【产品】AEC-Q101认证的P沟道汽车级功率MOSFET,主要应用于车载开关应用
RD3H045SPFRA / RD3H080SPFRA / RD3H160SPFRA是ROHM推出的3款P沟道汽车级功率MOSFET,其漏源电压均为-45V。这3款产品采用无铅电镀,符合RoHS标准,符合AEC-Q101认证,内置了用于静电保护的二极管,简单的驱动电路使产品易于并联使用。同时,这3款产品具有优良的电气特性:低导通电阻、快开关速度、驱动电压仅-4V,主要应用于车载开关应用。
图1 RD3H045SPFRA / RD3H080SPFRA / RD3H160SPFRA汽车级功率MOSFET的产品图
图2 3款汽车级MOSFET的内部电路图
3款产品均采用TO-252封装。如图2,(1)为栅极,(2)为漏极,(3)为源极,*1为用于静电保护的二极管,*2为MOSFET内部的二极管。
3款MOSFET的漏源电压均为-45V,栅源电压均为±20V,漏源极漏电流(max.)均为-1μA,栅源极漏电流(max.)均为±10μA,结温均为150℃,工作和存储温度均为-55℃~150℃。从型号上看,3款产品的主要区别是连续漏极电流不同,依次为±4.5A / ±8A / ±16A,同时,它们的脉冲漏极电流,功耗,结壳热阻,导通电阻,栅极电阻不同,具体如图3。
图3 3款汽车级MOSFET的电气参数
RD3H045SPFRA / RD3H080SPFRA / RD3H160SPFRA汽车级MOSFET的特征:
低导通电阻
开关速度快
驱动电路简单
易于并联
无铅电镀
符合RoHS标准
符合AEC-Q101认证
RD3H045SPFRA / RD3H080SPFRA / RD3H160SPFRA汽车级MOSFET的应用:
车载开关应用
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