【产品】AEC-Q101认证的P沟道汽车级功率MOSFET，主要应用于车载开关应用

时间： 2019-04-06 来源：ROHM

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RD3H045SPFRA / RD3H080SPFRA / RD3H160SPFRA是ROHM推出的3款P沟道汽车级功率MOSFET，其漏源电压均为-45V。这3款产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，符合AEC-Q101认证，内置了用于静电保护的二极管，简单的驱动电路使产品易于并联使用。同时，这3款产品具有优良的电气特性：低导通电阻、快开关速度、驱动电压仅-4V，主要应用于车载开关应用。

图1 RD3H045SPFRA / RD3H080SPFRA / RD3H160SPFRA汽车级功率MOSFET的产品图

图2 3款汽车级MOSFET的内部电路图

3款产品均采用TO-252封装。如图2，(1)为栅极，(2)为漏极，(3)为源极，*1为用于静电保护的二极管，*2为MOSFET内部的二极管。

3款MOSFET的漏源电压均为-45V，栅源电压均为±20V，漏源极漏电流（max.）均为-1μA，栅源极漏电流（max.）均为±10μA，结温均为150℃，工作和存储温度均为-55℃~150℃。从型号上看，3款产品的主要区别是连续漏极电流不同，依次为±4.5A / ±8A / ±16A，同时，它们的脉冲漏极电流，功耗，结壳热阻，导通电阻，栅极电阻不同，具体如图3。

图3 3款汽车级MOSFET的电气参数

RD3H045SPFRA / RD3H080SPFRA / RD3H160SPFRA汽车级MOSFET的特征:

低导通电阻
开关速度快
驱动电路简单

易于并联

无铅电镀

符合RoHS标准

符合AEC-Q101认证

RD3H045SPFRA / RD3H080SPFRA / RD3H160SPFRA汽车级MOSFET的应用：

车载开关应用

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