【产品】20V N沟道增强型MOS场效应管.8205S/P，采用SOT23-6封装，适合大功率、大电流应用
富满电子推出.8205S/P 20V N沟道增强型MOS场效应管，具有专有的先进平面技术，高密度超低电阻设计，大功率、大电流应用，理想的锂电池应用，封装形式：SOT23-6的特点。
RDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@3.0A=29mΩ
RDS(ON),Vgs@4.0V,Ids@4.0A=25mΩ
RDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@4.5A=22mΩ
最大额定值和热特性（Ta＝25℃，除非另有说明）
电特性
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产品型号
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品类
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Vds(v)
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Vth（V）
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Vgs （±V）
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Rds(on）Typ10V (mΩ)
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Configuration
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ID@TC=25℃（A）
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Package
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FM50R3K0K
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N沟道超级结功率MOSFET
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500
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3.0-4.5
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30
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3000
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Single-N
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1.5
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TO252
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选型表 - 富满电子 立即选型
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现货市场
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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