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【产品】采用SOT23-3封装的N沟道增强型功率MOSFET RU207C,可用于电源管理应用
锐骏半导体推出一款SOT23-3封装的N沟道增强型功率MOSFET——RU207C,采用超高密度单元设计,漏源电压最大额定值为20V,连续漏极电流最大额定值为6A(TA=25℃),具有低导通电阻特性,可靠、坚固,可用于电源管理应用。
【产品】锐骏半导体推出N沟道增强型功率MOSFET RUH3051M,漏-源导通电阻典型值可低至4.2mΩ
RUH4040M3是锐骏半导体推出的N沟道高级功率MOSFET,器件具有超低导通电阻,100%雪崩测试,采用锐骏半导体先进的RUISGTTM技术,提供无铅和绿色设备(符合RoHS标准),可应用于DC/DC转换器、服务器的板载电源、同步整流应用等领域。
【产品】采用PDFN5060封装的N沟道增强型功率MOSFET RU3089M,漏源电压为30V
锐骏半导体推出采用PDFN5060封装的N沟道增强型功率MOSFET RU3089M,漏源电压为30V,TC=25℃时,连续漏极电流为90A(VGS=10V)。该器件无铅和绿色环保,适用于DC/DC转换器、负载开关和同步整流。
DHS022N06/DHS022N06F/DHS022N06I/DHS022N06E 180A 60V N沟道增强型功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DHS022N06系列N沟道增强型功率MOSFET的特性、电气特性、热特性、典型特性曲线、测试电路和波形图等产品信息。该系列产品采用先进的栅极技术设计,具有低导通电阻、低栅极电荷等优点,适用于电源开关应用、逆变器管理系统、电动工具和汽车电子等领域。
型号- DHS022N06I,DHS022N06F,DHS022N06E,DHS022N06,DHSXXXNEXXF
DHS055N07B/DHS055N07D 95A 68V N沟道增强型功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DHS055N07B/DHS055N07D型号的N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的分割栅槽技术设计,具备优异的Rdson和低栅极电荷特性,符合RoHS标准。产品特性包括快速开关、低导通电阻、低栅极电荷、高雪崩电流、低反向转移电容等,适用于SMPS同步整流、硬开关高速电路、电源工具、UPS、电机控制等领域。
型号- DHS055N07B,DHS055N07D
DH029N08/DHI029N08/DHE029n08/DH029n08D/DH029n08B 180A 80V N沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了DH029N08系列N沟道增强型功率MOSFET的特性、电气参数和应用领域。这些器件采用先进的槽栅技术设计,具有低导通电阻和低栅极电荷等特点,适用于开关电源、DC-DC转换器、电动工具控制和汽车电子等领域。
型号- DHE029N08,DHFXXNEXX,DH029N08,DH029N08D,DHI029N08,DH029N08B
WMQ119N10LG2 100V N沟道增强型功率MOSFET
描述- WMQ119N10LG2是一款采用Wayon第二代功率沟槽MOSFET技术的100V N-Channel增强型功率MOSFET。该器件具有低导通电阻和优异的开关性能,适用于高效率快速切换应用,如同步整流、硬开关和高速电路、DC/DC转换器等。
型号- WMQ119N10LG2
CS10N65A N沟道增强型功率MOSFET
描述- 本资料介绍了CS10N65A型N通道增强模式功率MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件具有高速切换、低导通电阻和低栅极电荷等特点,适用于适配器和充电器电源开关电路。
型号- CS10N65A3-R,CS10N65A2,CS10N65A5-R,CS10N65A1,CS10N65A,CS10N65A3
DSP051N10N 96A 100V N沟道增强型功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DSP051N10N型N沟道增强型功率MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用先进的分割栅槽技术设计,具有低导通电阻和低栅极电荷等特点,适用于SMPS同步整流、硬开关高速电路、电源工具、不间断电源(UPS)和电机控制等领域。
型号- DSP051N10N,DSGXXXNEXXNA
5N20A N沟道增强型功率MOSFET
描述- 5N20A是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET,具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。其主要特性包括200V的VDS、5A的ID(在VGS = 10V时)、小于580mΩ的RDS(ON)(在VGS = 10V时)、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和符合RoHS标准。
型号- 5N20A
DH045N04P 80A 40V N沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DH045N04P型N沟道增强型功率MOSFET的特性、电气参数和应用领域。产品采用先进的槽栅技术设计,具有低导通电阻和低栅极电荷等特点,适用于电源开关应用、逆变器管理系统、电动工具和汽车电子等领域。
型号- DH045N04P,DHXXXNEXXF
DHS022N06/DHS022N06F/DHS022 N06I/DHS0 22N06E 180A 60V 180A 60V N沟道增强型功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DHS022N06系列N沟道增强型功率MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该系列产品采用先进的栅极技术设计,具有低导通电阻、低栅极电荷等优点,适用于电源开关应用、逆变器管理系统、电动工具和汽车电子等领域。
型号- DHS022N06I,DHS022N06F,DHS022N06E,DHS022N06,DHSXXXNEXXF
WMS06N15T2 150V N沟道增强型功率MOSFET
描述- WMS06N15T2是一款150V N-Channel增强型功率MOSFET,采用先进的功率沟槽技术,旨在降低导通电阻并保持优异的开关性能。该产品具有高速度功率平滑开关、低栅极电荷、符合RoHS标准和无卤素等特点,适用于SMPS同步整流、硬开关和高速电路、电源工具、UPS和电机控制等领域。
型号- WMS06N15T2
NCE80H12 NCE N沟道增强型功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCE80H12NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET的特性、应用范围和相关测试电路。产品采用先进的沟槽技术设计,具有低RDS(ON)、高密度单元设计和良好的热稳定性等特点,适用于汽车应用、硬开关和高频电路等领域。
型号- NCE80H12
【产品】上海贝岭推出硅N沟道增强型功率MOSFET BLS65R380,适用于高频开关电源
BLS65R380是上海贝岭推出的一款硅N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的超结技术,可降低导通损耗,提高开关性能。 该晶体管适用于SMPS、高速开关和通用应用场合。
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品牌:丽正国际
品类:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格:¥0.1576
现货: 5,000
品牌:丽正国际
品类:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格:¥0.1576
现货: 5,000
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
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