【产品】采用共源共栅拓扑结构的750V 6mΩ SiC FET，提供鲁棒的5μs额定短路耐受时间
领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合碳化硅）公司，现已发布业界最佳的750V、6mΩ器件，从而响应了电源设计人员对更高性能、更高效率的SiC FET的需求。这款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET竞争产品的一半，并且还提供了鲁棒的5μs额定短路耐受时间。
发布的产品包括750V SiC FET系列中的9种新器件/封装选项，额定值为6、9、11、23、33和44mΩ。所有器件均有采用TO-247-4L封装的方案，同时18、23、33、44和60mΩ器件还提供了采用TO-247-3L封装的方案。这一750V扩展系列与现有的18和60mΩ器件相辅相成，其为设计人员提供了更多的器件方案，实现了更大的设计灵活性，因此可实现最佳的性价比权衡，同时保持充足的设计裕度和电路鲁棒性。
UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共栅”拓扑结构，其内部集成了一个SiC JFET并将之与一个硅MOSFET封装在一起。这两者结合起来就提供了宽禁带技术的全部优势——可实现高速和低损耗以及高温工作，同时还可保持简单、稳定和鲁棒的栅极驱动，并具有集成的ESD保护。
这些优势可通过品质因数(FoM)进行量化，例如RDS(on)×A，这个指标衡量了每单位芯片面积的传导损耗。在这一指标上，第4代SiC FET在高低裸片温度下均可达到市场最低值。RDS(on)×EOSS/QOSS这一FoM在硬开关应用中很重要，第4代SiC FET的这个值是最接近的竞争对手值的一半。RDS(on)×COSS(tr)这一FoM则在软开关应用中至关重要，如果将UnitedSiC额定电压为750V的器件与竞争对手额定电压为650V的器件相比，前者的这个值比后者低约30%。对于硬开关应用，SiC FET的集成体二极管在恢复速度和正向压降方面优于竞争对手的Si MOSFET或SiC MOSFET技术。第4代技术中所包含的其他优势，则是通过先进的晶圆减薄技术和银烧结贴片工艺降低了从裸片到外壳的热阻。这些特性可在要求苛刻的应用中实现最大功率输出，同时实现低芯片温升。
新的UnitedSiC SiC FET凭借其在开关效率和导通电阻方面的最新改进，非常适合具有挑战性的新兴应用。其中包括电动汽车中的牵引驱动器以及车载充电器和非车载充电器，以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器以及所有AC/DC或DC/DC功率转换中单向和双向功率转换的所有阶段。成熟的应用也可以从使用这种器件中受益——可以凭借其与Si MOSFET和IGBT栅极驱动器以及成熟的TO-247封装的向后兼容性来轻松提高效率。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由董慧转载自UnitedSiC，原文标题为:UnitedSiC推出业界最佳6mΩ SiC FET，新增的9款器件可实现更高水平的设计灵活性，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】UnitedSiC推出新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET 非常适合主流的800V总线结构
UnitedSiC宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源等应用。
新产品 发布时间 : 2022-05-21
【产品】1200V/80mΩ的SiC FET UF3C120080K3S，最高工作温度175℃
UnitedSiC的SiC FET（碳化硅场效应晶体管）采用了独特的共源共栅（cascode）电路配置，将常开型SiC JFET与Si MOSFET共同封装在一起，从而构建出常关型SiC FET器件。UF3C120080K3S是一款1200V的SiC FET。
新产品 发布时间 : 2020-12-12
【产品】750V/58mΩ的第四代SiC FET UJ4C075060K4S，TO-247-4L封装
UJ4C075060K4S是一款750V、58mΩ的碳化硅场效应晶体管（SiC FET），是UnitedSiC推出的第4代SiC FET产品，采用了独特的“共源共栅（cascode）”电路配置，将常开型SiC JFET与Si MOSFET共同封装在一起。
新产品 发布时间 : 2020-12-04
【经验】SiC FET关断时VDS尖峰和振荡问题的解决方法
UnitedSiC的SiC FET能直接替代Si MOSFET，但其高开关速度也可能会使关断VDS电压产生尖峰和震荡，使系统的EMI变差。关断时的VDS尖峰和振荡产生的根本原因是高速开关过程中di/dt在杂散电感上产生了较高的感应电压。本文将给出并对比几种解决方案。
设计经验 发布时间 : 2020-11-02
UnitedSiC SiC FET/SiC JFET/SiC肖特基二极管选型指南
目录- Product introduction SiC FETs SiC JFETs SiC Schottky Diodes
