【产品】4mΩ超低导通电阻,这款功率晶体管您值得拥有!


宜普电源转换公司(EPC)于近期推出了一款增强型晶体功率管——EPC2032,该产品导通电阻RDS(0N)仅4mΩ,直流状态下ID为48A,开关速度更快,效率更高,且占板面积小,可广泛应用于高频直流-直流转换,马达驱动器,工业自动化,同步整流,浪涌保护等领域,深圳世强为其代理商之一。
EPC2032是一款氮化镓增强型晶体功率管,以硅晶片为衬底,得益于EPC先进的CMOS设备和历史悠久的开发技术经验,该产品性能卓越。作为氮化镓类功率晶体管,利用GaN的高电子迁移速率和低温度系数,EPC2032实现了4mΩ的超低导通电阻,同时其横向器件的结构形式和数量较多的载流子二极管提供了低至12nC的QG和零反向恢复损耗,因此该产品开关速度更快,效率更高,特别适用于对导通时间和导通损耗有要求的设备及场合。
EPC2032在直流状态下的漏源极电压VDS为100V,栅源电压VGS为-4~6V,满足大部分用户的一般需求。同时,直流状态下的ID为48A,脉冲状态下则高达340A,输入输出电容的典型值分别为(VDS=50V,VGS=0时)CISS=1270pF,COSS=800pF。
在结构及封装方面,EPC2032的晶片尺寸为4.6mm*2.6mm,占地面积小,有助于实现更高功率密度的电源转换,且封装符合RoHS 6/6标准,无卤素。
图1:EPC2032实物图
EPC2032的产品特性:
• 工作及贮存温度:-40℃~150℃
• 漏源极电压BVDSS:最小值100V
• 反向恢复电容CRSS:14pF
• 开关速度快:4mΩ低导通电阻,更低开关损耗及驱动功率
• 效率更高:零反向恢复损耗, QG=12nC
• 占板面积更小:晶片尺寸4.6mm*2.6mm
EPC2032的应用场合:
• 高频DC-DC转换
• 马达驱动器
• 工业自动化
• 同步整流
• 浪涌保护设备
• D类音频放大器
技术顾问:两星镶月
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用户86910647 Lv5. 技术专家 2018-11-20不错
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tn619 Lv8. 研究员 2018-11-18学习
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idearfar Lv5. 技术专家 2018-11-18此MOS封装有点少见到。
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李四 Lv7. 资深专家 2018-11-16学习了
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Clarence Lv8. 研究员 2018-11-13学习
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大锅 Lv3. 高级工程师 2018-08-17牛逼
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wangyang Lv3. 高级工程师 2017-12-28学习中
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妍妍 Lv5. 技术专家 2017-12-21不错
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最强大脑 Lv4 2017-12-09学习学习
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EPC2106氮化镓半桥增强型功率晶体管, 由Q1、Q2两个MOS管构成,更小的板载面积可以为电源转换带来更高的功率密度。
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
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品类
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Configuration
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选型表 - EPC 立即选型
【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式,你知道么?
EPC场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W,而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。
EPC Half-Bridge Development Boards 选型表
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选型表 - EPC 立即选型
EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版(AB003)
本文介绍了eGaN®技术氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)在D类音频放大器应用中的优势。eGaN FET具有更低的传播延迟、更快的slew rate和零反向恢复电荷(QRR),从而实现更低的开环失真、总谐波失真和总功耗。文章还提供了eGaN FET在D类音频放大器设计中的推荐器件和参考设计。
EPC - 电力电子功率器件,放大器,电力电子功率模块,比较器,EPC2036,EPC9509,EPC9001C,EPC2010C,EPC9003C,EPC2016C,EPC2019,EPC9106,EPC2032,EPC9046,EPC2031,EPC9047,EPC2034,EPC9048,EPC2033,EPC9061,EPC9062,EPC9040,EPC9002C,EGANAMP2016,EPC2103,EPC2001C,EPC2029,EPC2106,EPC2015C,EPC2108,EPC9010C,EPC2107,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC2021,EPC9035,EPC2020,EPC9014,EPC9510,EPC2022,EPC9033,EPC9055,EPC9050,EGANAMP 2.1,EPC9006C,公共安全设备,工业电子,消费电子,军工设备,汽车电子,通信设备
