【产品】开通时间仅16.3ns，导通电流达2.4A的P沟道增强型MOSFET来袭
Central半导体公司推出的产品CMPDM302PH为P沟道增强型MOSFET。它的封装为SOT-23F，尺寸为3mm×2.5mm×1mm。它的封装高度比SOT-23封装器件低9%，可以降低高度限制，便于紧密装配，提高产品功率密度。它的导通阻抗仅61mΩ，导通损耗低，效率高。它的开通时间仅需16.3ns，具有很高的开关速度，能达到很高的开关频率。
CMPDM302PH的VGS为4.5V，导通电流为1.2A，最大可达2.4A。额定电流大，适合用于要求大电流、小体积的便携产品中。它的额定电压VDS为30V，可以应用于5V，12V的低压电源变换器电路中。它的栅极电荷很低，仅2.8nC，具有较低的开关损耗。它的结温范围为-55～150℃，温度范围广，适应环境的能力强。
图1：CMPDM302PH实物图
CMPDM302PH主要应用在开关电源、电源变换器电路、便携式电池充电设备、电机控制等产品中。
CMPDM302PH的特性：
• 低导通阻抗（RDS（on）为61mΩ，VGS为4.5V时）
• 大额定电流（2.4A）
• 低栅极电荷（2.8nC）
• 高效率
• 封装为SOT-23F，封装高度比SOT-23低9%
• 高开关速度（开通时间ton为16.3ns）
CMPDM302PH的应用：
• 开关电源
• 电源变换器电路
• 便携式电池充电设备
• 电机控制
技术顾问：两星镶月
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小爱 Lv7. 资深专家 2018-06-21学习 -
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电子界的搬运工 Lv6. 高级专家 2018-02-08够小，厉害 -
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天行健 Lv6. 高级专家 2018-01-15好资料 -
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小叶子 Lv8. 研究员 2018-01-05不错 -
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妍妍 Lv5. 技术专家 2017-12-25内容不错 -
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少年游 Lv7. 资深专家 2017-12-08好东西，先收藏了！ -
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沈戈戈 Lv7. 资深专家 2017-12-06好东西，不错哦，学习分享了 -
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生逝如花草 Lv7. 资深专家 2017-11-22很牛逼，备用。
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Central Semiconductor（中央半导体） 所有TO-218封装器件停产EOL通知（PDN01022）
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CENTRAL SEMICONDUCTOR - 电力电子功率器件,电力电子功率模块,工业电子,消费电子,通信设备
Central Semiconductor（中央半导体） 以SOT-23F封装制造的MOSFET器件停产通知（PDN01070）
中央半导体公司宣布，由于市场需求下降，以下SOT-23F封装的MOSFET器件已停产，并被归类为生命终结（EOL）产品。包括CMPDM202PH BK、CMPDM202PH TR、CMPDM203NH BK、CMPDM203NH TR、CMPDM302PH BK、CMPDM302PH TR、CMPDM303NH BK、CMPDM303NH TR等型号。客户需在六个月内下单购买最后一批产品，并在十二个月内完成最终发货。如无替代产品，中央半导体将提供额外信息或技术数据以协助寻找替代来源。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - MOSFET,电力电子功率器件,电力电子功率模块,CMPDM202PH,工业电子,消费电子,通信设备
Central Semiconductor（中央半导体） 以SOT-23F封装制造的部分MOSFET器件停产通知（PDN01070）
Central Semiconductor宣布，由于市场需求下降，以下SOT-23F封装的MOSFET器件已进入生命终结（EOL）阶段，并要求立即停止订购。具体产品包括CEN1232系列、CMPDM202PH系列、CMPDM203NH系列、CMPDM302PH系列和CMPDM303NH系列。客户需在六个月内下单最后一批产品，并在十二个月内完成最终发货。如需替代产品信息，请联系工程部门。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - MOSFET,电力电子功率器件,电力电子功率模块,工业电子,消费电子,通信设备
Central Semiconductor（中央半导体） ATR00158（SGS） 测试报告
本报告为SGS宁波分公司出具的一份关于电子焊锡材料PB92.5SN5AG2.5的测试报告。报告编号为NGBML1600199901，测试日期为2016年1月13日至21日。报告内容包括RoHS指令2015/863修订版II附录II中限定的有害物质的检测，如镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯（PBBs）、多溴二苯醚（PBDEs）和邻苯二甲酸盐等。测试结果显示，样品中镉、铅、汞、六价铬等有害物质均未检测到，符合RoHS指令要求。
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CENTRAL SEMICONDUCTOR - 电力电子功率器件,电力电子功率模块,CTLDM303N-M832DS,工业电子,消费电子,通信设备
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本资料为元器件材料成分规格说明，涵盖了器件平均质量、材料成分、物质含量等信息。内容包括：器件平均质量为7.5g，波动范围为±10%；主要材料成分包括掺杂硅、金、铜、高温焊料、环氧树脂等，并详细列出了各成分的质量百分比和含量；同时提供了无铅和锡/铅镀层工艺的选项，并说明了产品供应的免责声明。
CENTRAL SEMICONDUCTOR - 电力电子功率器件,电力电子功率模块,CBR6M-L060,CBR4M-L040,CBR8M-L060,工业电子,消费电子,通信设备
Central Semiconductor（中央半导体） REACH合规性声明
本文件声明Central Semiconductor Corp生产的设备符合欧盟法规1907/2006（REACH）附件XVII的要求，不含有SVHCs或其含量低于0.1%（wt/wt），不含有授权清单或限制清单中的物质，不含有有意释放的物质。
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电子商城
品牌：Central Semiconductor
品类：Surface mount-MOSFET
价格：￥0.8136
现货： 16,000
品牌：Central Semiconductor
品类：Surface mount Transistor
价格：￥0.5403
现货： 6,000
现货市场
服务
可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量： 1支 提交需求>
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W； 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围：4W-60W。
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授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
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授权代理品牌：部件、组件及配件
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