【经验】揭秘自动驾驶激光雷达激光发射器电路设计原理
激光雷达LiDAR的全称为Light Detection and Ranging激光探测和测距,使用的技术是飞行时间(TOF,Time of Flight)。简而言之,就是根据激光遇到障碍后的折返时间,计算目标与自己的相对距离,业界上主要的代表企业有Velodyne、Ibeo、Quanergy等。
然而,作为一名设计研发自动驾驶激光雷达的研发者而言,只知道上面的信息是远远不够的,下面为大家揭秘激光雷达激光发射器电路实现原理,首先提供下激光雷达激光发射器电路原理简要示意图,如下图1所示。
图1:激光雷达激光发射器电路原理简要示意图
图1所示,想要设计激光雷达激光发射器电路,必须要有脉冲输入(pulse input)电路、高速开关MOSFET、激光发射二极管、储能电容、可选限流电阻等,这个电路完成了电信号转光信号的过程。其输出的光信号还要经过透镜聚焦后发射到目标物体,再将反射回的光信号通过透镜处理给TOF接收器接收,图1中代表的是1路探测电路,而实际自动驾驶激光雷达一般需要40~50路探测电路,完成360°无死角检测。
通过上面的介绍,相信大家对激光雷达的激光发射器原理已经有所了解,为加深大家对激光雷达激光发射器电路的更深入了解,下面提供其原理框图,如下图2所示。
图2:激光雷达激光发射器电路原理框图
如上激光雷达激光发射器电路的驱动核心是利用具备无敌速度GAN MOSFET做开关,具有百伏内纳秒级切换速度,是Si MOSFET速度的1000倍,而作为替代功率Si MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管的公司EPC(宜普电源转换公司),以其成熟的GAN设计工艺技术,开发出针对激光雷达的激光发射器GAN MOSFET,被广泛用于相关自动驾驶激光雷达激光发射器电路中,其产品封装为BGA封装,因尺寸、规格不同可供设计者合理选择,可参考如下图3所示。
图3:EPC开发的用于激光雷达的GAN MOSFET选型表
设计者根据实际设计需求选择对应的参数,利用GAN MOSFET用于激光雷达设计优势明显:
• 更快的开关速度-更精确和更小的脉冲
• 更高的效率-更高的脉冲重复率
• 更小的封装尺寸-更高的功率密度,更低的电感,并集成激光二极管
最后提供一下激光雷达激光发射器参考电路原理图,其GAN MOSFET选用的是EPC2016C,如下图4所示。
图4:激光雷达激光发射器参考电路原理图
通过如上的介绍,相信大家对利用激光雷达激光发射器电路设计原理已经清楚了,如果您感兴趣记得收藏哦,有问题请留言或电话联系世强申请样品,感谢!
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