【产品】20V N沟道增强型MOS场效应管.8205S/P,采用SOT23-6封装,适合大功率、大电流应用

2022-11-16 富满电子
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富满电子推出.8205S/P 20V N沟道增强型MOS场效应管,具有专有的先进平面技术,高密度超低电阻设计,大功率、大电流应用,理想的锂电池应用,封装形式:SOT23-6的特点。


  • RDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@3.0A=29mΩ

  • RDS(ON),Vgs@4.0V,Ids@4.0A=25mΩ

  • RDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@4.5A=22mΩ


最大额定值和热特性(Ta=25℃,除非另有说明)


电特性

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品类
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Rds(on)Typ10V (mΩ)
Vgs (±V)
Vth(V)
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Package
FM50R3K0K
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30
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