【产品】60V/3A的N沟道增强型场效应晶体管YJL03N06B，采用沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJL03N06B，SOT-23封装。采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低RDS(ON)的高密度单元设计，可用于高速开关。
产品图和内部电路图
主要参数值：
漏源电压最大额定值为60V
漏极电流（TA=25℃）可达3A
静态漏源导通电阻不超过100mΩ（VGS=10V）;
静态漏源导通电阻不超过120mΩ（VGS=4.5V）;
静态漏源导通电阻不超过200mΩ（VGS=2.5V）;
脉冲漏极电流最大额定值12A
总功率耗散最大值为1.2W
工作结温和存储温度范围均为-55~+150℃
结到环境热阻最大额定值为105℃/W
应用领域
●电池保护
●负载开关
●电源管理
订购信息
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