【应用】PJD40N04 N沟道增强型MOSFET在汽车车窗电机驱动电路的应用
在现代汽车中，电动车窗已成为标配部件。车窗驱动电机是玻璃升降器的动力源，电机性能的好坏和可控性决定着汽车车窗玻璃升降工作的稳定性和安全性。由于成本的原因，目前大部分的低档车型车窗电机采用有刷电机，不但体积大，而且效率低，干扰严重。永磁无刷电机由于寿命长、体积小、重量轻、效率高等优点，在高档车型上装配较多，随着成本的不断降低，将会在家庭普通轿车中广泛应用。其原理如图1所示。
图1.无刷直流电机驱动原理图
无刷直流电机采用三相全桥电流驱动，其MOSFET的导通电阻、开关速度、输出电容、开关状态损耗等直接影响到驱动器的效率和性能。同时，在选择MOSFET时，不但要考虑性能指标，而且也要考虑成本，选择合适的漏源电压值和工作电流值，以达到合适的性价比。针对此处的应用，PANJIT(强森)公司推荐N沟道增强型MOSFET— PJD40N04，该MOSFET导通电阻最大12mΩ（VGS=10V，ID=20A），并具有高开关速度和合适的电气参数值，适合做为车窗电机的驱动电路主功率芯片。产品外观如图2所示。
图2. PJD40N04 N沟道增强型MOSFET的产品封装图
PJD40N04 N沟道增强型MOSFET最大漏源电压VDS为40V，最大连续漏极电流ID为40A（Tc=25℃），在车载供电系统下，可用于200W左右的驱动电路，并保留足够的裕量；同时，最大可承受耗散功率PD为36W（Tc=25℃），最大脉冲峰值漏极电流可达120A，可有效的应对设备开关机引起的浪涌电流冲击，具有很高的可靠性。栅极总电荷Qg为10nC(典型值)，易于驱动并具有超低的驱动损耗。输出电容COSS为117pF(典型值)，低输出电容有利于优化MOSFET开通关断时的漏-源电压波形，提高驱动电路的效率。开通时间（td(on)+tr）为28.4ns，关断时间（td(off)+tf）为133ns，具有运行在高开关速度下的能力，有利于提高控制器的动态性能。该MOSFET符合EU RoHS 2.0、IEC 61249标准，是一款绿色环保的的功率器件。其封装为TO-252AA，工作结温温度-55~150℃，达到军工温度等级水平，可在苛刻的环境下应用。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由楠木II提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【应用】N沟道增强型MOSFET PJD80N06在用于潜水泵设计，导通电阻仅7mΩ
某客户在设计潜水泵中采用某进口品牌低压MOSFET 2SK3730，供应周期长，在现场出现MOSFET经常过温而烧毁的情况，笔者推荐使用PANJIT的N沟道增强型MOSFET PJD80N06，导通电阻最大值7mΩ，Ciss为6252pF，能很好实现替代。
【产品】DFN2020B-6L封装的60V/3.2A N沟道增强型MOSFET PJQ2460
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了DFN2020B-6L封装的PJQ2460（60V/3.2A）N沟道增强型MOSFET。无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
【产品】内置ESD防护的60V/250mA N沟道增强型MOSFET 2N7002KDW-AU
PANJIT（强茂）推出了2N7002KDW-AU为N沟道增强型MOSFET且内置ESD防护。采用SOT-363封装，其中漏-源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值为250mA。
APG072N06G-Au N沟道增强型MOSFET
描述- 本资料介绍了APG072N06G-AU型N沟道增强型MOSFET的特性。该器件具有60V的漏源电压、45A的连续漏极电流和低导通电阻（RDS（ON）<7.2mΩ@VGS=10V）。它适用于电池管理系统、电机驱动器和直流-直流转换器等应用。
型号- APG072N06G-AU
【产品】DFN5060-8L封装的60V/42A N沟道增强型MOSFET PJQ5462A
PANJIT(强茂)推出了DFN5060-8L封装的PJQ5462A（60V/42A）N沟道增强型MOSFET。符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
【产品】DFN3333-8L封装的PJQ4442P（40V/50A）N沟道增强型MOSFET，采用了先进的沟槽工艺技术
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了DFN3333-8L封装的PJQ4442P（40V/50A）N沟道增强型MOSFET。采用先进的沟槽工艺技术超低的导通电阻，符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
APG060N12 N沟道增强型MOSFET数据手册
描述- 本资料介绍了APG060N12型N沟道增强型MOSFET的特性。该器件具有高电流承载能力、低导通电阻和先进的沟槽式电容器设计，适用于电机驱动器和DC-DC转换器等应用。
型号- APG060N12
强茂（PANJIT）Low Voltage MOSFET选型表
强茂（PANJIT）提供以下参数选型：VDS(V)：-40~40,VGS(±V)：8-20,ID(A)：-100~136,RDS(on) Max. (Ω)(10V)：1.6~160等。强茂开发一系列不同封装的低压MOSFET产品，适用于笔记型电脑,平板电脑,主机板等3C产品均会使用到此类型产品；采沟槽式(Trench)结构与封装技术相结合实现低导通电阻提升产品性能。
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Product Status
|
Replacement Part
|
AEC-Q101 Qualified
|
ESD
|
Polarity
|
Config.
