【产品】60V/200A N沟道增强型功率MOSFET RU6199R,可用于汽车,SMPS的高效同步等领域
RU6199R是锐骏半导体推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,该产品可靠、坚固、无铅环保,可应用于汽车,SMPS的高效同步、高速电源等。
特点:
·60V/200A,RDS(ON)=2.8mΩ(Typ.)@VGS=10V
·额定雪崩
·可靠,坚固
·无铅环保器件(符合RoHS标准)
应用:
·汽车和各种其他应用
·SMPS的高效同步
·高速电源开关
极限参数
电气参数(TA=25℃,除非另有说明)
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扬杰科技SiC肖特基二极管、SiC汽车电子选型表
扬杰科技提供以下技术参数的肖特基二极管、SiC汽车电子【Silicon Carbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement)/碳化硅功率MOSFET(N沟道增强型)】选型,总功率损耗PTOT(W):31W~638W,额定电流Blocking Voltag(V):650V~1200V;
产品型号
|
品类
|
Package
|
Blocking Voltag(V)
|
Current Rating(A)
|
Generation
|
Total Power Dissipation PTOT(W)
|
Thermal resistance RthJ-C(°C/W)
|
YJD106502DQG3
|
SiC肖特基二极管
|
TO-252
|
650
|
2
|
Gen3
|
42
|
3.62
|
选型表 - 扬杰科技 立即选型
锐骏半导体MOSFET选型表
锐骏半导体提供以下参数的MODFET:Channel:P/N+P/Dual+P/Dual-P; ESD Diode :N/Y;VDSS:-40~85V;VTH:-3~5V;IDS:-70~230A
产品型号
|
品类
|
Channel
|
ESD Diode (Y/N)
|
VDSS(V)
|
VTH(V)
|
IDS(A)@TA=25℃ (A)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
|
RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
|
Package
|
RU207C
|
MOSFET
|
N
|
N
|
20
|
0.5-1.1
|
6
|
10
|
15
|
SOT23-3
|
选型表 - 锐骏半导体 立即选型
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品牌:丽正国际
品类:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格:¥0.1576
现货: 5,000
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现货: 5,000
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
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