型号- UJ3D06506TS,UJ3D1220KSD,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3C065040B3,UJ4C075023K3S,UJ3D1210KS,UF3N090350,UF3C SERIES,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UJ3N1701K2,UF3N SERIES,UJ3N065025K3S,UJ3N065080K3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3N170400,UF3C065030K4S,UF3N120140,UF3N065600,UF3N170400B7S,UJ3D06510TS,UJ3D06560KSD,SC SERIES,UJ3C065030B3,UJ3D1210K2,UF3SC065007K4S,UF3C120400K3S,UJ4SC SERIES,UF4C120053K4S,UJ3C120150K3S,UJ4C075060K4S,UJ3D1202TS,UF3C065080B7S,UJ3D1220K2,SC,UF3C065080T3S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UF3SC,UF4C120053K3S,UF3C120080K4S,UF3N090800,UJ4C075018K3S,UJ3D1210TS,UF3SC065030B7S,UJ4C075023K4S,UJ3D06530TS,UJ4C075060K3S,UJ3N SERIES,UJ3N120035,UF4C120070K3S,UF3SC120040B7S,UF3SC120016K4S,UJ4C SERIES,UJ4C075018K4S,UJ3C065080T3S,UF4SC120030K4S,UJ3N120035K3S,UJ3D06504TS,UJ3C065030K3S,UJ3D1205TS,UF3C065080B3,UJ3N065080,UJ4SC075009K4S,UJ3N120070K3S,UJ4C075033K3S,UF3SC SERIES,UF4C120070K4S,UF3C065030T3S,UJ3D06508TS,UJ3D1210KSD,UJ3D06516TS,UJ3D06512TS,UJ3D1250K2,UJ4SC075006K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120150B7S,UJ3C SERIES,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,UJ3C065030T3S,UJ4C,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UF4C,UJ3D1250K,UJ3D06520TS,UF3SC120009K4S,UF4C SERIES,UJ3N065025,UF3C120080B7S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UJ3C065080K3S,UJ3D1725K2,UJ3N120065K3S,UJ3D,UJ4C075044K4S,UJ3C,UJ3D06520KSD,UF3N065300,UF3C,UF3N,UJ3N120070,UJ4SC075011K4S,UJ4C075033K4S,UJ3N,UF3C170400K3S,UF4SC120023K4S,UJ3D SERIES,UF3SC065040B7S,UF3C065080K4S
1200V Gen 4 SiC FETs with industry-best performance deliveroptimal SiC power solutions to high-voltage markets
型号- UF4SC120030K4S,UF4C120053K3S,UF4C120030K4S,UF4SC SERIES,UF3C120040K4S,UF4C SERIES,UF4C120070K3S,UF4C,UF4C120070K4S,UF4C120053K4S,UF4SC120023K4S,UF4SC
SiC FET User Guide
型号- UJ3C065080T3S,UJ4C075018K4S,UF4SC120030K4S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UJ3C065030K3S,UF3C065040B3,UF3C065080B3,UJ4C075023K3S,UF4SC120053K4S,UJ4SC075009K4S,UJ4C075033K3S,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UF3C065030T3S,UF4SC,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3C065030K4S,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,UJ4SC075006K4S,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120400K3S,UJ4CXXXK3S,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,UJ3C065030T3S,UJ4C,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UF4C,UJ3C120150K3S,UJ4C075060K4S,UF3C065080B7S,UF3C170400B7S,UF4SC120070K4S,UF3CXXXYYYK4S,UF3SC120009K4S,UF3C120080B7S,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,UF3SC,UF3C120080K4S,UJ4C075044K4S,UJ3C,UJ4C075018K3S,UF3C,UF3SC065030B7S,UJ4C075023K4S,UJ4C075060K3S,UJ3CXXXYYYK3S,UF4SC120053K3S,UF4SC120070K3S,UF SERIES,UJ4SC075011K4S,UJ4C075033K4S,UF3C120150K3S,UF3C170400K3S,UF4SC120023K4S,UF3SC120040B7S,UF3SC065040B7S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S
