【产品】150V/126A N沟道功率MOSFET JMSH1507AEQ,耗散功率231W(Tc=25℃)
捷捷微电子公司是一家集芯片研发、芯片制造、封测和销售为一体的江苏省高新技术企业,其推出的N沟道功率MOSFET器件JMSH1507AEQ采用TO263-3L封装,其漏源电压额定值为150V,栅源电压额定值为±20V,连续漏极电流额定值为126A(TC=25℃),静态漏源导通电阻典型值为5.2mΩ(VGS=10V,ID=20A,TJ=25℃);产品实物图和等效电路图如下。
产品特征
•超低RDS(ON)
•低栅极电荷
•大电流能力
•100% UIS测试,100% Rg测试
•符合AEC-Q101标准
•用于汽车应用的功率MOSFET
绝对最大额定值(TA=25℃,除非另外说明)
热性能
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