【产品】60V/3A的N沟道增强型场效应晶体管YJL03N06B，采用沟槽功率低压MOSFET技术

时间： 2020-11-21 来源：扬杰科技

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扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管 YJL03N06B，SOT-23封装。采用沟槽栅低压功率MOSFET技术和低R_DS(ON)的高密度单元设计，可用于高速开关。

产品图和内部电路图

主要参数值：

漏源电压最大额定值为60V

漏极电流（T_A=25℃）可达3A

静态漏源导通电阻不超过100mΩ（V_GS=10V）;

静态漏源导通电阻不超过120mΩ（V_GS=4.5V）;

静态漏源导通电阻不超过200mΩ（V_GS=2.5V）;

脉冲漏极电流最大额定值12A

总功率耗散最大值为1.2W

工作结温和存储温度范围均为-55~+150℃

结到环境热阻最大额定值为105℃/W

应用领域

●电池保护

●负载开关

●电源管理

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