【产品】73mΩ低导通电阻,0.9*0.9mm超小体积,零反向传输损耗功率管!
宜普电源转换公司(EPC)推出了一款性能卓越的增强型功率晶体管--EPC2036,该产品不仅具有0.9mm*0.9mm的超小体积,还具有73mΩ的超低导通电阻,开关频率更快,效率更高,可广泛应用于高速直流-直流转换,无线电源传输,D类音频放大器,光学遥感技术和脉冲式功率应用等场合。
EPC2036是一款氮化镓增强型功率晶体管,采用EPC先进的CMOS制备设备和历史悠久的开发经验及技术进行生产研制,具有卓越的性能优势。利用GaN高电子迁移速率和低温度系数的优点,EPC2036的导通电阻低至73mΩ,同时具有零反向传输损耗和700PC典型值的QG,EPC2036连续状态下电流ID 1.7A,脉冲状态18A,输入输出电容的典型值分别为CISS=75pF,COSS=50pF,这些优异的性能保证了该产品能够实现较高的开关转换效率,非常适合应用于对开关速度,导通时间和导通损耗有要求的场合。在驱动电压方面,EPC2036连续状态下的漏源电压VDS为100V,栅源电压VGS为-4~6V,能够满足用户的一般性需求。
在结构方面,EPC2036晶片尺寸仅0.9mm*0.9mm,超小的占板面积有助于实现更高功率密度的电源转换,对于小型化要求日益严格的电子系统来说,该尺寸具有绝对的优势。同时EPC2036的封装符合RoHS 6/6标准,且无卤素。
图1:EPC2036产品示意图
EPC2036的产品特性:
• 工作及贮存温度:-40℃~150℃
• 开关频率快,低开关损耗,低驱动功率
• 导通电阻RDS(ON):73mΩ,导通连续电流ID:1.7A(连续状态),18A(脉冲状态)
• 效率更高:零反向恢复损耗,QG典型值700PC
• 占板面积更小:实现更高密度的电源转换(0.9mm*0.9mm的晶片尺寸)
• 符合RoHS 6/6标准,无卤素
EPC2036的应用场合:
• 高速DC-DC转换
• 无线电源传送
• D类音频放大器
• 光学遥感技术/脉冲式功率应用
技术顾问:刘一分
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gaogao Lv7. 资深专家 2018-11-22好好学习天天向上
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LouBing Lv7. 资深专家 2018-11-20很好很强大
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小燕子66 Lv4. 资深工程师 2018-09-21没看懂
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Tonyxing Lv8. 研究员 2018-07-10不错
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耕者 Lv6. 高级专家 2018-01-13好资料!学习了!~
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天行健 Lv6. 高级专家 2018-01-12好资料
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一头笨牛 Lv8. 研究员 2018-01-12学习
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无所畏 Lv4. 资深工程师 2018-01-11非常不错
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terrydl Lv9. 科学家 2018-01-11学习一下
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serena Lv7. 资深专家 2018-01-11零方向传输损耗,这个不简单
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EPC 公司推出的GaN功率晶体管EPC2100,漏源电压VDS最大值为30V(连续),驱动电压范围-4V~6V,工作温度范围-40℃~150℃,最大工作频率超过10MHz,应用于高频DC-DC电源转换和负载点(POL)转换器等方面。
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
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品类
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Configuration
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
EPC(宜普)增强型氮化镓功率晶体管技术简介(中文版)
型号- EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033
EPC Half-Bridge Development Boards 选型表
产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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VDS max
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VGS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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Development Board
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.14
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3.4
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BGA 0.85 x 1.2
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n/a
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选型表 - EPC 立即选型
EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管面向D类音频放大器应用简介 中文版(AB003)
型号- EPC2036,EPC9509,EPC9001C,EPC2010C,EPC9003C,EPC2016C,EPC2019,EPC9106,EPC2032,EPC9046,EPC2031,EPC9047,EPC2034,EPC9048,EPC2033,EPC9061,EPC9062,EPC9040,EPC9002C,EGANAMP2016,EPC2103,EPC2001C,EPC2029,EPC2106,EPC2015C,EPC2108,EPC9010C,EPC2107,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC2021,EPC9035,EPC2020,EPC9014,EPC9510,EPC2022,EPC9033,EPC9055,EPC9050,EGANAMP 2.1,EPC9006C
EPC eGaN FETs and ICs 选型表
产品型号
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品类
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Status
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Configuration
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VDS max
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VGS max
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Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
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QG typ (nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR (nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID (A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package (mm)
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Development Board
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EPC2040
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eGaN FETs and Ics
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Active
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Single
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15
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30
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0.745
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0.14
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0.42
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0
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86
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20
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3.4
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BGA 0.85 x 1.2
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n/a
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选型表 - EPC 立即选型
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型,最大耐压15V-350V,持续电流0.5A-90A,导通阻抗1.45Ω-3300mΩ,导通电荷0.044nC-19nC,峰值电流0.5A-590A。
产品型号
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品类
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最大耐压(V)
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装(mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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选型表 - EPC 立即选型
【产品】EPC推出增强型功率晶体管EPC2065,能够处理极高的开关频率和低导通时间的任务
EPC2065是EPC推出的一款增强型功率晶体管产品,其VDS=80V(连续),RDS(on)=3.6mΩ(VGS=5V,ID=25A条件下的最大值),ID=60A(连续,TA=25℃)。
【白皮书】EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管FET电气特性(WP007)
描述- 本文介绍了eGaN FETs的基本电气特性,并与硅MOSFET进行了比较。了解这两种技术的异同,是了解如何改进现有的电力转换系统的必要基础。
EPC增强型功率晶体管EPC2036 ESD等级和湿敏等级
EPC增强型功率晶体管EPC2036湿敏等级1级质量报告链接地址:https://www.sekorm.com/doc/previewDoc?docId=251383
【产品】 GaN增强型大功率晶体管助力高功率密度电源转换
EPC2106氮化镓半桥增强型功率晶体管, 由Q1、Q2两个MOS管构成,更小的板载面积可以为电源转换带来更高的功率密度。
【白皮书】EPC(宜普)氮化镓场效应晶体管驱动器和布局注意事项(WP008)
描述- eGaN FETs不同于他们的硅同行,因为它们更快的切换速度,因此对栅极驱动,布局和热管理有不同的要求,它们都可以相互作用。
【产品】低QG和零QRR的增强型功率晶体管
EPC于2018年推出EPC2111系列增强型功率晶体管,具有极低的RDS(on),和较低的QG以及零QRR。EPC2111系列增强型功率晶体管具有在较少工作时间中处理高转换频率的任务能力,应用在一些主要在开态时具有能量损失的装置中更具优势。产品最适用于高频DC-DC和负载点转换器等领域。
电子商城
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
根据用户的蓝牙模块,使用Bluetooth 蓝牙测试装置MT8852B,测试蓝牙1.0至5.1,包括传输速率、功率、频率、调制和接收机灵敏度,生成测试报告。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
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