SiC FET的起源和发展—与SiC MOS及其他替代技术的性能比较
使用宽带隙半导体作为高频开关为实现更高的功率转换效率提供了有力支持。一个示例是，碳化硅开关可以实施为SiC MOSFET或以共源共栅结构实施为SiC FET。本文追溯了SiC FET的起源和发展，直至最新一代产品，并将其性能与替代技术进行了比较。
原厂动态 发布时间 : 2022-06-21
具有业界出众性能的1200V第四代SiC FET为高压市场提供优秀SiC功率解决方案
UnitedSiC扩充了1200V产品系列，将突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。新UF4C/SC系列中的六款新产品的规格从23毫欧到70毫欧，现以TO247-4L（开尔文连接）封装提供，而1200V的53毫欧和70毫欧SiC FET还以TO247-3L封装提供。
原厂动态 发布时间 : 2022-06-29
UnitedSiC SiC FET User Guide
型号- UJ3C065080T3S,UJ4C075018K4S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3SC065040D8S,UJ3C065030K3S,UF3SC065030D8S,C1808C681JGGAC7800,UF3C065040B3,UF3C065080B3,UJ4C075023K3S,UJ4SC075009K4S,CRCW201010R0JNEFHP,UJ4C075033K3S,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UF3C065030T3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3C065030K4S,CRCW25124R70JNEGHP,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,UJ4SC075006K4S,C1206C680JGGAC7800,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120400K3S,UJ4CXXXK3S,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,C1206C151JGGAC7800,UJ3C065030T3S,UJ4C,UF3C065030K3S,UJ3C120150K3S,UF3C120400B7S,UJ4C075060K4S,CRCW20104R70JNEFHP,UF3C065080B7S,UF3C170400B7S,UF3CXXXYYYK4S,202R18N101JV4E,SR1206FR-7W4R7L,UF3SC120009K4S,UF3C120080B7S,KTR18EZPF10R0,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,UF3SC,KTR18EZPF4R70,UF3C120080K4S,UJ4C075044K4S,CRCW251210R0JNEGHP,UJ3C,UJ4C075018K3S,UF3C,UF3SC065030B7S,C1206C221JGGAC7800,C1210C331JGGACTU,SR1206FR-7W10RL,UJ4C075023K4S,UJ4C075060K3S,UJ3CXXXYYYK3S,UJ4C075033K4S,UJ4SC075011K4S,UF3C120150K3S,UF3C170400K3S,UF3SC120040B7S,UF3SC065040B7S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S,202R18N470JV4E
【经验】SiC FET让图腾柱功率因数校正电路发挥最大优势
图腾柱功率因数校正电路一直停留在想法阶段，人们不断寻找它的有效实施技术。图腾柱PFC电路中的SiC FET不仅能实现潜在的效率增益，还容易实施。现在，人们发现，SiC FET是能让该拓扑发挥最大优势的理想开关。
设计经验 发布时间 : 2022-02-27
【经验】适用于SiC FET的简单RC缓冲电路，可解决电压过冲和振铃等问题
随着我们的产品接近边沿速率超快的理想半导体开关，电压过冲和振铃开始成为问题。适用于SiC FET的简单RC缓冲电路可以解决这些问题，并带来更高的效率增益。UnitedSiC将在本文中进行详细的分析。
设计经验 发布时间 : 2022-01-27
【应用】DFN封装的SiC FET可替代Si MOS用于LLC谐振变换器，满足100kHz频率要求
在逆变电源应用领域中，LLC谐振变换器以其高效率、低EMI噪声被大多数产品广泛采用。随着功率和开关频率的提升，本文推荐UnitedSiC的低阻抗、DFN封装SiC FET产品UF3SC065040D8S用于其中。
应用方案 发布时间 : 2020-12-30
UnitedSiC新推第四代SiC FET UJ4C系列，750V额定电压，具有同类最佳的性能指标
UnitedSiC推出新的第四代UJ4C系列SiC FET具有突破性的性能水平，旨在加速汽车和工业充电、电信整流器、数据中心PFC DC-DC转换以及可再生能源和储能应用中的功率性能提升。
原厂动态 发布时间 : 2020-12-25
现货市场
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论