【产品】开通时间仅16.3ns，导通电流达2.4A的P沟道增强型MOSFET来袭
Central半导体公司推出的产品CMPDM302PH为P沟道增强型MOSFET。它的封装为SOT-23F，尺寸为3mm×2.5mm×1mm。它的封装高度比SOT-23封装器件低9%，可以降低高度限制，便于紧密装配，提高产品功率密度。它的导通阻抗仅61mΩ，导通损耗低，效率高。它的开通时间仅需16.3ns，具有很高的开关速度，能达到很高的开关频率。
CMPDM302PH的VGS为4.5V，导通电流为1.2A，最大可达2.4A。额定电流大，适合用于要求大电流、小体积的便携产品中。它的额定电压VDS为30V，可以应用于5V，12V的低压电源变换器电路中。它的栅极电荷很低，仅2.8nC，具有较低的开关损耗。它的结温范围为-55～150℃，温度范围广，适应环境的能力强。
图1：CMPDM302PH实物图
CMPDM302PH主要应用在开关电源、电源变换器电路、便携式电池充电设备、电机控制等产品中。
CMPDM302PH的特性：
• 低导通阻抗（RDS（on）为61mΩ，VGS为4.5V时）
• 大额定电流（2.4A）
• 低栅极电荷（2.8nC）
• 高效率
• 封装为SOT-23F，封装高度比SOT-23低9%
• 高开关速度（开通时间ton为16.3ns）
CMPDM302PH的应用：
• 开关电源
• 电源变换器电路
• 便携式电池充电设备
• 电机控制
技术顾问：两星镶月
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小爱 Lv7. 资深专家 2018-06-21学习 -
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电子界的搬运工 Lv6. 高级专家 2018-02-08够小，厉害 -
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天行健 Lv6. 高级专家 2018-01-15好资料 -
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少年游 Lv7. 资深专家 2017-12-08好东西，先收藏了！ -
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沈戈戈 Lv7. 资深专家 2017-12-06好东西，不错哦，学习分享了 -
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小叶子 Lv8. 研究员 2017-12-01不错 -
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生逝如花草 Lv7. 资深专家 2017-11-22很牛逼，备用。
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