【产品】AEC-Q101认证的P沟道汽车级功率MOSFET，主要应用于车载开关应用
RD3H045SPFRA / RD3H080SPFRA / RD3H160SPFRA是ROHM推出的3款P沟道汽车级功率MOSFET，其漏源电压均为-45V。这3款产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，符合AEC-Q101认证，内置了用于静电保护的二极管，简单的驱动电路使产品易于并联使用。同时，这3款产品具有优良的电气特性：低导通电阻、快开关速度、驱动电压仅-4V，主要应用于车载开关应用。
图1 RD3H045SPFRA / RD3H080SPFRA / RD3H160SPFRA汽车级功率MOSFET的产品图
图2 3款汽车级MOSFET的内部电路图
3款产品均采用TO-252封装。如图2，(1)为栅极，(2)为漏极，(3)为源极，*1为用于静电保护的二极管，*2为MOSFET内部的二极管。
3款MOSFET的漏源电压均为-45V，栅源电压均为±20V，漏源极漏电流（max.）均为-1μA，栅源极漏电流（max.）均为±10μA，结温均为150℃，工作和存储温度均为-55℃~150℃。从型号上看，3款产品的主要区别是连续漏极电流不同，依次为±4.5A / ±8A / ±16A，同时，它们的脉冲漏极电流，功耗，结壳热阻，导通电阻，栅极电阻不同，具体如图3。
图3 3款汽车级MOSFET的电气参数
RD3H045SPFRA / RD3H080SPFRA / RD3H160SPFRA汽车级MOSFET的特征:
低导通电阻
开关速度快
驱动电路简单
易于并联
无铅电镀
符合RoHS标准
符合AEC-Q101认证
RD3H045SPFRA / RD3H080SPFRA / RD3H160SPFRA汽车级MOSFET的应用：
车载开关应用
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