EPC(宜普)增强型氮化镓功率晶体管技术简介(中文版)
本文介绍了eGaN® FET技术,一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比,eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势,包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等,并提供了选型指南和设计支持资源。
EPC - 转换器,电力电子功率器件,放大器,电力电子功率模块,比较器,EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033,公共安全设备,工业电子,消费电子,军工设备,汽车电子,通信设备
EPC eGaN FETs and ICs 选型表
产品型号
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品类
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Status
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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选型表 - EPC 立即选型
【应用】氮化镓场效应晶体管导通电阻具有正温度系数,助力并联器件设计
EPC的氮化镓RDS(ON)的温度特性均是正温度系数, RDS(ON)随着器件温度的增加而增加,这样并联使用时,管子的RDS(ON)自行调控,从而均衡所有管子的电流和温度的均衡度,提高并联系统的稳定性。
EPC2066–增强型功率晶体管
本资料为EPC2066增强型功率晶体管的电子数据表。该器件采用氮化镓技术,具有极低的导通电阻(RDS(on)),适用于高密度DC-DC转换、电机驱动、工业自动化、同步整流、浪涌保护和点负载转换器等领域。
EPC - ENHANCEMENT MODE POWER TRANSISTOR,增强型功率晶体管,EPC2066,负载点(POL)转换器,同步整流,MOTOR DRIVE,INDUSTRIAL AUTOMATION,工业自动化,高密度DC-DC转换,HIGH DENSITY DC-DC CONVERSION,POINT-OF-LOAD (POL) CONVERTERS,SYNCHRONOUS RECTIFICATION,电动机驱动,涌流保护,INRUSH PROTECTION
EPC(宜普)EPC2110双增强型功率晶体管数据手册
本资料为EPC2110双增强型功率晶体管的初步规格说明书。该产品采用eGaN®技术,具有低导通电阻、高电流承载能力等特点,适用于超高频直流-直流转换、无线电力传输和同步整流等领域。
EPC - 双增强型功率晶体管,DUAL ENHANCEMENT MODE POWER TRANSISTOR,电力电子功率器件,电力电子功率模块,EPC2110ENGR,EPC2110,公共安全设备,工业电子,同步整流,无线电源传输,消费电子,ULTRA HIGH FREQUENCY DC-DC CONVERSION,WIRELESS POWER TRANSFER,军工设备,SYNCHRONOUS RECTIFICATION,汽车电子,超高频DC-DC变换器,通信设备
氮化镓功率管还只能在实验室用吗?
GaN FET目前已经商业化应用了,推荐EPC的GaN FET,典型应用包括手机无线充电、高功率密度电源适配器。如有需要请查看EPC 硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南,下载地址:https://www.sekorm.com/doc/64054.html
EPC8002–增强型功率晶体管egallium nitride®FET数据手册
本资料为EPC8002增强型功率晶体管的电子数据表。该器件采用氮化镓技术,具有低导通电阻(RDS(on))、高开关频率和优异的热性能等特点。适用于高速直流-直流转换、射频包络跟踪、无线电力传输、游戏机和工业运动控制以及激光雷达传感等领域。
EPC - 氮化镓®场效应晶体管,ENHANCEMENT MODE POWER TRANSISTOR,EGAN® FET,增强型功率晶体管,EPC8002,ULTRA HIGH SPEED DC-DC CONVERSION,RF ENVELOPE TRACKING,INDUSTRIAL MOVEMENT SENSING (LIDAR),无线电源传输,WIRELESS POWER TRANSFER,射频包络跟踪,游戏机,超高速DC-DC变换器,GAME CONSOLE,工业移动传感(激光雷达)
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型,最大耐压15V-350V,持续电流0.5A-90A,导通阻抗1.45Ω-3300mΩ,导通电荷0.044nC-19nC,峰值电流0.5A-590A。
产品型号
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品类
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最大耐压(V)
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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选型表 - EPC 立即选型
电子商城
现货市场
服务

可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm;笔电D8热管打扁厚度1.0mm,可解40W热量;高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量: 10000 提交需求>

根据用户的蓝牙模块,使用Bluetooth 蓝牙测试装置MT8852B,测试蓝牙1.0至5.1,包括传输速率、功率、频率、调制和接收机灵敏度,生成测试报告。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
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