|
VDS(V)
|
VGS(±V)
|
ID(A)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
|
Ciss Typ.(pF)
|
VGS(th) Max.(V)
|
Qg Typ. (nC)(10V)
|
Qg Typ. (nC)(4.5V)
|
|
PJQ5542V-AU
|
Low Voltage MOSFET
|
DFN5060-8L
|
New Product
|
-
|
AEC-Q101 Qualified
|
-
|
N
|
Single
|
40
|
20
|
136
|
3
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
3050
|
3.5
|
43
|
-
|
选型表 - PANJIT 立即选型
【产品】60V/40A DFN5060-8L封装的PJQ5466A的N沟道增强型MOSFET，反向传输电容为85pF
PANJIT推出了60V/40A DFN5060-8L封装的PJQ5466A的N沟道增强型MOSFET，反向传输电容为85pF。具有开关速度快、改进的dv/dt能力、反向传输电容低的特点，符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
APG055N12T N沟道增强型MOSFET数据手册
描述- 本资料介绍了APG055N12T型N沟道增强型MOSFET的特性。该器件具有高电流承载能力，适用于电机驱动器和DC-DC转换器等领域。资料提供了详细的电气特性、热阻、封装尺寸和应用信息。
型号- APG055N12T
【产品】60V/300mA的N沟道增强型MOSFET 2N7002K，内置了ESD保护二极管
PANJIT公司的N沟道增强型MOSFET 2N7002K，内置了ESD保护二极管，采用先进的沟槽处理技术，高密度单元设计实现超低导通电阻。漏源电压为60V，漏极持续电流为300mA，最大耗散功率为350mW，采用SOT-23封装。
【产品】30V/90A的N沟道增强型MOSFET PJD90N03
PANJIT（强茂）推出了PJD90N03为N沟道增强型MOSFET。采用TO-252AA封装，其中漏-源电压最大额定值为30V，连续漏极电流最大额定值为90A。
APG018N03D N沟道增强型MOSFET数据手册
描述- 该资料详细介绍了APG018N03D型号的N沟道增强型MOSFET的特性、电气参数和应用。主要包括其高电压、大电流能力，低导通电阻，适用于电机驱动器和DC-DC转换器等领域。
型号- APG018N03D
【产品】强茂新推1A/20V无铅N沟道增强型MOSFET PJQ1820U-20V，采用先进沟槽工艺技术
强茂（PANJIT）推出一款采用DFN1010B-6L封装的N沟道增强型MOSFET PJQ1820U-20V，在TA=25℃的条件下，漏源电压为20V，栅源电压为±8V，连续漏极电流为1.0A。
【产品】强茂N沟道增强型MOSFET PJA3416AE-AU，ESD保护高达2KV HBM
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3416AE-AU，高达2KV HBM的ESD保护，在TA=25℃的条件下，其漏源电压为20V，栅源电压为±8V，连续漏极电流为6.5A。
电子商城
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.0900
现货： 16,490
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1090
现货： 6,465
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet
价格：￥0.6648
现货： 5,000
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1170
现货： 4,050
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3258
现货： 3,574
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.0855
现货： 3,150
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1676
现货： 3,000
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.0904
现货： 2,930
品牌：PANJIT
品类：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.5916
现货： 2,900
现货市场
服务
可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
最小起订量： 1 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论