典型值为1500pF，反向传输电容典型值为60pF。

R6024KNX N沟道功率MOSFET产品特性：

低导通电阻

开关速度快

易于并联使用

无铅电镀；符合RoHS标准

R6024KNX N沟道功率MOSFET应用领域：

开关类应用

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