【应用】采用eGaN FET EPC2045实现低成本高性能的DCDC设计

时间： 2020-08-01 来源：世强

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EPC2045是一款100V/7mΩ、电流能力高达16A的增强型氮化镓场效应晶体管。EPC采用了EPC2045搭建了一款DCDC参考设计板EPC9130。通过EPC9130可以看出，相比于SiMOSFET的DCDC方案设计，采用EPC2045氮化镓方案设计的DCDC产品具有低成本和更高性能的特性。

图1：EPC2045主要参数，原理和封装

EPC9130采用的是5路并联设计，每路采用2PCS的氮化镓，模块为48V输入，12V输出，输出电流可高达60A，相当于一款750W的DCDC产品。模块的功率密度是非常高，整体效率最高可达96.1%。

图2：EPC9130的设计原理和实物示意图

目前采用EPC2045的EPC9130的功率密度做到了1250W/in³，在成本上可以实现¥0.5/W以内的低成本设计。EPC2045相比于Si MOSFET，在损耗上优势也比较明显。在48V输入、12V/10A输出的情况下，当驱动频率为500KHz，采用Si MOSFET的总损耗在6W左右，采用EPC2045的氮化镓技术，总损耗在4.2W，相当于6-4.2/12*10=1.5%的效率差异。另外从图3曲线可以看出，当驱动频率越高，整体上的损耗差距越大，氮化镓器件的高性能优势越明显。

图3：驱动频率和损耗的关系

故采用EPC2045 eGaN FET可以实现DCDC低成本高性能的设计。

EPC2045相关参数：

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