【产品】60V/200A N沟道增强型功率MOSFET RU6199R,可用于汽车,SMPS的高效同步等领域

2022-04-08 锐骏半导体
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RU6199R锐骏半导体推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,该产品可靠、坚固、无铅环保,可应用于汽车,SMPS的高效同步、高速电源等。

特点:

·60V/200A,RDS(ON)=2.8mΩ(Typ.)@VGS=10V

·额定雪崩

·可靠,坚固

·无铅环保器件(符合RoHS标准)


应用:

·汽车和各种其他应用

·SMPS的高效同步

·高速电源开关



极限参数

电气参数(TA=25℃,除非另有说明)


订购信息



授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品型号
品类
Package
Blocking Voltag(V)
Current Rating(A)
Generation
Total Power Dissipation PTOT(W)
Thermal resistance RthJ-C(°C/W)
YJD106502DQG3
SiC肖特基二极管
TO-252
650
2
Gen3
42
3.62

选型表  -  扬杰科技 立即选型

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品类:场效应管

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品类:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

价格:¥0.1576

现货: 5,000

品牌:丽正国际

品类:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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品类:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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品类:MOSFET

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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

波导隔离器定制

可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。

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