【产品】频率范围13~20GHz的GaAs TR芯片RWC221、RWC211M,发射饱和输出功率为19.5dBm
瑞迪威推出的RWC221和RWC211M是一款GaAs TR芯片,芯片由发射放大器、接收低噪放和收发切换开关组成,其工作频率覆盖13~20GHz。发射和接收通道均可提供20dB的增益,发射通道在5V供电时可提供19dBm的饱和输出功率,8V供电时可提供21dBm的饱和输出功率。接收通道噪声系数约为2.5dB。RWC221M与RWC221是镜像关系,性能参数和外形尺寸完全一样。
性能参数
■频率范围:13~20 GHz
■发射饱和输出功率:19.5dBm
■接收噪声系数:2.5dB
■发射增益( @16GHz):20dB Typical
■接收增益( @16GHz):20dB Typical
■发射供电:5V@38mA;8V@46mA
■接收供电:5V@24mA
■芯片尺寸:2mm×1.5 mm×0.1mm
发射电参数(TA =+25℃, V_TX=-5V,VD_T =5V, Id=38mA,VG_T=-0.8V,V_RX=0V,VD_R=5V,VG_R=-5V)
接收电参数(TA =+25℃, V_TX=0V,VD_T =5V, VG_T=-5V,V_RX=-5V,VD_R=5V,Id=24mA,VG_R=-0.8V)
外形尺寸
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本文由FY转载自瑞迪威,原文标题为:RWC221/RWC221M GaAs pHEMT MMIC,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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产品型号
|
品类
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封装形式(Package)
|
工作频率(GHz)
|
Tx增益(dB)
|
Tx Psat(dBm)
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Rx增益(dB)
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Rx NF(dB)
|
移相位数
|
衰减位数
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工艺
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通道数
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RWC441
|
X频段多功能TR芯片
|
Die 4.72mm×5.15mm ×0.2mm
|
8~12
|
5.8
|
6
|
4
|
9
|
6
|
6
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Si
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4
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