【产品】20V N沟道增强型MOS场效应管.8205S/P,采用SOT23-6封装,适合大功率、大电流应用
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富满电子推出.8205S/P 20V N沟道增强型MOS场效应管,具有专有的先进平面技术,高密度超低电阻设计,大功率、大电流应用,理想的锂电池应用,封装形式:SOT23-6的特点。
RDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@3.0A=29mΩ
RDS(ON),Vgs@4.0V,Ids@4.0A=25mΩ
RDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@4.5A=22mΩ
最大额定值和热特性(Ta=25℃,除非另有说明)
电特性
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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
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